铬薄膜相关论文
金属铀的化学性质十分活泼,极易发生氧化腐蚀.为改善基体的抗腐蚀性能,采用非平衡磁控溅射离子镀技术在金属铀表面制备Cr/CrN多层......
顶发射发光器件由于在实现有源驱动平板显示时不影响显示器件开口率,近年来引起了很多研究小组的广泛注意。传统有机发光器件一般由......
用直流磁控溅射技术在石英基片上制备不同厚度(5 nm~114 nm之间)的铬膜.使用X射线衍射仪和分光光度计分别检测薄膜的结构和光学性质......
点火电路是MEMS固体化学微推进器中最重要的组成部分,其点火电压的大小及点火可靠性则主要取决于点火电阻.国内外均采用多晶硅(polysi......
通过将Cr金属电镀到一根发针形W丝的尖端,来制造一种简单结实的Cr蒸发器。离蒸发器5cm下,可获得高达10nmmin^-1的沉积速率,总沉积厚度超过400nm。对沉积在超高......
答:镀铬过程中,由于碱式铬酸铬薄膜在阴极表面不断生成,而硫酸铬离子不断跑向阴极去溶解碱式铬酸铬薄膜,成膜和溶解的过程在阴极表面上......
答:镀铬液中一定量的三价铬是必要的。它可以与硫酸根生成促使阴极碱式铬酸铬薄膜溶解的硫酸铬,从而起到在低电流密度下促进铬层沉......
本文介绍采用石英晶体测厚仪测得铬靶不同方位上的溅射沉积速率,试验结果表明不同方位上的沉积速率为正态分布,其表达式为 y=66exp......
应用空心阴极离子镀膜技术,制备了纯铬薄膜样品,样品可在不同的测量和时间下进行退火处理。同时庆用椭圆偏振测量术的多角入射法对Cr薄......
用直流磁控溅射技术在石英基片上制备不同厚度(5nm~114nm之间)的铬膜.使用X射线衍射仪和分光光度计分别检测薄膜的结构和光学性质,......
Effect of Oxygen Pressure on the Optical, Morphology and Structural Properties of TiO2: Cr Thin Film
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Applying negative bias voltages caused significant microstructure changes in arc ion plated CrN films. Nanocrystalline m......
采用电子束蒸发的方法在200℃抛光的氮化铝(AlN)陶瓷衬底上淀积200nm的Cr膜,并在高真空中退火。利用MCs+-SIMS技术(在Cs+一次离子轰击下检测MCs+型二次离子)对样品进行......
利用磁控溅射技术,在不同偏压条件下在Si(001)基底上沉积了金属Cr薄膜样品。用同步辐射装置对样品进行了X-射线反射率测试,采用X-射......
由于具有高硬度,良好的耐磨性和抗腐蚀性,由电化学过程制取的硬Cr涂层已经大量用于工程构件和光学、表面装饰等领域中.......