红外探测材料相关论文
InGaAs/GaAsSb Ⅱ类超晶格是一种新型的中短波红外材料，通过调整该体系材料的能带结构可以实现2um到4um波段覆盖，目前被广泛用于......
采用快速蒸发并冷却衬底的方法,在不同衬底结构上制备出了电阻温度系数(TCR)优于0.25%的红外探测用非晶Ti薄膜。通过表征分析了氧......
锑化物 Ⅱ 类超晶格材料特殊的能带结构使得其在理论上具有诸多优势，如探测波段覆盖广、对垂直入射光有响应、设计自由度高、截......
金属硫属化合物因为具有多样的晶体结构和丰富的物理性质而被广泛应用于二阶非线性光学、太阳能电池、锂离子电池、热电材料、......
InAs/GaSb超晶格材料具有典型的Ⅱ型能带结构,其微带带隙覆盖2μ m～30μm的整个中红外波段,且材料自身对红外探测材料中的俄歇复合......
会议
为了减小长波、甚长波Ⅱ类超晶格的晶格失配、降低材料的生长难度和缺陷密度,我们课题组开展了基于InAs衬底的InAs/GaSbⅡ类超晶格......
会议
红外技术对高性能、低成本红外探测器的应用需求，决定了对高品质的红外探测材料及其器件不断的追求、探索与发展。量子阱低维红外探......
InGaAs是直接带隙材料，具有高电子迁移率、低背景载流子浓度、均匀的厚度、平整的界面，良好材料稳定性，是一种理想短波红外探测器材料......
在光探测方面,作为红外热探测的硅基薄膜,具有资源丰富、成本低廉、大面积均匀性好的优点,且它还可同硅微电子集成兼容,已成为当今......
本文工作围绕新型红外探测材料和结构的相关机理及测试方法展开，在红外探测方面，研究了MFMIS新型红外探测结构和InSbN新型红外探测材......
Si基红外探测材料,特别是非晶SiGe薄膜,其均匀性好、成本低廉、并可同现代大规模微电子技术实现单片集成,是近年来红外探测材料研......
本文采用离子束溅射方法制备Si/Ge多层膜红外探测材料。通过改变生长温度、溅射速率，掺杂等因素来得到一系列Si/Ge多层膜红外探测材......
简要地阐述了红外探测器的发展趋势,在此基础上,重点在理论上介绍了碳纳米管作为红外探测材料的可行性,并介绍了一种基本的像元结......
通过改变反应时间和添加不同浓度的矿化剂等反应合成条件，用水热法制备得到了结晶完整、粒度分布均匀的片状和针状钛酸铅微粒子。......
采用正电子湮没寿命谱方法，对空间微重力及重力条件下生长的碲镉汞材料中的微观缺陷进行了研究。结果表明，在空间微重力条件下生长的......
我们利用稀土直接掺杂工艺,通过向带隙宽为4～5eV的ⅡA-ⅥA族化合物中掺入稀土离子Eu、Sm,合成了电子俘获材料(ETM-Electron Trappin......
在定量估算的基础上，明确了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ晶体ＡＣ－ＲＴ－Ｂ法生长过程轴向溶质再分配的 经条件，导出了计算公式。以ＨｇＴｅ－ＣｄＴｅ伪二元相图为基础进行了计算表明，按照远红外......
许多材料可以应用于红外探测技术中,目前,较为成熟的红外探测技术中采用的是半导体材料。并且伴随着红外技术不断创新发展,红外线......
本文首先阐述了探测材料，特别是非制冷红外探测材料对于经济发展、社会进步与国防巩固等的重要战略意义，然后介绍了当前世界非制冷红......
采用离子束溅射方法在Si衬底上制备Si／Ge多层膜，通过改变生长温度、溅射速率等因素得到一系列Si／Ge多层膜样品；通过X射线衍射、Raman散......
用热力学原理探讨了Ｈｇ－Ｃｄ－Ｔｅ固气两相平衡体系中材料参数和系统状态参数间的相互关系，给出了定量描述这些相互关系的理认计算公式和计算方法......
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采用离子束溅射方法在Si衬底上制备Si／Ge多层膜。通过改变生长温度、溅射速率等因素得到一系列Si／Ge多层膜样品。通过X射线衍射、拉......
