【摘 要】
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在氢化无定形半导体膜的制造上,一般采用冲击放电等等离子化学气相沉积法。由于高能粒子的冲击,使半导体膜表面或内部形成等离子损伤。还因为等离子对反应容器具有正电位,壁
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在氢化无定形半导体膜的制造上,一般采用冲击放电等等离子化学气相沉积法。由于高能粒子的冲击,使半导体膜表面或内部形成等离子损伤。还因为等离子对反应容器具有正电位,壁的“飞溅”就成为
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