发光峰位相关论文
将激光染料分子有效地嵌入多孔硅中，获得多孔硅／染料分子复合体。嵌入微量染料分子时，复合体的发光兼有多孔硅和激光染料两者的发光特......
制备了ＣａＳＢｉ粉末发光材料．用Ｘ射线衍射分析了材料的晶体结构、测量了其激发光谱、发射光谱和直流电致发光光谱．蓝色发光峰位于４５０ｎｍ．
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通过对多孔硅光致发光峰随测量温度变化的研究，发现随测量温度的下降，光致发光峰位有两种截然不同的移动方向：发光峰中心波长较长的样......
利用水热技术原位制备出铁钝化多孔硅样品，并对其发光特性进行了测试。样品具有较强的光致发光强度，而且在室温空气存放过程中其发光......
在一定偏压下用ＡｌＣｌ３＋ Ｃ２Ｈ５ＯＨ＋ Ｈ２Ｏ 混合液对多孔硅进行了后处理．经过处理的多孔硅与未经处理的多孔硅相比，其发光强且稳定．通过对样品进行红外吸收谱......
制备了硅基多孔氧化铝 - 3-羟基 - 2 -萘甲酸钠复合发光材料 .PL谱表明 3-羟基 - 2 -萘甲酸钠进入氧化铝膜的纳米孔内以后 ,发光峰......
研究了一种新型红色磷光材料及其在有机电致磷光器件(OLEDs)中应用。在经典红色磷光材料btp2Ir(acac)的配体2-苯并噻吩吡啶的吡啶......
采用MOCVD方法制备了ZnCdSe量子阱/CdSe量子点耦合结构,利用低温(5K)光致发光光谱和变密度发光光谱研究了该结构中的激子隧穿和复......
研究了调制掺杂AlxGa1-xN GaN异质结中与二维电子气 (2DEG)有关的光致发光 ,发现温度 40K时Al0 .2 2 Ga0 .78N GaN异质结中 2DEG与......
基于能带工程理论,设计了Si基Ge/SiGeⅠ型量子阱结构。采用超高真空化学气相淀积系统,制备出高质量的Si基Ge/SiGe多量子阱系列材料......
采用双离子束共溅射沉积方法制备了两种复合硅基薄膜SiOxCy和SiOxNy薄膜,对两种薄膜进行后退火处理,并分别对样品进行PL、FTIR、XP......
制备了InAs/InAlGaAs/InP(001)量子线结构,利用变温光致发光谱(PL)研究了InAs量子线的光学特性.随温度增加InAs量子线PL谱的发光峰......
研究了用等离子体增强化学气相沉积方法（PECV），经过后处理制备出SINxOy薄膜，测量了其光致发光（PL谱）特性，观测到强度大约为多孔硅蓝光发射......
在４．６８ｅＶ的激光激发下，室温ＣＶＤ合成的纳米ＳｉＣ粉体，可发射４７５ｎｍ的蓝光，经６００～１１００℃在Ｎ２气氛下进行快速退火（ＲＴＡ）处理，其荧光强度随退火温度升高而增强，当Ｔ≥９００℃时，荧光强度下......
本文对用溶胶 -凝胶方法制备的 x Al P/1 0 0 Si O2 凝胶玻璃的光致发光进行了研究 ,表明 585nm附近的发光是凝胶玻璃中的 Al P纳......
利用水相合成的方法制备了巯基包覆的具有较高荧光量子产率的CdSe和CdSe/CdS纳米晶 .水相合成方法的优点是原料低廉、安全可靠和重......
自然界天然存在的微结构可以有效提高材料的性能,特别是分级纳米孔结构被证明可以有效增加材料的光吸收效率。为了提高硅酸钙材料......
为了实现硅基光电子集成,人们正在致力于探求合适的硅基发光材料.由于SiO_2薄膜是硅集成电路中重要的掩蔽膜和介质膜,因此人们正......
