磷硅玻璃相关论文
利用二氧化硅及磷硅玻璃溶于氢氟酸溶液,而单晶硅不溶的特点将其分离。然后使磷酸与钼酸铵生成磷钼杂多酸,大量硅用酒石酸钾钠及......
本文介绍了几种玻璃钝化的材料和附着玻璃膜的方法。特别论述硅器件玻璃钝化的原理和工艺流程。在文章中还给出国内外玻璃钝化的发......
本文研究了国产中规模集成电路铝金属化系统电迁移失效机理以及磷硅玻璃(PSG)和聚酰亚胺钝化层对铝条失效行为的影响,并对铝条的形......
IGBT器件具有输入阻抗高和导通压降低的优点,在大功率电力电子领域具有广泛的应用,但IGBT器件的栅极漏电问题严重影响产品的成品率......
叙述2μm硅栅深耗尽C-M0S/SOS工艺及其特性,制造工艺全部是干法工艺(离子铣和等离子腐蚀)。离子注入形成源、漏,在每次光刻均为2μ......
在MOS器件制造的初期,发现经加温和电场的作用后,器件的阀值电压会发生漂移,实验证明这是栅氧化层中(?)污了钠离子。正是磷硅玻璃......
电路芯片表面钝化目前常用的工艺手段是常压气相淀积磷硅玻璃、聚酰亚胺、溅射氧化硅等,这些工艺比较成熟。但是,随着硅片尺寸不......
前言在以集成电路为代表的平面半导体器件中,广泛地采用真空蒸发薄膜的布线方法。这种布线很少是器件发生故障的原因。这里介绍的......
当用烷氧基硅酸盐和磷酸盐在本征 GaAs 的表面上生长一层 SiO_2或磷硅玻璃(PSG)时,掺 Cr 的本征 GaAs 表面附近形成一薄的导电层。......
低发射极浓度(LEC)晶体管2G213是一种NPN双极型低频低噪声晶体管。用硼离子注入形成基区、磷离子注入形成发射区并实现LEC结构。表......
一、前言 国内大多数生产厂,在双极型器件生产中都采用了三氯氧磷合金工艺,多年来稳定用于生产,它在改善击穿,减小反向,提高器件......
引言 硅栅MOS大规模集成电路中,采用了多晶硅铝的多层结构,其间常用低渴淀积SiO_2膜作绝缘层。但在多晶硅条和铝连线的交叉处及开......
1.绝缘膜的制作 1.1.热氧化膜 MOS晶体管的阈值电压V_t可由下式给出: V_t=((-Q_O-Q_(SS)-Q_B)/C_g)-(q/C_g)·integral from n=Mi......
通过高磷处理和低温退火,可以大幅度提高半导体器件的成品率.试验结果表明,硅pnp管生产中的双线问题,可以通过高磷处理得到解决,并......
一、前言低压化学汽相淀积(简称LPCVD)技术,近两年来,在国内半导体器件工艺中,特别是以MOS为主的大规模(LSI)和超大规模(VLSI)集......
为了蚀刻掺杂的硅酸盐玻璃层,已经发现气体等离子体腐蚀是有效的。与通常的湿法化学工艺相比,气体等离子体工艺腐蚀特性与淀积温度......
半导体器件及集成电路的可靠性,很大程度地依赖于半导体表面的纯化技术。因此,自晶体管发明以来,在半导体器件制造领域,为达到器......
等离子激活化学汽相淀积工艺(PCVD)在许多方面都相似于熟知的化学汽相淀积工艺(CVD),它从射频激发的辉光放电得到反应能。该工艺在......
前言半导体器件表面钝化技术如氮化硅、磷硅玻璃等无机物钝化层发展比较早,而聚酰亚胺表面钝化是近几年发展起来的一种新技术,它......
用中子激活方法,对气态P_2O_5在SiO_2-Si系统中的扩散分布进行了直接测量。样品为p型Si单晶,电阻率为3—5欧姆·厘米,氧化层是在12......
