线性缓变结相关论文
主要介绍了专用ＣＭＯＳ电路中采用齐纳二极管降低并稳定电压，保证电路的正常工作并降低功耗，拓宽了 ＣＭＯＳ混合电路的应用范围。
The introductio......
通过有效掺杂浓度梯度的定义和耗尽近似求解 ,得到非对称线性缓变结击穿电压的简洁表达式。借助计算的有效掺杂浓度梯度和双边对称......
采用液相外延(LPE)生长的中波Hg Cd Te薄膜,基于B离子注入n-on-p平面结技术,制备了LBIC测试结构和I-V测试芯片并进行了相应的测试......
本文简述硅半导体功率器件的应用及发展现状,并以高反压大功率晶体管3DD260(3DA58)为例进行设计计算,同时介绍该器件的制造工艺。
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内建电势是金属-半导体接触和P-N结半导体的基本物理参数之一.虽然理论上已对Ge、Si及GaAs等材料在单边突变结和线性缓变结两种特......
本文从结电容放电的观点探讨注入电流脉冲结束后p—n结不稳态的异常衰减过程。分析指出:在小注入条件下,结暂态电压有两种异常衰减......
一、引言 1955年Lederhandler等发现,注入电流脉冲结束后某些p-n结开路电压的衰减并不遵从简单的规律(本文(6)式),其衰减曲线呈驼......
