隧道氧化层相关论文
本文对浮栅存储器的总剂量辐射效应进行详细分析和讨论，主要内容包括浮栅存储器控制电路和存储单元的总剂量辐射效应。指出：总剂量辐......
本文利用MOS电容测试结构研究了恒定电流应力下击穿电荷量QBD的特性.研究表明QBD与电流密度和电流方向有关.QBD随着电流密度的增大......
本文在测试分析N+埋层-隧道氧化层-多晶硅电容（N+OP电容）、P衬底-隧道氧化层-多晶硅电容（POP电容）和EEPROM单元隧道氧化层电容（TOP电容）......
研究人员开发了一种新型的CMOS工艺技术，实现了在CMOSIC制造中嵌入EEPROM的制造技术。此新工艺制造的是双层多晶硅的EEPLD，与传统的......
随着我国市场经济的发展，IC卡得到越来越广泛的运用。卡中EEPROM存储器的优劣深刻影响IC卡的性能。隧道氧化层的退化是引起EEPROM可......
随着器件尺寸缩小至亚微米，器件的稳定性和可靠性就显得更加重要。当电荷进出于浮栅下方的隧道氧化层时，氧化层逐渐失效，期间产生的陷......
讨论了斜坡电流测试的相关参数如电流斜坡速率、步长及电流倍增速率对测试结果击穿电荷具有的严重影响。指出斜坡电流测试中各个参......
在电容测量的基础上研究了薄隧道氧化层在恒定Fowler-Nordheim(F-N)隧穿电流下的退化情况.这种退化是恒流应力和时间的函数,对恒流......
本文首先从理论上分析ＦＬＯＴＯＸ ＥＥＰＲＯＭ隧氧化层中陷阱俘获电荷对注入电场和存储管阈值电压的影响，然后给出了在不同擦写条件下ＦＬＯＴＯＸＥＥＰＲＯＭ存储管的阈值电压与......
本文从研究不同单元尺寸浮栅隧道氧化层EEPROM在不同状态、不同温度保存下阈值电压的变化入手 ,论述了浮栅隧道氧化层EEPROM中浮栅......
本文采用恒定电流应力的ＱＢＤ测试来描述超薄隧道氧化层的质量。Ｅ＾２ＰＲＯＭ失效的内在机理是由于隧道氧化层中的电荷陷阱。并同时给同了ＱＢＤ的测试方法......
详细研究了Ｎ＾＋埋层－隧道氧化层－多晶硅电容和Ｐ型衬底－隧道氧化层－多晶硅电容在高场应力下的高频Ｃ－Ｖ特性和Ｉ－Ｖ特性的漂移，以及两种电容在隧道氧化层......
介绍了EEPROM的电学模型，模拟分析了阈值电压变化与写入时间、写入电压、隧道孔面积、浮栅面积的关系．根据模拟结果，采用0．6μm CMOS工......
文章讨论了等离子体损伤造成的EEPROM电路失效，从隧道氧化层质量、器件结构、PECVD、等离子体腐蚀几方面分析了工艺中造成等离子体......
本文在测试分析N+理层—隧道氧化层一多晶硅电容（N+OP电容）、P衬底一隧道氧化层一多晶硅电容（POP电容）和EEPROM单元隧道氧化层电容（TOP......
近些年来,随着家用电器、个人电脑、照相机以及智能掌上移动设备等产品的快速增长,IC产业几乎融入了人们生活的方方面面。其中不挥......
单片微型机(Single Chip Microcomputer),简称单片机,又称微控制器(MCU-Micro Controller Unit),具有体积小、功能强、性能全面、......
