电阻转变相关论文
随着材料科学以及半导体技术的高速发展,电阻转变型存储器（RRAM）器件由于其具有非挥发特性、高读写速度、低功耗、高集成度、多值存......
科研人员通过不断研究和创新提出了多种光电忆阻结构来模拟生物体中的光突触,以用于神经形态计算领域.其中,有机光电忆阻器具有成......
目前,传统计算机的构架是冯诺依曼结构,其特点是计算与存储是分开的。然而,冯诺依曼结构的低效已经成为阻碍人工智能和机器学习发......
近年来,纳米尺寸的铁磁金属薄膜和多铁复合薄膜倍受关注。本论文制备出了不同厚度的超薄Fe70Ga30(Fe-Ga)和Fe65Co35(Fe-Co)纳米薄......
二维材料是从某些层状结构块体材料分离出来或其他方法制备的单原子（分子）或几个原子（分子）层,它们具有不同于同种块体材料的诸多新性......
学位
本文研究了Ti/ZrO2/Pt阻变存储器的双极转变特性.氧空位组成的导电细丝的形成和断裂是产生电阻转变特性的主要机制.器件低阻态和高......
本课题组在系统研究锰氧化物庞磁电阻(Colossal Magnetoresistance,CMR)及庞电致电阻(Colossal Electroresistance,CER)效应的基础......
近年来,基于电阻转变效应的新一代非易失性存储器件——阻变存储器ReRAM受到人们的广泛关注.我们采用溶胶凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si衬......
目前,阻变随机存储器(RRAM)因为其优良的非易失性吸引了学术界的广泛关注,它不仅有很好的尺寸缩减潜力,还具有高密度、低能耗、高......
阻变存储器是一种以功能材料的不同电阻状态存储信息的新型非挥发性存储器，它具有高速、高密度、低功耗、与CMOS工艺兼容等优点，得到......
FLASH存储器是目前非挥发性半导体存储器市场上的主流器件。但是随着微电子技术节点不断向前推进，基于传统浮栅结构的FLASH技术正在......
近年来，随着云计算、智能终端、大数据等新信息技术的兴起，市场对非易失性存储器需求也越来越大。寻找具有高容量、高密度、低成本、......
本论文主要研究了基于氧化物的电阻转变效应。当摩尔定律走向尽头,人们急需寻找新一代的高性能非易失性存储材料,以满足现代信息社......
阻变存储器是近十多年来备受关注的一种新型非易失性存储器,作为新二代非易失性存储器的候选者,它所表现出来的存储潜力远远超过其......
利用电子束蒸发方法将MgB2超导薄膜沉积到Al2O3(001)衬底上.采用标准的四引线法研究了磁场平行和垂直超导薄膜ab平面下的电阻转变.......
期刊
采用脉冲激光技术在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上沉积了非晶La2O3薄膜,制作并分析了Pt/La2O3/Pt堆栈层的直流电压与脉冲电压诱导的电阻转变......
从二维系统的Kosterlitz-Thouless(KT)相变理论出发,在关联长度中引入热激活能和平均钉扎高度,提出了修正的KT相变模型.该模型与库......
将Tl2Ba2CaCu2O8(TBCCO)高温超导薄膜通过磁控溅射的方法沉积到LaAlO3(LAO)衬底上,SEM和XRD的测量结果显示该超导薄膜具有很高的成......
采用射频磁控溅射法在ITO基底上制备了Hf O2和Hf O2:Au薄膜,并对Cu/Hf O2/ITO和Cu/Hf O2:Au/ITO三明治结构进行了电阻转变性能测试......
提出了从高温超导体电阻转变曲线中直接计算热激活能的一个新方法，利用提出的方法重新分析了Y-123单晶超导体的电阻转变曲线。结果......
测量了Ｂｉ１．８Ｐｂ０．４Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｙ银夹板厚膜在磁场平行和垂直于Ｃ－轴时沿Ｃ－轴方向的电阻ＲＣ和温度Ｔ的关系。实验结果表明，零场下，电阻ＲＣ在１１０Ｋ附近随温度降低而迅速减小，直到７７Ｋ仍......
利用标准的四引线方法研究了磁场平行和垂直于YBCO/MgO超导薄膜表面时的电阻转变.另外,本文采用微带谐振技术研究了该超导薄膜的微......
报道了一种基于多层六角氮化硼（h-BN）二维薄膜的忆阻器件.该器件不需要电预处理过程,且具有自限流的双极性阻变行为;具有较好的抗疲......
近年来,随着摩尔定律即将到达极限,日益增长的大数据迫切需要研制新的计算架构。以构建类脑智能计算机为目标的硬件人工智能在未来......
柔性阻变存储器具有可弯曲/拉伸、储密度高、读写速度快、功耗低、结构简单等优势,被认为是在可穿戴设备、消费电子、航天等领域最......
随着信息社会的发展,人们对存储器(Memory)提出了愈加高的要求。目前在市场上依旧占据主流地位的闪存(FlashMemory)在存储容量(Cap......
日本东京工业大学的细野秀雄教授和日本大学的高桥博树教授共同研究发现了一种新的铁系超导材料，新发现的这种以Fe为主要成分的超导......
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采用数据采集系统,在测量氧化物高T_C超导材料R(T)曲线的同时,可得到其微分曲线。除可确切地定出T_C,△T_C等参数外,还能突出地显......
继传统的氧化物半导体、铁磁体、传感器等的广泛应用，近年来氧化物超导、巨磁阻材料、多铁性材料及其光伏材料等层出不穷，基于氧化物......
报道了一种基于多层六角氮化硼(h-BN)二维薄膜的忆阻器件.该器件不需要电预处理过程,且具有自限流的双极性阻变行为;具有较好的抗......
阻变存储器具有结构简单、速度快、存储密度高、易于三维集成等诸多优点,是下一代存储器的重要候选之一。文章详细介绍了阻变存储......
在各种新型非挥发性存储器中,阻变存储器(RRAM)具有成为下一代存储器的潜力。介绍了RRAM器件的基本结构,分类总结了常用的材料以及......
随着器件特征尺寸不断缩小,集成度不断提高,传统的基于电荷存储的非易失性FLASH存储器将面临物理与技术的极限。新型的阻变存储器......
近来,关于无序涡旋物质凝聚体的著名的涡旋玻璃理论受到了来自某些新实验的严重质疑.本文重新审查了高温超导体的临界标度,发现超......
多铁的磁电复合薄膜能够通过铁电相和铁磁相之间的耦合作用产生磁电效应,在传感器、信息存储器件、自旋电子器件等新型多功能器件......
