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[会议论文] 作者：宗婉华;,
来源：第十一届全国电子束、离子束、光子束学术年会 年份：2001
本文采用RF反应磁控溅射技术,探索了新型难熔栅W/WN工艺制备技术.通过大量的工艺实验和SEM,XRD,SIMS,XPS等测试分析手段对影响WN,WN/GaAs特性的溅射条件进行了系统研究.揭示...
[期刊论文] 作者：宗婉华,马振昌,
来源：半导体情报 年份：1994
研究了在半绝缘ＧａＡｓ衬底上磁控溅射ＳｉＯ＿２薄膜的工艺技术。对影响生长薄膜的因素进行了实验分析，给出了生长速率、腐蚀速率及组分等参数与工艺条件的关系。实验证明，和其它镀膜技术相比，磁......
[期刊论文] 作者：马振昌,宗婉华,
来源：半导体情报 年份：2000
探索了新型难熔栅Ｗ／ＷＮ工艺制备技术，通过ＳＥＭ，ＸＲＤ，ＳＩＭＳ，ＸＰＳ等手段对ＷＮ，ＷＮ／ＧａＡｓ特性作了分析。结果表明，溅射气压和Ｎ分压对Ｗ，ＷＮ薄膜特性有着显著影响，通过工艺条件的优化，制备的Ｗ／ＷＮ膜厚为３６０ｎｍ，方块分压为０．５１Ω。利用ＳｉＯ２作为退火包封层......
[会议论文] 作者：宗婉华,马振昌,
来源：第四届全国固体薄膜学术会议 年份：1994
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[期刊论文] 作者：宗婉华,马振昌,王立侠,
来源：半导体情报 年份：1994
研究了在半绝缘ＧａＡｓ衬底上磁控溅射ＳｉＯ＿２薄膜的工艺技术。对影响生长薄膜的因素进行了实验分析，给出了生长速率、腐蚀速率及组分等参数与工艺条件的关系。实验证明，和其它镀膜技术相比，磁......
[期刊论文] 作者：王立侠,梁春广,马振昌,宗婉华,
来源：半导体情报 年份：1994
对ＷＳｉ＿ｘＮ＿ｙ薄膜的制备工艺以及Ｎ＿２分压对ＷＳｉ＿ｘＮ＿ｙ膜的组分、结构、应力、电阻率等方面的影响作了分析研究。尝试性地对淀积完毕真空室中充Ｎ＿２造成靶面氮化的情况作了实验分析。ＡＥＳ测试了膜的组分，ＸＲＤ分析了......
[会议论文] 作者：王永强,赵太平,秦国刚,马振昌,宗婉华,
来源：第十二届全国半导体物理学术会议 年份：1999
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[期刊论文] 作者：马振昌,宗婉华,衡成林,秦国刚,吴正龙,
来源：微纳电子技术 年份：2002
利用硅-SiO2复合靶,RF磁控溅射技术制备了三种富硅量不同的SiO2薄膜,并在较大的温度范围内进行了退火.利用X射线光电子能谱,对刚淀积的样品进行了分析,结果表明三种样品都存...
[期刊论文] 作者：孙永科,衡成林,王孙涛,秦国刚,马振昌,宗婉华,
来源：物理学报 年份：2000
利用射频磁控溅射方法 ,在n+ Si衬底上淀积SiO2 /Si/SiO2 纳米双势垒单势阱结构 ,其中Si层厚度为 2至 4nm ,间隔为 0 .2nm ,邻近n+ Si衬底的SiO2 层厚度固定为 1.5nm ,另一...
[期刊论文] 作者：孙永科,崔晓明,张伯蕊,秦国刚,马振昌,宗婉华,
来源：半导体学报 年份：2001
以磁控溅射方法于 p- Si上淀积富硅二氧化硅 ,形成富硅二氧化硅 /p- Si结构 ,用金刚刀在其正面刻划出方形网格后在 N2 气氛中退火 ,其光致发光 (PL)谱与未刻划的经同样条件退...
