沟槽栅相关论文
绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT）具有低导通压降、高电流密度、高输入阻抗和宽安全工作区等优点,在电......
IGBT具有GTR和MOSFET各自的优势特点,具有MOSFET的输入阻抗高、其驱动电路简单、开关速度快、驱动功率小等特点。在直流电压为600V......
学位
为充分减小低压电源使用的低压高频功率开关管的功率损耗,沟槽栅 MOSFET的尺寸已减小到潜力挖掘殆尽的地步.本文用仿真方法首次系......
近年来随着ICBT器件技术的快速发展，采用沟槽栅和场终止(FS)的器件结构成为新一代技术的亮点。本文提出了一种新型的沟槽栅制造方法......
摘 要：绝缘栅场效应晶体管场效应晶体三极管简称为场效应管，是一种利用外加电压产生的电场强度来控制其导电能力的一种半导体器件。......
电动汽车的发展已经进入高速发展时代,IGBT在电动汽车上的应用,对电动汽车的效率和性能提升起到了重要作用,本文针对的IGBT结构特......
介绍了迄今为止演变出的五代IGBT产品的特点，指出IGBT今后的发展趋势和需要进一步解决的问题。......
电动汽车的发展已经进入高速发展时代,IGBT在电动汽车上的应用,对电动汽车的效率和性能提升起到了重要作用,本文针对的IGBT结构特......
集成门极换流晶闸管(IGCT)是一种高压、大电流的电力半导体器件,在大功率领域已得到广泛使用。但由于IGCT的关断需要借助很强的电......
为提升IGBT单芯片的电流密度,掌握高压沟槽栅IGBT技术,进行4500 V沟槽栅IGBT芯片的研制。使用TCAD仿真软件,对4500 V沟槽栅IGBT的......
沟槽栅场终止型代表了绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的最新结构.由于沟槽栅结构与平面栅结构在基区载流子输运、栅极结电容计算等方面存......
碳化硅（SiC）材料由于其禁带宽度宽、临界击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速度大等优异的材料特性,能够广泛运用于光伏逆变,汽车......
沟槽栅金属-氧化层-半导体-场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,简称MOSFET)是中低电压电源应用的首......
近年来,随着沟槽栅软穿通技术的发展,IGBT的性能不断提升。沟槽栅IGBT的动、静态性能与栅结构、载流子存储层、软穿通缓冲层等密切......
Trench-FS结构是IGBT器件发展过程中所提出的一类非常重要结构，其通态损耗与开关损耗、通态损耗与器件耐压之间具有很好的折中关系，......
近年来,由于半导体制造技术的发展,功率器件在性能、尺寸、生产成本方面都得到了极大地改善。此外,通信、计算机以及自动化产业的......
功率槽栅MOS (UMOSFET)是在VDMOS和VMOS基础上发展起来的一种功率半导体器件,由于功率UMOSFET可以从工艺技术上有效的降低器件的特......
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),作为第三代电力电子产品,是当前功率半导体中最重要的器件之一。IGBT以其优秀的综合性......
基于8英寸绝缘栅双极型晶体管(IGBT)生产线的建设,重点解决了8英寸IGBT先进工艺技术、第四代高压双扩散金属氧化物半导体(DMOS+)IG......
研究了沟槽栅与平面栅结构1 200V/20A场截止(Field-stop)型(绝缘栅双极型晶体管)(IGBT)的短路耐量特性,从测试电路参数与器件本身......
使用TCAD仿真软件对3 300 V沟槽栅IGBT的静态特性进行了仿真设计。重点研究了衬底材料参数、沟槽结构对器件击穿电压、电场峰值等......
