【摘 要】
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为了研究SiN盖帽层在Si中引入应变的机理与控制,利用高分辨X射线衍射(HRXRD)技术分析了Si中应变的各向异性以及与盖帽层厚度的关系。研究发现,盖帽层厚度低于300nm时,应变量
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
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为了研究SiN盖帽层在Si中引入应变的机理与控制,利用高分辨X射线衍射(HRXRD)技术分析了Si中应变的各向异性以及与盖帽层厚度的关系。研究发现,盖帽层厚度低于300nm时,应变量与厚度呈近线性关系,随后增加趋缓,最终达到一饱和值;同时,应变在不同晶向表现出明显的各向异性,表层应变Si与未应变Si衬底在(004)晶面上的衍射峰重叠在一起,而(111)晶面的2个衍射峰可明显地被分离,且倾角对Si衬底衍射峰半高宽具有明显的展宽。
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