氢气退火相关论文
本文主要介绍了用溶胶凝胶法在石英基板上制备不同钽掺杂浓度的二氧化钛薄膜，并采取后续氢气退火的方法改善其光电性能以用于TCO 薄......
氢气尾气处理部分由炉门密封系统和尾气燃烧处理系统两部分组成,是涉及设备安全使用的关键部件,为了保障氢气退火炉的安全性和稳定......
Carpenter HYMU“80”是一种非取向的80％镍-铁-钼合金,它具有极高的起始磁导率和最大磁导率,并且在低磁场强度时具有最小的磁滞损......
一、绪言 1930年以来对W-Ni-Fe烧结合金进行了广泛的研究,力求改善其机械性能,扩大其在高强度部件上的应用范围。初期,Kfock对W-N......
一、前言热轧变压器硅钢片在无保护气氛的条件下退火时,氧化铁皮与金属表面之间产生一层薄而致密的氧化物。酸洗后钢板表面上呈现......
热轧变压器硅钢片经过退火和酸洗后,常常在钢片表面上附着一层不均匀的灰白色氧化白膜。这层白膜被证明是2FeO·SiO_2。它与硫酸......
提高热轧变压器硅钢片的磁性能,除受冶炼化学成份影响外,在很大程度上取决于最后的成品退火工艺。近几年来,我国在硅钢片的退火工......
冷轧变压器硅钢片的成品高温退火是纯化钢质,一次再结晶和完成二次再结晶而形成(110)[001]织构的多能过程。高温退火制度及护气气......
一、引言随着空间遥感技术、热成象、大视场搜索与跟踪要求,多元阵列红外探测器的研制工作也迅速发展,要求使用多元器件的单位和......
伟大的无产阶级文化大革命,以极其雄伟的力量推动着我国社会主义革命和社会主义建设事业的蓬勃发展。我国工人阶级、革命干部和革......
本文对GCr15二辊开坯机用Φ175×254轧辊的表面爆裂原因进行了分析。爆裂是由于热处理后轧辊内的残余应力在轧制负荷所产生的附加......
在试验[1]的基础上,对烧结铁硅软磁合金进行热处理试验研究。通过对几种热处理方法的对比,探求改善FeSi4.5和FeSi6.5烧结合金铁磁......
氧化亚铜是一价铜的氧化物,吸收光谱范围处在可见光区域内,其作为一种典型的P型半导体材料。当氧化亚铜材料的粒径大小处于纳米级......
敬爱的周总理逝世二周年了,总理光辉的形象如巍峨的高山,参天的劲松,永远活在我们心中。在纪念总理视察20周年的时侯,我们对敬爱的......
采用交流电沉积方法于不同频率在氧化铝模板中合成了线间距50 nm、直径22 nm的Fe-Co合金纳米线阵列,研究了沉积频率对阵列成分、晶......
在约2200℃F氢气氛中,将单晶超级合金进行退火,可大大地改善其高温抗氧化能力。研究目的是使材料更好地适用于蒸气涡轮发动机叶片......
根据我国现实情况,对在我国尽快实现强对流全氢罩式退火炉新技术的可行性进行了探讨,并通过普通炉与全氢炉的生产产量、质量、能源......
氢气退火有助于超合金的抗氧化性据美国俄亥俄州克里福兰国家航空和航天局的Ｌｅｗｉｓ研究中心的研究人员称，在１２００Ｃ（２２００Ｔ）温度下实施氢气退火，提高了单晶......
热轧变压器硅钢片,一般都是用二次或三次加热方法生产。这种生产方法,产量低、成材率低、板面易出现麻皮、燃料消耗大,尤其是在轧......
通过溶胶凝胶技术制备了不同Ga掺杂含量的Zn O透明导电薄膜,研究了Ga掺杂对GZO薄膜结构、电学及光学性能的影响.从X射线衍射光谱分......
