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铁素体区热轧退火生产含磷高强IF钢较传统工艺可缩短生产流程,降低成本,然而,目前对于含磷高强IF钢铁素体区热轧工艺的研究却并不......
通过对TA18合金进行不同工艺的退火实验，得到去应力退火温度、保温时间对成品管材退火后力学性能的影响，并从理论上分析讨论了产......
利用快速光照退火方式在氯化锌气氛下对工业化生产的CdTe 多晶薄膜进行了不同条件下退火实验,并且对样品进行了XRD、SEM 等分析.将......
利用MULTIPAS多功能连续退火模拟机进行DP钢在不同温度下的退火实验，探索连退加热温度对DP钢性能的影响。通过实验指导本钢浦项......
透明导电氧化物（TCO）薄膜是一种同时拥有优异的导电性能与可见光区的高透光性的功能薄膜材料。由于这种特殊性质，透明导电薄膜被广泛......
集成电路工艺的不断发展使得器件的特征尺寸接近电子的德布罗意波长,量子效应变得十分明显。电子的直接隧穿效应将导致栅介质的泄......
作为一种非常重要的半导体材料，ZnO材料的各种性质已经被广泛的研究和应用。但是由于ZnO材料在制备的过程中，会产生很多杂质和缺陷，导......
燃料板的鼓泡临界温度是制定研究试验堆安全系数的标准之一,通常由鼓泡退火实验确定.针对鼓泡退火实验,本研究发展了一种对UMo/Zr......
期刊
采用热活化技术,用E'心的电子自旋共振信号估算出沉积物中石英氧空位心的平均寿命.实验结果表明,二级动力学方程更适于沉积物......
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文章对10nm和20nm两种厚度的ZrO2介质金属-绝缘体-金属（MIM）电容器在退火条件为420℃下（在N2/H2气氛中退火5min）前后的性能作了对比研......
在航天辐射环境中,电离辐射产生的辐射效应会对电子元器件性能产生影响。文章对自主研发的SRAM型FPGA芯片在60Co-γ源辐照下的总剂......
