离子束外延相关论文
研究Si的室温晶化生长对微电子应用技术是十分重要的.本文采用离子束外延技术制备了一系列的Si/Ge多层膜结构,对样品进行X射线和拉......
用质量分离的离子束外延（ＭＡＬＥ－ＩＢＥ或简作ＩＢＥ）法在ｎ－Ｓｉ（１１１）上生长了ＣｏＳｉ２超薄外延膜．厚度为１０～２０ｎｍ的ＣｏＳｉ２薄膜的结构特性已由ＡＥＳ、ＲＨＥＥＤ及ＲＢＳ作了研究．实验结果表明Ｃｏ的淀积率对ＣｏＳｉ２单晶生长来......
用电子能谱分析方法对低能离子束外延（IBE）生长的β－FeSi2进行了详细研究，并对其电子能谱进行了表征．实测出XPS价带谱与有关理论计算结......
Z-200离子束增强沉积装置能生产硬而耐蚀的薄膜涂层,这种涂层对基体的粘结性比一般的化学气相沉积(CVD)或离子束外延生产的涂层优......
简要介绍IBE双离子束外延实验机的主要技术指标、工作原理和主要结构特点及性能。
The main technical specifications, working ......
低能离子束外延是近年来材料科学中发展起来的薄膜新技术。双低能离子束外延机是用两束不同质量数的低能离子作用在基片上,可一次......
采用离子束技术,在n型硅基片中注入稀土元素钆,制备了磁性-非磁性p-n结.磁性层GdxSi1-x表现出优良的磁学性能,高居里温度,高原子磁......
用电子能谱分析方法对低能离子束外延（ＩＢＥ）生长的β－ＦｅＳｉ２进行了详细研究，并对其电子能谱进行了表征。实测出ＸＰＳ价带谱与有关理论计算结果相符，用ＸＰＳ价......
用质量分离的离子束外延（ＭＡＬＥ－ＩＢＥ或简作ＩＢＥ）法在ｎ－Ｓｉ（１１１）上生长了ＣｏＳｉ２超薄外延膜．厚度为１０～２０ｎｍ的ＣｏＳｉ２薄膜的结构特性已由ＡＥＳ、ＲＨＥＥＤ及ＲＢＳ作了研究．实验结果表明Ｃｏ的淀积率对ＣｏＳｉ２单晶生长来......
<正> 巴黎第十一大学位于巴黎市近郊的ORSAY,已有近百年的历史。该大学在光学技术研究方面享有相当高的声誊,我们参观了该校电机系......
利用低能离子束外延技术，在400℃条件下生长样品光致发谱出现三个峰，即1.5042eV处的GaAs激子峰、1.4875eV处的弱碳峰和低能侧的一宽......
研究Si的室温晶化生长对微电子应用技术是十分重要的.本文采用离子束外延技术制备了一系列的Si/Ge多层膜结构,对样品进行X射线和拉......
