该文的工作主要分成两个部分,一是金属纳米团簇在Si(111)-(7×7)表面和SiN(0001)-(8×8)表面的生长及其扫描隧道显微镜(STM)研究.......

从原子级平坦的GaAs(001)-β2(2×4)重构表面出发,结合Reflection High Energy Electron Diffraction(RHEED)衍射图像演变和不......

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在N2气压为2．67×10^-2Pa,500℃的条件下，用MBE方法在GaAs(001)衬底上生长了InN的外延层。生长期间，In流量以3×10^14到24&#2......

GaAs的高迁移率与其表面重构和表面形貌有密切关联,对于GaAs表面重构的研究一直是研究低维半导体的重点和难点。重点回顾了几十年......