SOI MOSFET器件具有速度高、功耗低、抗辐照能力强、温度稳定性好等诸多优点，在军工、航空航天等众多领域有着广阔的应用前景。但迄今为止，SOI MOSFET器件的理论还很不完善，严重制约着它的发展。鉴于此，本文对SOI MOSFET器件的静态特性做了较全面的理论研究。 论文分析了SOI MOSFET器件的结构及不同前、背栅压的条件下薄膜双栅SOI MOSFET的器件特性； 论文提出了一种新的解析电流模型。该模型根据正、背面栅氧化层具有不同的参数，得到一个通用的薄膜双栅SOI MOSFET阈值电压附近的电流模型。模型所得的结果与实验结果吻合较好，由此分析了不同参数对漏源电流的影响。 论文还建立了薄膜全耗尽型SOI MOSFET的阈值电压的解析模型。根据这个模型，分析了硅膜的厚度、掺杂浓度，前栅及背栅二氧化硅层厚度，温度等参数对薄膜全耗尽型SOI MOSFET器件阈值电压的影响。获得的结果表明硅膜掺杂浓度及前栅厚度是影晌器件阈值电压的关键因素。 最后论文较全面的研究了不同类型的SOI MOSFET器件的击穿特性。分析了不同击穿类型的形成机理及击穿电压的计算公式，并利用计算机模拟验证了不同参数下计算公式的正确性。