用中频反应磁控溅射技术制备了Al2O3:Ce3+的非晶薄膜。这些薄膜的光致发光峰是在370～395 nm之间,它来自于Ce3+离子的5d1激发态向基......
发光多孔硅表面的ＳＴＭ研究李学萍，林瑞峰，张振宗，王维波，刘尧，肖绪瑞（中国科学院感光化学研究所，光电化学研究中心，北京１００１０１）关键词扫描隧道显微镜，多......
We have obtained free-standing porous silicon filrns with porosity above 90% by us-ing allodic oxidizing, electropolishi......
经由配位聚合反应 ,合成了八羟基喹啉锌和 1 ,4 二乙烯基苯的交替共聚物。所合成的聚合物通过元素分析和红外光谱进行了表征。在 ......
本文采用直流磁控溅射在(100)硅衬底上沉积了单层锗薄膜,分别用拉曼光谱和X射线衍射研究了薄膜的结晶性,通过对结晶性的研究发现,......
本文对纳米材料的光致发光现象进行了研究，结果表明，这种新颖的纳米材料可以在实现以节约资源和保护环境为宗旨的绿色照明工程中发挥......
中国科学院上海微系统与信息技术研究所的研究人员在硅纳米线阵列宽光谱发光方面取得新进展。研究人员将SOI(绝缘衬底上的硅)与表......
利用溶剂引导的无序-有序相转变的方法制备了二噻吩并[3,2-b:2’,3’-d]噻吩-2,5-二羧酸(A)和二噻吩并[2,3-b:3’,2’-d]噻吩-2,5-......
本文综述了有关多孔硅(Porous silicon,简称PS)某些新近的研究成果,包括多孔硅的形成、光致发光和电致发光,着重介绍多孔硅的形成......
在氢氟酸溶液中电解腐蚀作为阳极的单晶硅,制备了硅量子线阵.根据其光致发光谱估算了量子线横截面平均边长为2.4—3.1纳米.研究了......
采用磁控溅射设备,当衬底温度为500℃时,在Si(100)基片上磁控溅射生长Ge/Si多层膜样品.使用Raman和低角X射线技术对样品进行检测和......
在GaAs衬底上使用分子束外延分别生长了单层和五层垂直堆垛的InAs/GaAs量子点结构.室温光致发光实验表明,五层堆垛结构较之单层结......
采用RF磁控溅射技术制备含纳米硅的SiO2薄膜.通过对Si-SiO2复合靶的比分进行调节控制,并在不同的温度下进行高温退火得到不同......
该文研究了叶绿素A多晶粉末及其溶液在室温和12°N的发光，用计算机分解了经过校正的发光光谱，得到了叶绿素A分子各种聚集状态下的发......
该文报道了用分子束外延（ＭＢＥ）、自组织法生长低组分、低应变量子点超晶格Ｉｎ〈，ｘ〉Ｇａ〈，１－ｘ〉Ａｓ／ＧａＡｓ材料（样品组分为０．２８），量子点的平均尺度为高约１０ｎｍ、直径约３０ｎｍ，低温下......
该文合成了GdGaO材料。用电子束蒸发把该材料制备成交流的薄膜电致发光器件，采取X光衍射的方法分析了材料的结晶度及成份。该器件得......
Si/SiO薄膜采用射频磁控溅射技术制备，当正向偏压大于5V时即可观测到来自不同Si层厚度的Au/(Si/SiO)/p-Si结构在室温下的可见电致发......
介绍了利用发光峰位法来研制LED灯具结温测试仪的方法.阐述了仪器的测量原理、系统构成、工作方法、数据处理等关键问题.这种非接......
以无机金属盐为原料、谷胱甘肽(GSH)和柠檬酸钠(SC)为配体,通过水热法制备了AIZS量子点.系统研究了pH值、Ag/In比例、Ag/Zn比例对A......
