溅射压强相关论文
近年来,微型化、智能化、集成化且成本经济的微机电系统受到广泛关注。TiNi基形状记忆合金薄膜具有良好的形状记忆效应、超弹性、......
铜锌锡硫硒(CZTSSe)太阳能电池因其优异的光学性能和低廉的成本而引起广泛关注.然而Mo电极在硒化过程中易生成硒化钼,导致Mo/CZTSS......
利用直流磁控溅射法,在室温水冷柔性PET衬底上成功制备出了掺钛氧化锌（ZnO：Ti,TZO）透明导电薄膜。通过X射线衍射（XRD）研究了薄膜的结构,......
详细地研究了溅射压强对a-IGZO薄膜的微结构和电学特性产生的影响。AFM分析表明,薄膜的表面粗糙度随溅射压强的增加而增大。XPS分......
单晶二氧化钒在68℃附近会发生可逆的半导体-金属相变,相变发生在飞秒时间内并伴随着光电性能的骤变。这样的特性使得二氧化钒可以......
采用射频磁控溅射方法,分别在0.5Pa,1.0Pa,1.5Pa以及2.0Pa的溅射压强下制备出了Sc:ZnO(SZO)薄膜,并用X射线衍射仪、扫描电子显微镜......
用直流磁控溅射法在玻璃衬底上成功制备出了钛镓共掺杂氧化锌(GZO:Ti)透明导电薄膜,研究了溅射压强和功率对GZO:Ti薄膜的微观结构......
利用射频磁控溅射法在石英衬底上制备得到高质量的锑掺杂二氧化锡(ATO)透明导电薄膜,研究了溅射压强对ATO薄膜的结构和光电性能的......
用射频反应溅射法在硅片上制备Ａｌ２Ｏ３薄膜，在１０Ｐａ的低真空中和以适当比例混合的氩气和氧气中反应溅射以使薄膜充气氧化并保持一定的沉积速率，从......
采用直流磁控溅射工艺，在不同溅射压强条件下制备了薄膜太阳电池用金属Mo背电极。用场发射场发射扫描电子显微镜（FESEM）和四探针测试......
利用直流磁控溅射工艺在玻璃衬底上制备出了透过率高、电阻率较低的钛镓共掺杂氧化锌透明导电薄膜（TGZO）。研究了溅射压强对TGZO薄膜......
用直流磁控溅射法在玻璃衬底上成功制备出了铝钛共掺杂氧化锌（TAZO）透明导电薄膜,研究了溅射压强对TAZO薄膜的微观结构和光电特性的......
用射频磁控溅射技术在双面抛光的石英玻璃（SiO2）基底上沉积Er3＋／Yb3＋掺杂的TiO2薄膜，利用RBS背散射分析技术和x射线衍射技术研究溅射压强......
摘要：采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备ZnO薄膜，我们利用X射线衍射仪（XRD）、扫描电镜（SEM）对不同溅射压强下制备薄膜的相结构和表面形......
以金属铟为靶材,蓝宝石为衬底,氩和氮的混合气体为溅射气体,衬底温度为100℃,溅射功率为100 W,采用射频磁控溅射技术分别制备了溅......
近年来TiNi形状记忆合金以其良好的形状记忆效应、超弹性、防腐蚀性及良好的生物相容性等而被广泛应用于航空航天、电子、机械及生......
用射频反应磁控溅射法在不同溅射压强和氩氧比下制备了ZnO薄膜,通过X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）和光致发光（PL）谱等研究了溅射压强和......
在不同溅射压强下,通过射频（RF）磁控溅射在石英玻璃衬底上沉积得到W掺杂ZnO薄膜（WZO）。对样品的结晶性能,表面形貌和光学性能进行测试......
<正>随着自旋电子学的发展,在各种衬底上制备导电薄膜成为越来越多人研究的内容,基于柔性材料PET耐高温、价格便宜、资源丰富等优......
利用脉冲磁控溅射制备技术,以氧化铟锡（ITO）导电玻璃为基底,采用单质金属Cu靶作为溅射靶,在O2和Ar的混合气氛下沉积了Cu2O薄膜。通过......
期刊
在过去的15年间,超硬涂层的研究得到了迅速发展,研究者制备出大量同时具有优异机械性能和化学性能的超硬涂层,有效提高了材料的强......
主要研究了溅射压强对光伏玻璃表面二氧化钛自清洁薄膜润湿性的影响。采用射频磁控溅射法制备了具有自清洁功能的二氧化钛薄膜,通......
利用直流磁控溅射法在室温水冷玻璃衬底上制备出了高质量的掺钛氧化锌透明导电薄膜（ZnO：Ti）。研究了溅射压强对ZnO：Ti薄膜结构、形貌和......
利用直流磁控溅射法在玻璃衬底上制备了铝铬共掺杂氧化锌（ZACO）透明导电薄膜。通过X射线衍射（XRD）和扫描电镜（SEM）等表征方法对薄膜特性......
摘要：以自制Mg0.2Zn0.8O：Al陶瓷为靶材，采用室温溅射后续退火磁控溅射工艺制备了Mg0.2Zn0.8O：Al紫外透明导电薄膜。研究了溅射压强和退......
利用射频磁控溅射方法,采用Sc2O3掺杂(质量百分比2%)ZnO为靶材在石英玻璃上制备透明导电ZnO:Sc(SZO)薄膜。用X射线衍射仪、分光光......
采用射频磁控溅射法,采用不同的溅射压强将同一掺钛氧化锌靶材在普通玻璃衬底上溅射出八个TZO（掺钛氧化锌）薄膜样品,测试其微结构和......
本文详细研究了沉积参数如溅射压强、衬底偏压和衬底温度对CrN／Si3N4和Ti／TiN纳米多层膜微观结构、界面结构和硬度的影响，并通过多层......
ZnO是宽禁带直接带隙半导体材料，禁带宽度达3.37eV，ZnO的激子束缚能为60MeV，高于GaN材料的21MeV，更易于实现室温紫外受激发射。ZnO易于......
