等效氧化层厚度相关论文
在国内首次将等效氧化层厚度为1·7nm的N/O叠层栅介质技术与W/Ti N金属栅电极技术结合起来,用于栅长为亚100nm的金属栅CMOS器件的......
本文成功地制备出等效氧化层厚度为亚2nm的N/O叠层栅介质膜,并将其与W/TiN难熔金属栅电极技术结合起来,成功地制备出高质量的超薄N......
随着集成电路技术的发展,器件尺寸不断减小,为半导体器件建立精确的模型以模拟器件特性对微电子技术的发展是一件非常重要的工作.......
随着晶体管尺寸的持续缩小，不断增加的晶体管密度与工作频率造成集成电路散热量急剧增大，互连寄生效应成为影响芯片功耗与速度的关键......
分两步提取了HfO2高k栅介质等效氧化层厚度(EOT).首先,根据MIS测试结构等效电路,采用双频C-V特性测试技术对漏电流和衬底电阻的影......
Datong-Qinhuangdao line, as the first electrified double-track heavy-haul line dedicated to coal transport in China, ext......
随着微电子技术的飞速发展，按照摩尔定律发展的要求，SiO2的极限厚度已经成为Si基集成电路提高集成度的瓶颈。寻求代替SiO2的其它新一......
深入研究了亚30nm CMOS关键工艺技术,特别是提出了一种新的低成本的提高空穴迁移率的技术--Ge预非晶化S/D延伸区诱生沟道应变技术,......
在国内首次将等效氧化层厚度为1.7nm的N／O叠层栅介质技术与W／TiN金属栅电极技术结合起来，用于栅长为亚100nm的金属栅CMOS器件的制备．为......
研究了高质量超薄氮化硅／氮氧化硅(N／O)叠层栅介质的金属栅pMOS电容的电学特性，制备了栅介质等效厚度小于2nm的N／O复合叠层栅介质，该栅......
分两步提取厂HfO2高κ栅介质等效氧化层厚度（EOT），首先，根据MIS测试结构等效电路，采用双频C-V特性测试技术对漏电流和衬底电阻的影响进......
该研究2013年度主要围绕研究高迁移率半导体表面态及钝化机理,探索热力学稳定的高k栅介质材料方面,主要开展解决等效氧化层厚度表......
从19世纪80年代以来,随着互补金属氧化物半导体集成电路技术的发展,微电子行业的发展也取得了巨大的成功。随着摩尔定律的发展,金......
