Al_xGa相关论文
采用蒙特卡罗理论模拟加速电子在氮铝镓晶体薄膜中的运动轨迹,研究加速电压与高能电子所能达到样品深度的数学关系,并通过紫外可见......
本文讨论了用ＭＩＱ－１５６四极ＳＩＭＳ仪器对ＡｌｘＧａ（ｌ－ｘ）Ａｓ中Ｓｉ进行定量分析的实验方法，考察了测量结果的重复性及ｘ变化时ＳｉＲＳＦ的变化规律，在ＩＭＳ－４ｆＳＩＭＳ仪器上进行了对比测试，用Ｃｓ＋源对（２９）Ｓｉ的原子......
本文报道了AlxGa1-xAs／GaAs多层异质外延材料中高Al组份的AlxGa1-xAs层在400～500℃与水汽（携带气体为N2）发生化学反应的氧化特性．其氧化......
文章采用AlxGa1-xAs／AlyGa1-yAs微腔结构，研究了微腔中激子的吸收行为，在室温下观察到了激子吸收的增强效应，激子的峰值吸收强度是自由......
介绍了研制的单量子阱半导体激光器（ＳＱＷＨＬ）的基本结构及能带图．为了理论分析的方便，采用有效质量方法进行了理论分析和计算．其中，将超晶格的一......
利用ＭＢＥ生长的ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ折射率渐变－分别限制－多量子阱材料（ＧＲＩＮ－ＳＣＨ－ＭＱＷ），经液相外延二次掩埋生长，制备了阈值最低达２．５ｍＡ（腔面未镀膜），光功率室温连续输出可达１５ｍＷ／面的半导体......
分析了ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ外基区表面复合电流及外基区表面复合速度对直流增益的影响，用光致发光（ＰＬ）谱和Ａｌ／ＳｉＮｘ－Ｓ／ＧａＡｓＭＩＳ结构Ｃ－Ｖ特性，研究了ＧａＡｓ表面（ＮＨ４）２Ｓ／ＳｉＮｘ钝化工艺的效果及其稳定性。结......
用微波介质波导法无接触测试了生长在半绝缘衬底上的ＧａＡｓ、ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ外延层的微波光电导谱和横向磁阻，给出了从微波光电导谱计算少子扩散长度和从......
本文通过光致发光（ Ｐ Ｌ）测试发现了 Ｎ Ｈ３ 流量的大小对以 Ｇａ Ａｓ（１００）为衬底生长立方相 Ａｌｘ Ｇａ１－ ｘ Ｎ 晶体性质的影响的规律， Ｎ Ｈ３ 流量愈少，立方相 Ａｌ Ｇａ Ｎ 的纯度......
使用自动变温霍耳测试系统测定了减压 MOVPE外延生长的 Cδ掺杂 Alx Ga1-x As多层外延与pipi Alx Ga1-x As超晶格 .结果表明 ,以 T......
制备了基于调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质结的Pt/Al0 2 2 Ga0 78N/GaN肖特基二极管。由于Al0 2 2Ga0 78N势垒层中的极化......
本文提出了一种用二次离子质谱(SIMS)测定Al_x Ga_(1-x)As薄膜样品成分的定量分析方法,通过对一组标样用线性回归法定标和迭代法定......
在低温和强磁场下,通过磁输运测量研究了不同Al组分调制掺杂Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结二维电子气(2DEG)的磁电阻振荡现象.观察到低A......
针对MEMS(micro-electro-mechanical system)工艺中牺牲层的选择性腐蚀问题,提出了一种判断牺牲层是否完全腐蚀的新方法,解决了这......
通过在低温和强磁场下的磁输运测量研究了非故意掺杂Al0.24Ga0.76N/GaN异质结构中二维电子气(2DEG)的磁电阻振荡现象。在强磁场下......
Within the effective-mass approximation, we calculated the influence of strain on the binding energy of a hydrogenic don......
报道了320×256元AlxGa1-xN日盲型紫外探测器及其焦平面阵列探测器的研制情况,介绍了材料生长、器件制备工艺和器件的光电特性。器......
通过低温和高磁场下的磁输运测量 ,首次在Al0 .2 2 Ga0 .78N GaN异质结中观察到了舒勃尼科夫 德哈斯振荡的双周期特性 ,发现在Al0 ......
研究了调制掺杂AlxGa1-xN GaN异质结中与二维电子气 (2DEG)有关的光致发光 ,发现温度 40K时Al0 .2 2 Ga0 .78N GaN异质结中 2DEG与......
采用金属有机化合物气相淀积法在(0001)取向的蓝宝石衬底上生长一层大约20nm厚的AlN缓冲层,在缓冲层上生长大约2μm厚、晶体质量良......
利用现有外延材料生长技术和器件工艺技术,生长了背照式AlxGa1-xN pin外延材料,并用生长的材料制作了日盲紫外探测器,测试结果表明......
