应变硅相关论文
应变硅技术是现代半导体的一项关键技术,可以有效提升器件的载流子迁移率以及性能。应变硅技术已大规模应用于先进CMOS工艺中,同时......
学位
应变硅技术可以提升载流子的迁移率,是提高半导体器件性能的关键技术之一。自1990年代首次实现应变硅MOSFET以来,应变硅技术已被认......
随着智能终端的出现以及新型业务的迅猛发展,网络中的信息流量一直处于爆炸式增长中,作为移动网络、互联网以及物联网的物理承载层......
应变硅能够提高电子和空穴的迁移率，有希望成为高性能金属-氧化物-半导体场效应管(MOSFETs)的n型和p型沟道材料。以绝缘体上弛豫的S......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
为了研究SiN盖帽层在Si中引入应变的机理与控制,利用高分辨X射线衍射(HRXRD)技术分析了si中应变的各向异性以及与盖帽层厚度的关系......
本文分析了微电子新技术Strained-SOI MOS器件的基本结构,讨论了用注氧隔离的方法制备器件的方法与步骤,阐述了Strained-SOI MOS器......
应变Si(Strain Si)调制掺杂NMOSFET量子阱沟道中电子面密度直接影响器件的开关特性.本文通过求解泊松方程,建立了应变Si调制掺杂NM......
本文报道了利用有限元计算和动力学大角度会聚束电子衍射模拟的方法研究了应变硅场效应晶体管沟道中的应变分布.沟道压应变是利用......
期刊
应变Si CMOS技术是当前研究发展的重点,其材料的能带结构是研究设计高速/高性能器件和电路的理论基础.基于密度泛函理论框架的第一......
应变硅技术通过在沟道区引入适当的应变,达到提高载流子迁移率、改善MOS器件性能的目的。利用有限元法,研究了一种基于SGOI与氮化......
在分析(111)Si基应变材料[应变Si/(111)Si1-xGex、应变Si1-xGex/(111)si]能带结构的基础上,获得了其态密度有效质量与应力及温度的......
期刊
成功地试制出薄虚拟SiGe衬底上的应变Si pMOSFETs.利用分子束外延技术在100nm低温Si(LT-Si)缓冲层上生长的弛豫虚拟Si0.8Ge0.2衬底......
基于有限元方法对一款具有SiGe源/漏结构的纳米PMOSEFT进行了建模与分析,沟道应变的计算结果与CBED实验测量值呈现良好的一致性,最......
应用减压化学气相沉积技术，在弛豫Si0．7Ge0．3层／组分渐变Si1-xGex层／Si衬底这一多层复合结构的基础上制作了应变硅材料，其中组分渐变Si1-......
基于泊松方程和边界条件,推导了对称三材料双栅应变硅金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET:metal oxide semiconductor field eff......
提出了一种非对称双栅应变硅HALO掺杂沟道金属氧化物半导体场效应管结构.该器件前栅和背栅由两种不同功函数的金属构成,沟道为应变......
应变Si技术是当前微电子领域研究发展的热点和重点,态密度是其材料的重要物理参量。基于应变Si/（100）Si1-xGex能带结构和载流子有效......
应变Si材料的能带结构是研究设计高速／高性能器件和电路的理论基础。采用结合形变势理论的K．P微扰法建立了（001）面弛豫Si1-xGex衬底上......
建立了一种基于硅／锗硅异质结构的应变硅NMOS晶体管的有限元模型，通过模拟研究了沟道区的应变分布及其与器件参数的关系。结果表明，提......
针对Si/SiGe pMOSFET器件结构求解泊松方程,同时考虑器件尺寸减小所致的物理效应,如漏致势垒降低（DIBL）效应、短沟道效应（SCE）和速度过......
研究了应变Si沟道引入对薄膜全耗尽SOI MOSFET器件特性的影响，并分析了器件特性改进的物理机理。与传统的SOI MOSFET结构相比，器件的......
介绍集成电路制造技术90 nm最新工艺的一些动态及采用的新技术,如应变硅、50 nm晶体管栅极长度,并对今后集成电路的发展做了简单展......
