磁控共溅射相关论文
采用硅-氧化硅复合靶的射频磁控共溅射方法在p型硅衬底上淀积了富硅氧化薄膜.刚制备未经退火的薄膜中硅和氧化硅均为非晶相.光致发......
本论文研究硅基超导氮化钛铌(NbTiN)薄膜的制备技术。针对NbTiN与硅基片晶格失配度较高导致超导性能的下降的难题,主要开展两方面......
用直流(DC)和射频(RF)磁控共溅射法在硅衬底上制备Al-Al_2O_3复合膜,用射频磁控溅射Al_2O_3膜作对比。通过XPS、XRD、HRTEM、FESEM......
采用磁控共溅射法在Al2O3(0001)基片上沉积了Zn1-xCoxO(x=0.08~0.31%)薄膜,研究了基片温度对Co掺杂ZnO薄膜结构和磁性的影响。结果......
本研究利用磁控共溅射的方法，在玻璃和聚酰亚胺衬底上制备了Zn1-xCrxO(0=x=0.08)稀磁半导体材料，研究了不同Cr的掺杂浓度条件下，样品......
利用射频磁控和直流磁控共溅射的方法制备了金属Y掺杂的Mo-N薄膜.对制备的薄膜样品进行元素组成、微观结构、表面形貌、摩擦学性质......
采用射频磁控共溅射技术成功地制备Au的体积百分比分别为6％、15％、25％、40％、50％和60％的一系列Au-MgF复合纳米金属陶瓷薄膜.根据不同的性......
学位
薄膜传感技术由于其便于小型化、集成化、多功能化、系统化及 网络化，是目前传感技术的研究前沿之一。NiA1合金薄膜是一种性 能优......
直接醇类燃料电池是一种应用前景可观的燃料电池,具有许多优点,如燃料来源广泛、理论比能高、环境友好等,因而在能源与环境保护日......
本论文研究硅基超导氮化钛铌（NbTiN）薄膜的制备技术。针对NbTiN与硅基片晶格失配度较高导致超导性能的下降的难题，主要开展两方面的工......
采用磁控共溅射方法在n型Si(100)基片上制备了一系列具有不同Co含量(x,at％)的Co掺杂非晶C颗粒薄膜,溅射温度为室温.研究了Co-C颗粒......
应用磁控共溅射技术和后退火方法制备了GaAs/SiO2纳米颗粒镶嵌薄膜,并分别应用原子力显微镜、X射线衍射和卢瑟福背散射实验来观测......
目的为了解决传统陶瓷阻隔薄膜的裂纹问题。方法采用射频磁控共溅射的方法在基底PP表面制备Ti Nx/CFy薄膜,并通过改变输入PTFE与Ti......
本文采用磁控共溅射方法在玻璃衬底上制备了Cr掺杂ZnO薄膜，通过改变Cr溅射功率，从而改变Cr的掺杂量．介绍了Zn1-xCrO薄膜的制备方法，分......
富硅氮化硅薄膜因其具有良好的物理、机械和光学性能,被广泛应用于半导体领域。本文采用磁控共溅射法在玻璃衬底上沉积了富硅氮化......
以石英片为基底，采用直流/射频磁控共溅射法制备了掺Al、掺Ti的VO2薄膜。对所制样品进行了电阻-温度关系、原子力显微镜、透射光谱......
加强的氧化物分散(ODS ) 因为，钢在熔化反应堆为高温度应用被认为候选人同样潜在他们的优秀热爬行为。在现在的工作，双目标磁控管共......
使用磁控共聚焦溅射技术并改变溅射过程中Al的功率来制备了一系列A1含量不同的氮化钛铝(TiAlN)薄膜.在溅射过程,薄膜沉积速率和Al......
采用二氧化硅/碳化硅复合靶,用射频磁控共溅射技术和后高温退火的方法在Si(111)衬底上制备了碳化硅纳米颗粒/二氧化硅基质(nc-SiC/......
应用磁控共溅射技术和后退火方制备了GaAs/SiO2细小纳米颗粒镶嵌薄膜，并分别应用原子力显微镜、X射线衍射和卢瑟福背散射实验来观测......
采用磁控共溅射工艺来制备Al—Cu—Fe薄膜，选用抛光状态的纯Al、纯Cu和不同粗糙度的不锈钢基作为基底材料。通过原子力显微镜分析薄......
采用SiC/SiO2复合靶,用射频磁控共溅射技术和高温退火的方法制备了SiC/SiO2纳米镶嵌结构复合薄膜,并应用傅里叶红外吸收(FTIR),X射......