[期刊论文] 作者：王孙涛,陈源,张伯蕊,乔永萍,秦国刚,马振昌,宗婉华,
来源：半导体学报 年份：2004
利用射频磁控溅射方法，制成纳米SiO2层厚度一定而纳米Si层厚度不同的纳米(SiO2/Si/SiO2)/p-Si结构和纳米(SiO2∶Al/Si/SiO2∶Al)/p-Si结构，用磁控溅射制备纳米SiO2∶Al时所用的...
,Dependence of 1.54 μm Photoluminescence on Excess-Si Degrees of Er-Doped Si-Rich SiO2 Films Deposit
[期刊论文] 作者：冉广照,陈源,秦国刚,马振昌,宗婉华,谢立青,郭春刚,
来源：中国物理快报(英文版) 年份：2001
Room-temperature 1.54 μm photoluminescence (PL) is observed from Er-doped Si-rich SiO2 (SiO2:Si:Er) films deposited by using the magnetron sputtering technique...
[期刊论文] 作者：马书懿,秦国刚,马振昌,宗婉华,吴正龙,姚光庆,孟祥提,
来源：半导体学报 年份：1998
以硅－二氧化硅复合靶作为溅射靶，改变靶上硅民总靶面积比为０％，７％，１０％，２０％和３０％，用射频磁控溅方法在ｐ型硅底上淀积了五种富硅量不同的二氧化硅薄膜，所有样品都在３００℃氮气氛中退火３０分钟，通过Ｘ射线光电子能......
[期刊论文] 作者：陈源,冉广照,戴 伦,袁放成,秦国刚,马振昌,宗婉华,吴正龙,
来源：红外与毫米波学报 年份：2002
用磁控溅射法在n+-Si衬底上淀积掺铒的富硅氧化硅(SiO2∶Si∶Er)薄膜,并制备了Au/SiO2∶Si∶Er/n+-Si发光二极管,观测到这种发光二极管的1.54μm电致发光强度是在掺铒二氧化...
[期刊论文] 作者：马书懿,张伯蕊,秦国刚,韩和相,汪兆平,李国华,马振昌,宗婉华,
来源：物理学报 年份：1998
以锗二氧化硅（ＧＳＯ）复合靶作为溅射靶，改变靶上锗与总靶面积比为０％，５％和１０％，用射频磁控溅射方法在ｐ型硅衬底上淀积了含锗量不同的三种二氧化硅薄膜．各样品分别在氮气氛中经过３００至９００℃不同温度的退......
[期刊论文] 作者：袁放成,冉广照,陈源,戴伦,乔永平,张伯蕊,秦国刚,马振昌,宗婉华,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2002
在 n+ -Si衬底上用磁控溅射淀积掺 Er氧化硅 (Si O2 :Er)薄膜和掺 Er富硅氧化硅 (Six O2 :Er,x>1 )薄膜 ,薄膜经适当温度退火后 ,蒸上电极 ,形成发光二极管 (LED)。室温下在...
[期刊论文] 作者：袁放成,冉广照,陈源,张伯蕊,乔永平,傅济时,秦国刚,马振昌,宗婉华,
来源：物理学报 年份：2001
用磁控溅射淀积不同富Si程度的掺Er富Si氧化硅薄膜 .室温下测量其光致发光谱 ,观察到各谱中都含有 1.5 4和 1.38μm两个发光峰 ,其中 1.5 4和 1.38μm的光致发光峰分别来自Er...
[期刊论文] 作者：王艳兵,孙永科,乔永平,张伯蕊,秦国刚,陈文台,龚义元,吴德馨,马振昌,宗婉华,
来源：半导体学报 年份：2000
将 Si、Ge和 Ar三种离子注入到磁控溅射制备的富硅二氧化硅和热生长的二氧化硅中 ,在 N2 气氛中 ,作 550、 650、 750、 850、 950和 1 0 50℃退火后 ,进行电致发光研究 .对...
[期刊论文] 作者：DAI Lum(戴伦),CUI Xiao-Ming(崔晓明),ZHANG Bo-Rui(张伯蕊),QIAO Yong-Ping(乔永平),MA Zhen-Chang(马振昌),ZONG Wan-Hua(宗婉华,
来源：中国物理快报（英文版） 年份：2003
Electroluminescence (EL) is observed from the Au/Si-rich SiO2 film/p-Si diodes, in which the Si-rich SiO2 films are scored deliberately by a diamond tip. The EL...
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