锗单晶相关论文
该文研究了化学机械抛光（CMP）条件下，锗单晶在含HNO3的SiO2抛光液中的腐蚀过程。通过改变抛光时间，分析锗单晶表面状态的变化规律。结......
采用垂直梯度凝固(VGF)法生长单晶时,其温度梯度较低,生长速率较小,目前已成为生长大直径、低位错密度晶体的主流技术之一。在VGF......
近年来随着锗在航空航天、红外光学、国防工业等领域中发挥着越来越出色的作用，锗的需求量也日益增多。因此，当今社会要批量生产一定......
锗是一种重要的半导体材料。随着它在半导体领域的地位逐渐恢复,锗的研究再次成为热门。与硅一样,锗基材料在清洗、加工、使用过程......
美国、俄罗斯、中国、印度、日本、欧洲等国家都投入大量的资源发展空间技术.目前,空间电源的主要来源是太阳电池.但由于传统的硅......
文章对Φ52mm×1.8mm薄园片锗单晶的电阻率进行测试,通过引入锗园片的厚度修正系数和直径修正系数,得到锗园片中心电阻率是23.51Ω......
高频光电导衰减法是测量Ge单晶少数载流子寿命常用的方法,高频脉冲信号照射到单晶表面时,产生非平衡载流子,非平衡载流子的复合时......
锗单晶是一种各向异性材料,在切削的过程中,将使切削力随晶向和晶面发生变化.针对锗单晶各向异性对切削力的影响,在理论上计算出了......
为了研究锗单晶的压痕尺寸效应,对(100)、(110)和(111)晶面取向的锗单晶进行纳米压痕实验。基于Meyer方程、比例试样阻力(PSR)模型......
采用金相分析方法研究了锗单晶的位错，腐蚀试剂的选择对位错的显示有较大影响。实验表明，铁氰化钾腐蚀液能清晰地显示出锗单晶的位错......
详细介绍了水平放肩工艺措施的技术特点,及其在锗单晶生产中的应用效果.并与常规的慢拉放肩工艺进行了比较.......
锗单晶和锗单晶片是重要的半导体材料，锗单晶的生长广泛采用的是CZ（直拉）法，其主要结构包括底座及立柱装置、下传动装置、主炉室、插板......
采用悬浮区熔工艺,生长出了最大直径（等径部分）22 mm的〈100〉晶向锗单晶,单晶等径长度20 mm,总长度80 mm。为减小锗单晶生长中的重......
采用湿法化学腐蚀技术，研究（3e单晶片在NaOH—H2O2体系中的化学腐蚀抛光特性。通过改变腐蚀液配比、腐蚀时间、腐蚀容器，分析锗单晶腐......
在6—300K下,利用红外傅里叶光谱仪研究了400—4000cm-1间的硅、锗中氧的红外吸收。采用高分辨条件时,分辨率可达0.5cm-1。 研究了......
随着超精密加工技术的发展,以超精密技术为支撑的产品已经走入了人们的生活。而伴随着加工技术的进步,检测技术也不断前进。本文中......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
为研究锗单晶的位错,根据湿法腐蚀的腐蚀原理,通过改变氧化剂、腐蚀液成分比例、腐蚀时间、腐蚀温度,分析锗单晶腐蚀抛光过程中各......
公司锗资源优势突出。公司是国内唯一拥有锗矿采选、精深加工及研发一体化,锗产业链较完整的龙头企业,主要产品有区熔锗锭、锗单晶......
针对光学超精密加工中数控程序的编写问题，采用UG NX4对实际的锗单晶零件进行建模，在其加工环境中，创建加工几何体，依据Tylor Ultra Fo......
采用直拉法（Czochralski method）生成了直径为100 mm、200 mm和300 mm的N型红外用锗单晶,研究了拉晶工艺参数对拉晶的影响,讨论了拉......
不同生长条件和冷却方式下拉制的锗单晶按规定晶向切、磨成一定尺寸的试样片状,用CP-4A腐蚀液抛光,使表面光亮、平整,无划痕,无位......
采用磁控溅射法在n-Ge表面镀镍薄膜，通过改变快速热处理时间研究镍对锗单晶的导电型号、电阻率和少子寿命的影响，以及镍在锗中的扩散......
P型锗单晶作为空间太阳电池外延层的衬底片,对其电阻率均匀性的一致性有着极高的要求。在直拉法锗晶体生长中,固液界面即为结晶前......
退火工艺对锗单晶的导电性能有很大的影响。退火温度超过550℃会导致N型锗单晶电阻率升高,750℃以上温度退火甚至会发生N型锗单晶......
锗单晶球面镜是精密光学试验中的重要设备,表面粗糙度、型面精度要求高,加工难度大。对锗单晶球面镜的超精密车削加工进行了研究,......
采用Hiroshi Suzuki等人提出的新的单晶应力测量原理,结合不对称布拉格衍射技术,对锗单晶的应力进行了测量。这种方法的优点在于利......
硅太阳能电池由于光电转换效率低和温度特性差等因素,最近几十年其在聚光光伏技术中并没有得到更大的发展,而砷化镓及相关Ⅲ-Ⅴ族......
期刊
<正>锗金属行业将在201 3年前后迎来供需拐点。资源壁垒、产业链完整将是今后行业竞争中占据有利地位的关键因素,公司契合这些竞争......
本文阐述高纯锗材料的各项参数对探测器性能的影响,这些参数是导电类型、晶向、浅能级和深能级杂质、迁移率、位错密度及其分布和......
锗单晶由于其优异的性能,在红外光学窗口和透镜、高效太阳能电池等诸多器件中得到广泛应用。在各种器件的制造和使用过程中,需要将......
VGF技术生长单晶时温度梯度较低,生长速率较小,目前已成为生长大直径、低位错密度晶体的主流技术之一。采用数值模拟研究了VGF法6......
直拉法生长的空间太阳能电池用锗单晶中位错密度的影响因素有:籽晶中位错延伸对晶体中位错密度的影响;温度梯度对位错密度的影响;......
随着半导体器件尺寸不断缩小,通过等比例缩小器件尺寸来提高器件性能的方法即将接近极限。因此,众多研究致力于发展新型的器件结构......
在低场条件下，锗可以提供比硅高3倍的空穴迁移率和比硅高2倍的电子迁移率，具有不可替代的优势，因此近年来锗的研究再次成为关注的重点......
