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[期刊论文] 作者：马振昌,,
来源：核标准计量与质量 年份：2006
本文以中国核工业第二三建设公司建立、运行质量、环境、职业健康安全一体化管理体系的实践为基础,就体系运行过程中表现出来的一些影响体系运行绩效的主要不利因素及大家感...
[期刊论文] 作者：马振昌,
来源：中国核工业 年份：2011
过去的五年是公司从无到有、从小到大、从弱到强，不断发展壮大的五年；是公司内部管理机制逐步向系统化、规范化、制度化完善的五年：是项目建设稳步摧进、硕果累累的五年．作为一名......
[期刊论文] 作者：马振昌,
来源：半导体情报 年份：1995
使用超薄硅界面控制层钝化暴露在空气中的ＩｎＧａＡｓ表面的技术ＰａｓｓｉｖａｔｉｏｎＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙＵｓｉｎｇａｎＵＬｔｒａｔｈｉｎＳｉＩｎｔｅｒｆａｃｅＣｏｎｔｒｏｌＬａｙｅｒｆｏｒＡｉｒ－ＥｘｐｏｓｅｄＩｎＧａＡｓＳｕｒｆａｃｅｓＨｉｄｅｋｉＨ...Passivation Technology of using Ultrathin Si Interface Control for Air-Exposed InGaAs Surfaces Hiide .........
[期刊论文] 作者：M.C.Delinger,马振昌,,
来源：半导体情报 年份：2004
微波集成电路的封装要受到多方面因素的约束。它要求损耗低、介电常数高,也就是射频性能要好。这些特点则往往是机械方面困难的来源。大功率的电路尤其是这样。而且,衬底的...
[期刊论文] 作者：T.J.Maloney,马振昌,,
来源：半导体情报 年份：2004
化合物半导体场效应晶体管做为微波低噪声放大器是很有希望的,然而在诸如GaAs和InP这样的材料中谷间散射对噪声性能的影响仍然是个问题。谷间散射是导带中获得相当高速度的...
[期刊论文] 作者：K.Gamo,马振昌,,
来源：半导体情报 年份：2004
研究了400千电子伏的硒离子以3×10~(12)～2×10~(15)/厘米~2的剂量注入掺铬的半绝缘GaAs衬底中,并在800～1000℃的温度之间退火时,注入层的载流子浓度和迁移率的分布与剂量和退...
[期刊论文] 作者：C.E.Weitzel,马振昌,,
来源：半导体情报 年份：2004
业已证明:在光照下,GaAs MESFET在18MΩ·cm的水中漂洗会导致器件直流特性的迅速退化。水在肖特基势垒栅电极的周围腐蚀出一个槽,其腐蚀速率至少为22 /min。槽的形成明显地增...
[期刊论文] 作者：Haseg.,H,马振昌,
来源：半导体情报 年份：1995
使用超薄硅界面控制层钝化暴露在空气中的ＩｎＧａＡｓ表面的技术ＰａｓｓｉｖａｔｉｏｎＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙＵｓｉｎｇａｎＵＬｔｒａｔｈｉｎＳｉＩｎｔｅｒｆａｃｅＣｏｎｔｒｏｌＬａｙｅｒｆｏｒＡｉｒ－ＥｘｐｏｓｅｄＩｎＧａＡｓＳｕｒｆａｃｅｓＨｉｄｅｋｉＨ.........
[会议论文] 作者：王国全,马振昌,
来源：全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议 年份：1998
该文介绍了GaAs高速集成电路在片瞬态参数测试的技术原理、系统组成。利用该系统对部分GaAs高速电路进行了测试，结果表明，该系统行之有效。...
[期刊论文] 作者：James A.Turner,马振昌,,
来源：半导体情报 年份：2004
X波段砷化镓场效应晶体管的问世,在装架和封装方面向器件和电路的设计制造者提出了许多问题。本文将叙述器件的封装技术,在混合微带电路中器件是如何装架和封装的,以及在砷,...
[期刊论文] 作者：George Gibbons,马振昌,,
来源：半导体情报 年份：1978
虽然确定磷化铟的电子速度-电场特性比GaAs更有利于制作高效率的电子转移振荡器已经有一段时间了,但是直到最近,由于实际器件的制造方法的可控和可重复,这个优点才得以实现...
[期刊论文] 作者：王孙涛,马振昌,等,
来源：半导体学报 年份：2001
利用射频磁控溅射方法，制成纳米SiO2层厚度一定而纳米Si层厚度不同的纳米（SiO2/Si/SiO2）/p-Si结构和纳米（SiO2:A1/Si/SiO2:A1)/p-Si结构，用磁控溅射制备纳米SiO2:A1时所用的SiO2/A...
[期刊论文] 作者：宗婉华,马振昌,
来源：半导体情报 年份：1994
研究了在半绝缘ＧａＡｓ衬底上磁控溅射ＳｉＯ＿２薄膜的工艺技术。对影响生长薄膜的因素进行了实验分析，给出了生长速率、腐蚀速率及组分等参数与工艺条件的关系。实验证明，和其它镀膜技术相比，磁......
[期刊论文] 作者：马振昌,梁春广,,
来源：半导体情报 年份：1990
本文简要地评述了GaAs VHSIC的特点和发展概况。叙述了GaAs高速器件、基本的逻辑结构和一些重要的制连技术。并对一些新型高速器件、重要的工艺技术和发展前景进行了讨论。...
[期刊论文] 作者：马振昌,宗婉华,
来源：半导体情报 年份：2000
探索了新型难熔栅Ｗ／ＷＮ工艺制备技术，通过ＳＥＭ，ＸＲＤ，ＳＩＭＳ，ＸＰＳ等手段对ＷＮ，ＷＮ／ＧａＡｓ特性作了分析。结果表明，溅射气压和Ｎ分压对Ｗ，ＷＮ薄膜特性有着显著影响，通过工艺条件的优化，制备的Ｗ／ＷＮ膜厚为３６０ｎｍ，方块分压为０．５１Ω。利用ＳｉＯ２作为退火包封层......
[会议论文] 作者：宗婉华,马振昌,
来源：第四届全国固体薄膜学术会议 年份：1994
...
[期刊论文] 作者：安继芸,马振昌,,
来源：半导体情报 年份：1979
本文叙述了微波低噪声双极晶体管最大可用功率增益计算的一种方法,即从器件的等效电路出发,通过数值求解得到器件的S参数,从而计算其功率增益。计算中考虑了内引线和封装所引...
[期刊论文] 作者：孙永科,马振昌,等,
来源：半导体学报 年份：2001
以磁控溅射方法于p-Si上淀积富硅二氧化硅，形成富硅二氧化硅／op-Si结构，用金刚刀在其正面刻划出方形网格后在N2气氛中退火，其光致发光（PL）谱与刻划的经同样条件退火的对比样品的PL......
[会议论文] 作者：朱以南,罗浩平,马振昌,
来源：中国计算机学会全国信息存储专业委员会第六届学术年会 年份：1988
...
[期刊论文] 作者：宗婉华,马振昌,王立侠,
来源：半导体情报 年份：1994
研究了在半绝缘ＧａＡｓ衬底上磁控溅射ＳｉＯ＿２薄膜的工艺技术。对影响生长薄膜的因素进行了实验分析，给出了生长速率、腐蚀速率及组分等参数与工艺条件的关系。实验证明，和其它镀膜技术相比，磁......
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