第三代半导体相关论文
以我国移动通信发展场景阐述走中国式现代化发展道路的重要意义。从基层通信员工的视角回顾我国移动通信发展经历的1G空白、2G跟随......
碳化硅(SiC)是制作高温、高频、大功率电子器件的理想电子材料,近20年来随着外延设备和工艺技术水平不断提升,外延膜生长速率和品质逐......
首先梳理了从国际、国内和省内系统分析了第三代半导体产业发展的现状,剖析了山东发展第三代半导体产业取得的成绩和面临的不足.随......
目前,以SiC、GaN为代表的第三代半导体材料快速发展,我国亟需抓住战略机遇期,实现先进半导体材料、辅助材料的自主可控,保障相关工......
第三代半导体是以碳化硅和氮化镓为代表,具备高频率、高效率、高功率、耐高压、耐高温、高导热等优越性能,是新一代移动通信、新能......
简单回顾了半导体材料的发展历史,并以基于氮化镓的高电子迁移率晶体管为例,介绍了第三代半导体器件的产热机制和热管理策略.以β......
本文结合SiC MOSFET国际标准进展,分析了阈值电压漂移、偏压温度不稳定性、体二极管退化测试标准的制定难点;同时,根据国内外产业......
ZnO是继Si、GaN半导体后的第三代优异半导体,室温下禁带宽度约为3.36eV,而且还具有较高的溶点和激子结合能(室温下为60meV)及良好的......
第三代半导体材料是支撑经济社会发展和保障国家安全的战略性和基础性产业,是国家新材料发展计划的重中之重。“十四五”期间,我国......
半导体材料是信息技术的核心基础材料,一代材料、一代技术、一代产业,半个多世纪来从基础技术层面支撑了信息技术翻天覆地的变化,......
湘江以西,骄阳朗照下的中联智慧产业城一天天“丰满成型”。 该项目总投资约为1000亿元,占地面积超万亩(1亩≈666.7平方米),新建近30......
第三代半导体以碳化硅、氮化镓等材料为代表,已经在5G基站、新能源汽车充电桩等新基建领域崭露头角。第三代半导体加工工艺具有高......
随着社会的发展和科学技术的进步,电子设备和仪器越来越趋向精密化、小型化和高性能化,而效能提升随即带来对导热散热的高需求。其......
从2英寸、3英寸、4英寸到如今的6英寸碳化硅单晶衬底,陈小龙团队花了10多年时间,在国内率先实现了碳化硅单晶衬底自主研发和产业化......
据中国电子报消息,教育部光电材料与器件工程研发中心已落户江西方大福科信息材料有限公司。教育部光电材料与器件工程研究中心是......
半导体材料与技术是推动信息时代前进的原动力和发动机,是现代高科技的核心与先导。半个多世纪的实践表明IT产业的每一次重大发展......
据新华网报导,一块薄如纸、面积只有小米粒大小的芯片可以发出耀眼的光芒,在大白天也像闪烁的星星一样光芒四射。由深圳方大集团......
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据新华社日前报道,上海硅酸盐研究所20余台具有自主知识产权的碳化硅晶体生产炉已成功稳定生产高质量碳化硅晶体。据碳化硅晶体项......
道·康宁复合半导体方案公司于近日称己与美海军研究局签订了一份价值360万美元的合同,开发碳化硅半导体材料技术。据悉,作为第三......
由北京第三代半导体材料及应用联合创新基地牵头,联合天津、河北两地第三代半导体技术创新战略联盟的京津冀第三代半导体联合创新......
1月12日下午,第三代半导体电力电子器件模组、封装和散热技术研讨会在北京召开,LED业内三安光电、鸿利光电、英飞凌等企业参加了研......
厦门市芯光润泽科技有限公司第三代半导体SiC(碳化硅)功率模块研发及产业化项目昨日在翔安高技术园区举行开工仪式,规划总投资20亿......
北京市第三代半导体材料及应用工程技术研究中心,定位于首都第三代半导体新材料、新器件和新应用的工程化研究平台,解决该领域的行......
碳化硅材料以其优异的性能被行业列为第三代半导体材料,其击穿场强是硅的10倍,热导率是硅的2.5倍。用碳化硅材料制作的MOS器件可在......
随着世界科技技术的不断发展,由半导体材料组成的电子通信等产品进入到我们的日常生活中,成为了我们日常生活中必不可少的组成部分......
近年来随着第三代半导体的快速发展,通讯电子技术发生了翻天覆地的变化。尤其是其应用场景越发的趋向于多频,大功率的环境,而能同......
为了满足第三代半导体低温封装、高温服役的要求,纳米金属颗粒烧结封装互连逐渐替代传统钎料回流焊工艺,而高致密度烧结是实现高可......
第三代半导体材料碳化硅(SiC)因其禁带宽度大、热稳定性强、热导率高、抗辐射能力强等优点,以耐高温、高压、高频著称,在功率半导......
半导体材料,作为半导体技术的基础和支撑,从半导体科技发展以来就扮演着重要的角色。自1947年,世界上第一只半导体锗(Ge)材料晶体......
今年2月,科技部高新司发布了《关于对“十四五”国家重点研发计划“氢能技术”等18个重点专项2021年度项目申报指南征求意见的通知......
经过近一年的推进工作,美国罗格斯大学赵建辉教授的第三代半导体碳化硅(SiC)外延及器件产业化项目,目前已确定落户中关村海淀园。......
ZnO作为第三代半导体功能材料,一直受到国内外的广泛关注。高质量的p型掺杂是基于光电器件应用的关键。综述了获得p型ZnO薄膜的制......