——外延生长p—型和n—型硅的寿命以及在此外延层上制作的二极管的伏—安特性做为各种生长温度、不同掺杂基片和掺杂浓度的函数被......
最近,蓝宝石和尖晶石(MgAl_2O_4)已被广泛地用作各种材料外延生长的单晶介电材料,在这种应用中都涉及到宝石的抛光问题。一般都是......
轻掺杂多晶硅的低温退火特性揭示了来自二氧化硅层中的氧对多晶硅电学行为有重要影响。本文从实验上进一步证实了氧在多晶硅晶界引......
本文报道了采用PECVD技术淀积TiO_2薄膜,深入地研究了反应条件对薄膜生长的影响,并对薄膜进行了光电子能谱和表面光电压谱测试,结......
一、引言我们在实验中观察到所用的光电倍加管在某些取向时,由于地磁场的影响其增益显著下降.文献[1—4]中也曾定性地指出地磁场......
近年来发展的第四代质量共振动力波探测器采用了两种天线结构：大型低频球形天线和小型高频共振器内部阵列式无线，后者特别适用于2kHz......
铁电存储器是一种以铁电薄膜作为存储材料的存储器件。铁电薄膜可以被外加电场极化,即使外加电场被除去,极化依然得以保持。在所有......
在自然资源日益匮乏的当今,节能环保逐渐成了人们的生活理念。太阳能的有效利用也成了当前研究的热点之一。二氧化钒(VO_2)金属-半......
本文通过对氢炉水路冷却系统，氢炉内部结构、氢气流动路线上下反射屏构造分析，找出了氢炉出气口发烫原因；并采取相应措施和预防方案，确......
为研究有氧溅射和氢气氛退火对TZO薄膜的光电性能的影响,采用射频磁控溅射法,以掺钛(2at%)氧化锌为靶材,在石英衬底上溅射掺钛氧化......
利用旋涂法制备并采用氢气退火处理得到P（VDF—TrFE）／Ag复合薄膜，在XRD图像上可以观察到在20=38．1°的Ag（111）相的衍射峰，同样在SEM图......
近年来，冷轧薄钢板退火工艺的趋势是采用连续退火作业线，以提高质量和成品率，但是，由于多品种小批量生产的要求也在不断增加，从而操作较......
采用两步电化学阳极氧化方法制备了有序多孔氧化铝模板，通过交流电化学沉积方法在模板中合成了线间距约为62nm、直径约为25nm的Fe48......
采用射频磁控溅射法在石英玻璃衬底上制备了性能良好的透明导电ZnO：Al薄膜，并研究了衬底温度和氢气退火对薄膜结构和光电性能的影响......
为了制备性能良好的Co(W,P)抗氧化层薄膜材料,提出用SiH4或Si2H6对Co层进行硅化的方案.在整个硅化过程中存在着Si在Co中的扩散和Cu......
ZnO基薄膜从被发现起便受到广泛关注。其宽带隙,高激子复合能,储量丰富以及价格低廉等特性令其有着广阔的应用前景。目前制约ZnO基......
紫外光探测器被广泛应用于通信、航天、环境监测、化学分析以及医疗器械等领域,具有非常重要的研究价值。ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族元素形......
<正> 一、绪言 1930年以来对W-Ni-Fe烧结合金进行了广泛的研究,力求改善其机械性能,扩大其在高强度部件上的应用范围。初期,Kfock......
硅材料是微电子产业的基础材料。随着超大规模集成电路(ULSI)特征线宽的不断减小，对直拉硅中杂质和缺陷控制的要求越来越严格。氧是......
氧化镓作为第三代宽带隙半导体材料具有4.2-4.9eV的带隙宽度,共有五种同分异构体,包括α-Ga2O3、β-Ga2O3、γ-Ga2O3、δ-Ga2O3和......
以固相反应法制备的Ti0.015Zn0.985O为靶材,采用射频磁控溅射方法分别在普通玻璃,石英玻璃,ITO导电玻璃和Si片四种不同衬底上沉积T......