利用减压化学气相沉积技术,制备出应变Si/弛豫Si0.9Ge01/渐变组分弛豫SiGe/Si衬底.通过控制组分渐变SiGe过渡层的组分梯度和适当优......
提出了一个应变硅沟道电子迁移率解析模型．模型以应变张量为对象研究应变硅沟道电子迁移率，因此与工艺相独立；适用于施加双轴应力及〈......
1 半导体硅工业的发展随着社会的发展,直到20世纪时,世人才发现硅具有半导体的性质.这些性质包括其电阻率随着温度的增加而递减、......
应变硅已成为延伸摩尔定律(Moore’s Law)的重要技术手段之一。综述了应变硅技术的发展及趋势。首先,从物理理论上分析了应变对硅......
应变硅技术具有迁移率高、能带结构可调的优点,且与传统的体硅工艺相兼容,在CMOS工艺中得到广泛地应用,尤其是MOS器件的尺寸进入纳......
对于具有超薄的氧化层的小尺寸MOSFET器件，静态栅隧穿漏电流的存在严重地影响了器件的正常工作，基于新型应变硅材料所构成的MOSFET器......
研究了生长在弛豫Si0.79Ge0.21/梯度Si1-xGex/Si虚拟衬底上的应变硅材料的制备和表征，这一结构是由减压外延气相沉积系统制作的.根......
使用TCAD仿真工具Sentaurus在45 nm节点工艺下模拟研究了包含多应力结构的应变Si CMOS器件。模拟所得的开关电流比与相同节点工艺......
详细介绍了应变Si技术产生的起因及特性、应变Si器件的优势、应变Si器件应用中存在的问题并对应变Si技术的市场应用前景作了简单的......
SOI以其独特的隔离埋层结构实现了器件、电路的全介质隔离,因此具有漏电小、电容小、免疫闩锁、响应快、功耗低等优点,在快速数字......
弹性应变工程是指通过改变材料弹性应变的大小来调控和优化其物化性能的技术。人们早在1950年左右就发现弹性应变可以大幅提高单晶......
<正>当晶体管尺寸达到45nm以后,传统的等比例缩小方法很快就会碰壁。随着电流密度的增大,迁移率的提升成为保持晶体管性能的关键,......
SGOI（SiGe-on insulator, SGOI）材料同时具备SiGe材料和SOI材料的双重特点,因而成为应变硅技术应用的新型衬底材料。利用SGOI材料作......
应变硅材料迁移率高、能带结构可调,且其应用与硅工艺兼容,是当前国内外关注的研究领域和研究发展重点,在高速/高性能器件和电路中......
学位
当半导体技术进入90 nm技术节点之后,仅仅缩小晶体管的沟道长度来提升集成电路性能的发展路线已经难以为继。应变硅技术、高介电常......
随着半导体工艺技术的不断进步,金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)的特征......
首先使用改良型Ge浓缩法制备了绝缘体上锗硅圆片，然后在超薄弛豫SiGe层上，利用超高真空化学气相沉积法外延了单晶硅薄膜，获得一系列不......
<正>4.SOI的应用领域4.1SOI的高端应用—8英寸和12英寸的薄膜SOI国际SOI市场95%的应用集中在8英寸(1英寸=25.4毫米)和12英寸大尺寸......
鉴于应变硅技术在当今集成电路领域的广泛应用，本论文利用基于密度泛函理论的第一性原理计算集中研究了应力对体硅和硅纳米线物理、......
随着CMOS器件尺寸进入纳米级，传统器件所用的材料已经接近它们的物理极限和工艺极限，所以探索新型器件材料、研究新型器件结构已经成......
对应变硅pMOS反型层中的空穴迁移率进行了理论研究.使用应力相关的6能带k·p模型,自洽地求解垂直于沟道方向的一维薛定谔方程与泊......
摩尔定律问世40多年以来,半导体制造工艺基本按照该定律在飞速地发展中,由于器件尺寸的不断减小引入新的问题和挑战,传统的依靠等......