报道超薄有源层ＡｌｘＧａ１－ｘＡＳ／ＧａＡｓ分别限制双异质结构半导体激光器的液相外延的过程。讨论了过冷度、生长温度和降温速率等对生长速率的影响。扫描电......
利用双层吸收膜模型，采用消光式椭圆偏振仪，对用ＭＯＣＶＤ方法生长的（ＡｌｘＧａ１－ｘ）ｙＩｎ１－ｙＰ（本征）、（ＡｌｘＧａ１－ｘ）ｙＩｎ１－ｙＰ（掺Ｍｇ）和（ＡｌｘＧａ１－ｘ）ｙＩｎ１－ｙＰ（掺Ｓｉ）３个样品及它们的表面氧化膜的光学参数进行了测量和计算，并对其......
ＳＴＵＤＩＥＳＯＦＴＨＥＬＡＴＴＩＣＥＤＡＭＡＧＥＣＡＵＳＥＤＢＹＩＯＮＩＭＰＬＡＮＴＡＴＩＯＮＩＮＴＯＡｌ_ｘＧａ_（１－ｘ_ＡＳ／ＧａＡｓ￥ＢａｏＡｎＧＯＮＧ；ＸｉａｏＬｉＨＡＮ（ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＡｐｐｌｉｅｄＣｈｅｍｉｓｔｒｙ，Ｙａｎｔａ?..
STUDIES OF TH EAT A T A T A D A G A A AED B YION IMPLANTATION INTO Al x Ga 1- (x-AS / GaAs ¥ BaoAnGONG; XiaoLiH......
利用二次离子质谱（ＳＩＭＳ）系统地研究了生长温度，Ａｌ组份ｘ值和Ａｓ＿４压强对Ｓｉδ掺杂Ａｌ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ的ＳＩＭＳ深度剖面，Ｓｉ原子表面分凝和向衬底扩散的影响。实验发现，在外延生长Ｓｉδ掺......
采用深紫外光致发光技术测量AlxGa1-xN半导体异质外延膜的禁带宽度,结合Material Studio软件中的CASTEP模块模拟计算AlxGa1-xN异质......
采用紧束缚的重整化方法研究了(Al_xGa_(1-x)As)_m/(GaAs)_m(001)超晶格的电子能带结构与合金组分x及层厚间的变化关系。给出了临......
在 1 5K低温和 0～ 9T的高磁场下研究了AlGaG/GaN异质结二维电子气的磁输运性质。实验结果在 4块样品中都观察到了Shubnikov daHass......
用自洽计算的方法研究了极化电场对Al_xGa_(1-x)N/GaN双量子阱中子带间跃迁的光学性质和电子分布的影响.发现极化场会导致电压降的......
在掺硅分子束外延Al_xGa_(1-x)As中观察到一个持续光电导中心.当组份x=0.25时,热激活能为E_o=0.06eV.为了说明持续光电导主要来自......
本文记述了用三元系扩散源在三种掺杂(掺Te、Ge、Sn)AI_xGa_(1-x)As外延层中进行Zn扩散的实验;给出了扩散结深随时间变化的关系曲......
在室温至77K范围内,测量质子轰击条形GaAs-Al_xGa_(1-x)As双异质结激光器正向伏安特性,发现很多激光器在低温下产生负阻或击穿的异......
采用俄歇电子能谱仪(AES)对液相外延生长的GaAs-AlxGa_(1-x)As异质结构进行了研究.结果表明,在异质结界面处,有一过渡层,其组分由......
一、引言GaAs-Al_xGa_(1-x)As双异质结激光器在国内、外光导纤维通讯系统试验段中已使用多年。实用化不仅要求它有稳定的模式特性......
This paper has analyzed the AlxGa1 xAs liquid-phase epitaxy layer by Automatic Rotating-Analyzer Spectroscopic Ellipsome......
用分子束外延法生长了以半绝缘Al_xGa_(1-x)As为缓冲层的GaAs外延层,这种缓冲层具有很高的击穿电压。研究了击穿电压与生长条件和A......
本文报道了在710℃下Al_xGa_(1-x)As过冷式液相外延的短时间生长特性.在710℃下,降温速率为 0.45℃/分钟时“流动”机制被抑制.短......
本文采用深能级瞬态谱(DLTS)方法,测量了A1_xGa_(1-x)As/GaAs LOC(Large Optical Cavity)激光器中的深中心,并初步分析了这些深中......
用DLTS和单次脉冲瞬态电容技术研究了液相外延生长的双异质结Al_xGa_(1-x)As/GaAs发光管,掺Si的n-Al_(0.05)Ga_(0.95)As有源层中的......
本文对Al_xGa_(1-x)As-GaAs多层量子阱结构的子带间跃迁能的压力关系做了77K低温下的光荧光光谱研究.实验结果表明,未掺杂的量子阱......
本文报告在700℃下液相外延生长的GaAs,Al_xGa_(1-x)As的镁掺杂特性.测量了母液中不同镁的原子比与外延生长的CaAs,Al_(0.53)Ga_(0......
