电离总剂量效应相关论文
在空间环境中,航天器内部电子器件因受到高能粒子辐射发生辐射效应而失效,导致航天器异常或故障。其中,单粒子效应是电子器件中常......
伴随现代航天技术的快速发展以及微电子技术和小卫星技术的不断进步,航天用电子元器件的尺寸越来越小,封装结构越来越薄,表面贴装......
研究了集成式DC-DC电源变换器在不同负载电流、不同输入电压、不同剂量率以及关断模式条件下的电离总剂量效应.实验采用在线测试和......
通过CCD的60Coγ射线与高能电子辐照试验,研究了器件的电离总剂量效应,从器件结构和工艺方面分析了器件的辐射损伤机理与加固方法。......
本文选择贴片式NPN双极器件作为研究对象,采用在器件辐照试验时设置平衡材料的方法,通过对器件辐照敏感电参数的测量,研究平衡材料......
对多种MOS器件在钴源和脉冲加速器γ射线模拟源上的不同剂量率下进行辐照实验,研究了MOS器件阈值电压随辐射剂量及剂量率的变化......
铁电存储器由于自身的非易失特点,在航空航天等领域得到广泛应用。本文针对某款铁电存储器进行了电离总剂量辐照试验,测试了其数......
对国产工艺的电荷耦合器件进行了质子、中子、~(60)Co-γ射线辐照试验,研究了不同粒子辐照对器件饱和输出电压的影响。试验结果显......
利用质子、中子和伽马射线辐照空间激光通信系统拟选用的高速InGaAs-PIN光电二极管,对其辐射损伤效应开展研究,以评估PIN光电器件......
文章用10Mev质子和钴60γ射线对CCD(Charge Coupled Device)进行了辐照试验,分别计算得到了电离总剂量和位移效应的失效剂量.通过......
文章用10mev质子和钴60γ射线对ccd(charge coupled device)进行了辐照试验,分别计算得到了电离总剂量和位移效应的失效剂量.通过......
利用质子、中子和伽马射线辐照空间激光通信系统拟选用的高速InGaAs-PIN光电二极管,对其辐射损伤效应开展研究,以评估PIN光电器件......
时某型号国产双极型双路高压运算放大器在不同偏置条件和不同剂量率条件下的电离总剂量效应进行了研究。通过对运算放大器辐照前后......
设计了一种基于辐射剂量传感器(RadFET)的辐射总剂量监测系统,并利用60Co-γ射线和电子加速器对金属氧化物半导体(MOS)结构的RadFE......
针对辐照前高温老练(Burn-in)影响SRAM器件的抗总剂量辐射能力问题,进行了实验研究。选取了3种不同工艺尺寸SRAM存储器,利用60 Co......
对一款国产CMOS图像传感器进行了不同射线粒子的辐照试验,研究了质子、中子和γ射线等粒子辐照对器件饱和输出电压的影响.试验结果......
对TCD1209线阵CCD进行能量为1.1MeV的电子辐照试验,采用两种不同的注量率辐照后,对器件进行常温退火试验,在辐照与退火过程中考察CCD的......
简要叙述了商用FPGA用于空间领域时面临的抗电离总剂量加固问题,对Actel公司反熔丝FPGA的电离总剂量效应进行了较为详细的分析,包......
研究了在反应堆中子和γ射线综合辐照环境下CMOS工艺10位数模转换器(DAC)的辐射效应。通过对DAC在γ辐射环境、中子辐射环境、中子和......
用60Coγ射线对国产0.18μm科学级4T互补金属氧化物半导体(CMOS)有源像素图像传感器进行电离总剂量辐照试验,研究了动态偏置下满阱......
本文选择贴片式NPN双极器件作为研究对象,采用在器件辐照试验时设置平衡材料的方法,通过对器件辐照敏感电参数的测量,研究平衡材料......
本文详细分析了两种国产三端稳压器的辐射效应试验结果,研究了根据其辐射效应特点和规律进行电源电路抗中子加固设计的实现思路,提......
对基于4晶体管像素结构互补金属氧化物半导体图像传感器的电离总剂量效应进行了研究,着重分析了器件的满阱容量和暗电流随总剂量退......
用能量为3MeV的质子对一款国产背照式CMOS图像传感器进行了辐照试验,得到了该传感器的固定模式噪声随质子注量和退火温度的变化情......
设计了一种基于微控制器的RadFET辐射剂量测试系统,介绍了系统的测试原理和方法,通过测量阈值电压的偏移值可得到吸收剂量。利用60......
使用原子层淀积方法得到了7.8nm厚度的HfO2薄膜并通过直接溅射金属铝电极得到了Al/HfO2/SiMOS电容结构,测量得到了HfO2基MOS结构在......
用自建的工程单机对星敏感器用核心器件CCD的电离总剂量效应进行了研究,给出了不同辐照剂量下辐照前后图像灰度、标准差等反映CCD......
时于制作工艺相同的NPN和LPNP两种类型的双极型晶体管进行了辐照实验,研究了不同类型双极晶体管的电离总剂量辐射损伤机理和退火效......
研究了在反应堆中子和γ射线综合辐照环境下CMOS工艺10位数模转换器(DAC)的辐射效应。通过对DAC在γ辐射环境、中子辐射环境、中子......
VDMOS是航天器上常用的大功率开关器件,是航天器电源系统、热控系统的重要组成部分。随着新型航天器对高性能国产元器件的迫切需求......
文章通过电离总剂量效应、擦写循环和数据保持试验及其叠加试验,研究了总剂量效应对浮栅型Flash存储器擦写耐久和数据保持特性的影......
利用252Cf源和60Coγ射线源对典型VDMOSFET进行单粒子效应和电离总剂量效应模拟试验,给出典型VDMOSFET的单粒子烧毁(SEB)、单粒子......