本工作对我厂的3DG102硅平面三极管进行了PSG表面钝化.结果证明,经PSG表面钝化后的管子在一万小时的长期高温贮存试验和长期额定功......
本文介绍了一种生长磷硅玻璃(PSG)的新方法,即等离子体化学汽相淀积(PCVD),给出了一些基本试验数据,并与一般采用的常规CVD工艺作......
用干涉显微镜观察到硅上磷硅玻璃分成二层厚度均为约1000A的薄层。降低入射电子能量到5keV以下,用原试样分析法测定了磷硅玻璃的成......
近来,由于微细加工技术的进展,半导体器件的高集成化正迅速发展,每块芯片内集成的门数不断增加,并实现了短沟道化。这样,提高半导......
本文介绍熔凝玻璃钝化的基本原理、工艺方法以及所制备的玻璃钝化器件的可靠性.最后对熔凝玻璃钝化技术作了评述.
In this paper,......
通过实验,证明了n/n~+外延层经Sirtl浸蚀剂浸蚀后,所形成的“雾状”微缺陷,可导至p-n结的软击穿和低击穿,是降低器件成品率的重要......
在减压化学汽相淀积反应器中,用650~700℃的温度范围和0.2~0.6乇的压力范围,采用正硅酸乙酯和磷酸三甲脂在氧气中的热分解,淀积了膜......
半绝缘InP单晶离子注入硅后,进行了包封与无包封热退火研究。结果表明:用SiO_2膜作包封层的注Si~+InP样品在热退火温度达580℃时开......
分析了SiO_2+PSG+SiO_2三层钝化增透膜的生长工艺,对实验结果进行了热力学理论探讨;给出了高频电容-电压和光学透过特性曲线,并与S......
磷硅玻璃(PSG)是一种优良的钝化介质.其主要特点是其抗钠离子沾污的能力强,工艺操作简便,淀积温度低(低于500℃),适用于半导体器件......
PSG(磷硅玻璃)是一种常用的半导体器件表面钝化材科。其内部结构由于含有带负电的、未桥联的氧原子形成的负电中心,对器件表面Si-......
研究了566~715℃温度范围内 InP 中 Cd 和 Zn 的扩散问题。采用由 Cd_3P_2和 InP 粉末为混合源的 Cd 扩散,使我们能得到几微米以下......
用LPCVD方法生长了比较均匀的PSG薄膜.在~1000℃,N_2气氛下进行回流,证明含磷量在7%~8%时,经回流可获得较理想的台阶.已用于NMOS,大......
本文根据玻璃成型和铅锡焊料在700℃时均处于熔融状态具有表面张力的道理,不会使器件发生断裂的大胆设想,首次在国内用铅锡电极工......
制造高密度集成电路的关键之一是通过金属条的夹层介质台阶的形貌。因底层结构或通过腐蚀引起的这些台阶应逐渐倾斜以保证其后沉......
PECVD工艺提供了一种生长钝化用氧化硅、掺磷氧化硅的较理想的方法.本文简要地介绍了这两种钝化材料的生长、性质以及应用.
The P......
研究了由等离子体活化反应系统(P—PSG)淀积的磷硅玻离膜。分析了对应不同淀积参数的P—PSG的基本特征。在该等离子体淀积方法中,......
钝化膜的比较:热循环的作用与磷掺杂氧化膜的比较=Comparisonofpassivationfilms:theef-fectnfthermalcyclesandcomparisonofphosphorousdopedoxidefilms[刊,英]/...
Passivation film comparison: the role of thermal cycling and phosph......
用微机械加工的方法,可以制作超小型的高性能化学传感器和用作流量控制的微型阀.如果这些器件被集成在一块硅片上,就能制成非常小......
在硅片上集成微形阀门和流量传感器有许多优点.例如,可忽略的死区、流量传感器的快速响应和小尺寸.一个集成的流量控制器,其有正常......