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通过制备栅内不同掺杂条件的Ni全硅化金属栅电容并分析其C-V和Vfb-EOT特性发现,Ga和Yb较常规的杂质而言具有更好的栅功函数调节能......
到了45纳米技术节点,高介电常数绝缘材料和金属栅电极将被用于制造逻辑电路器件。而采用高金属功函数和能隙工程电荷陷阱的闪存也......
更小、更脆的结构及新材料的主导地位,对清洗技术提出了更高的要求,在技术解决方案上需要更多结合使用各种方法,包括湿法和干法技......
自上世纪60年代以来,集成电路、微电子技术一直遵循着摩尔定律快速发展,CMOS器件的尺寸始终按照一定的比例不断缩小,传统Si02尺寸......
传统的栅介质材料SiO2不能满足CMOS晶体管尺度进一步缩小的要求,因此高介电栅介质材料在近几年得到了广泛的研究,进展迅速.本文综......
