氮化铟薄膜相关论文
本文利用分子束外延方法,存MOCVD生长的GaN模板上生长出高质量、超甲坦的In极性InN薄膜,10μm×10μm见方的表面平整度(rms)值约为......
本文采用加压MOCVD法在1600Torr压力下生长InN薄膜,研究了生长温度对薄膜特性的影响。研究表明,生长温度对薄膜的表面形貌产生很大......
采用等离子体辅助分子束外延(PA-MBE)技术制备InN薄膜。为了缓解晶格失配所带来的应力及非故意生成的多晶层影响，在衬底和低温I......
InN是一种性能优异的半导体材料,具有高的电子迁移率和小的直接带隙(0.7eV),在高速电子器件、红外光电器件方面有着巨大的应用前景......
本文研究的主要内容是新型半导体氮化铟(InN)的电学输运性质。InN在光电子和微电子器件领域有很好的应用前景。然而它的一些基本性......
随着人类社会进入信息化社会，信息量飞速增长。为适应生活的需求以及时代的要求，以半导体为代表的材料和器件迅速发展，遍及人类生活的......
新型半导体薄膜材料的光学特性已经持续多年是新功能材料等研究领域的热点课题。半导体的非线性光学和发光性质在光电通信领域,例......
半导体材料的非线性光学吸收性质已经持续多年成为光学以及新功能材料领域的研究热点并被不断挖掘应用到实际器件中。例如,饱和吸......