采用射频磁控共溅射技术成功制备GaAs半导体纳米颗粒镶嵌薄膜,GaAs在薄膜中所占分子百分比达19.0%.光电子能谱分析表明随着基片温......
驱散的 ferrum (Fe ) 拍摄的氧化钇(Y) 被共同劈啪作响的双目标磁控管准备方法。真空退火和氙离子照耀被进行在这些电影的磁性、机......
利用非反应磁控共溅射技术,通过改变Ni靶的溅射功率,得到不同Ni含量的Si-C-Ni复合涂层。通过EDS对其成分,利用SEM、TEM和Raman对其......
采用磁控共溅射法在Al2O3（0001）基片上沉积了Zn1-xCoxO（x=0.08～0.31%）薄膜,研究了基片温度对Co掺杂ZnO薄膜结构和磁性的影响。结果表明：A......
以高纯Ti和Si为靶材,在不同偏压下于Ar/N2气氛中溅射沉积了Ti-Si-N纳米复合膜,采用原子力显微镜、X射线衍射（XRD）和划痕法研究了复合......
利用磁控共溅射法在液氮冷却的衬底（LNCs）上制备了Al-Pb合金薄膜，运用EDX、XRD、TEM和SEM对薄膜成分、结构及形貌进行了研究。结果表......
采用磁控共溅射法在Cu箔上制备了Sn-Cu复合薄膜材料,探究了Cu靶的溅射功率对Sn-Cu复合薄膜材料电化学性能的影响。研究发现,当Cu靶......
采用磁控双靶反应共溅射技术制备出了(Ti0.5Al0.5)N耐磨硬质薄膜,其显微硬度高于35GPa,摩擦系数小于0.18.实验结果表明当N2流量较......
利用射频磁控和直流磁控共溅射的方法制备了金属Y掺杂的Mo-N薄膜.对制备的薄膜样品进行元素组成、微观结构、表面形貌、摩擦学性质......
采用磁控共溅射沉积法,以氧化锌和硫化锌为靶材,在不同衬底温度下制备了Zn（O,S）薄膜。采用X射线衍射仪、原子力显微镜、紫外-可见-近......
采用磁控溅射法制备了SiC/ZnO/Si镶嵌结构复合薄膜,对样品采用了不同的温度进行退火处理,测定了样品的光致发光图谱。结果显示,复......
氮化钼(Mo-N)薄膜具有良好的稳定性、高硬度、优异的耐磨性和耐腐蚀性,使其在切削和成型工具加工中起到硬质保护涂层的作用。本论......
第Ⅳ主族元素单质及其合金材料是目前材料科学领域研究开发的重点和热点之一。碳化锗(Ge1-xCx)薄膜以其特有的结构、光学和电学性......
高阻隔性包装材料应用极为广泛。食品、药品等包装应用高阻隔材料可以延长包装内容物的保质期并防止有害物质迁移；精密机械零配件、......
摩擦磨损消耗了全世界一次能源的50%,各国因摩擦磨损问题造成的经济损失颇为巨大。磨损也造成农机触土部件频繁失效,达不到农耕作......
采用多靶磁控共溅射技术的单靶功率可调特点,在Zr-4合金基底上,通过调节O2流量制备出(AlCrMoNbZr)1-x-yNyOx高熵合金涂层。利用X射......
采用复合靶磁控共溅射方法在p型(100)单晶硅衬底上制备了不同Ti含量的W-Ti薄膜,并与纯W和纯Ti薄膜作对比。采用XRD、SEM、AFM、显......
本文研究的主要目的是开发空间保护薄膜材料。论文介绍以石英片为基底材料,采用直流/射频磁控共溅射方法制备了非掺杂、掺Al和掺Ti......
用双靶直流磁控共溅射制备了NiAl（1-x）（0．75〈x〈0．8）金属间化合物薄膜及掺氧Ni-Al薄膜。利用AFM、SEM-EDS、XRD对Ni-Al合金薄膜的表面形......
采用磁控Al和Cu靶共溅射方法，通过FJL560D2型超高真空磁控溅射仪制备薄膜。采用不同的溅射功率和退火温度来获得不同特性的薄膜。采......
采用二氧化硅/碳化硅复合靶,用射频磁控共溅射技术和后高温退火的方法在Si(111)衬底上制备了碳化硅纳米颗粒/二氧化硅基质(nc-SiC/......
利用磁控共溅射法制备Al-Pb合金薄膜.运用SEM、EDS、TEM对薄膜成分、结构进行分析,用分子动力学模拟薄膜中Al、Pb原子的聚集状态.......
