GaN基相关论文
现今电力电子器件发展迅猛且应用广泛,提高其器件性能的相关研究已成为大势所趋。基于这一研究现状,本工作确立了极化场效应对PIN......
GaN基材料具有直接带隙、禁带宽、光吸收系数大、抗辐射及耐高温等优良的物理和化学特性,非常适合制备高性能的光电探测器或者电子......
本文探讨了直流电流下,GaN基大功率白光LED发光效率衰减,发现随着温度的升高和电流的升高,都会降低LED的发光效率,并对这一现象作......
为了降低Si衬底GaN基LED的开启电压及工作电压,本文提出了一种新型通孔结构发光二极管,并提出一种电路有限元模型,分析此结构发光......
制作了GaN基多量子阱激光器,实现了室温连续激射。以(0001)面蓝宝石为衬底,在金属有机物化学气相外延(MOCVD))设备上生长激光器外......
本文用MOCVD方法生长InGaN/GaN-MQW基LED结构,通过固定阱温,改变垒湿的方法研究了阱(InGaN)和垒(GaN)甚生长温差对MQW表面形貌和发......
Ⅲ族氮化物半导体InxGa1-xN具有可连续变化的禁带宽度，其能量范围几乎覆盖整个太阳光谱，可应用于研制高效全光谱太阳能电池。高质量I......
学位
本论文以GaN基Ⅲ族氮化物半导体材料的结构特性分析和磁学改性为主要研究内容，结合北京大学物理学院核固体物理课题组与比利时鲁汶......
GaN基LED已经被广泛用于交通信号显示、大屏幕显示、液晶背光源、景观装饰及通用照明等领域。在实现固态照明方面，大功率垂直结构LE......
近些年来,随着时代经济的飞速发展以及科技的进步,GaN材料不仅仅有着较高的饱和电子迁移速度,同时也有着较高的击穿场强。对于GaN......
本研究的GaN基LED外延生长方法中通过通入大量的NH3进行裂解,将N原子附着在生长的P型GaN上,在NH3进行裂解处理的同时,对生长好的P......
蓝宝石虽然稳坐衬底材料的龙头地位,但随着产业的不断发展,竞争日趋激烈,基于蓝宝石衬底的技术发展变缓,再加上其成本高昂、专利壁......
介绍了GaN基512×1元紫外长线列焦平面探测器组件的研制过程,并给出了器件的性能。利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法生长的多......
本文计算了AlGaN材料在不同温度KOH水溶液中的湿法腐蚀速率,并研究了湿法化学腐蚀GaN基材料对消除干法刻蚀所引入损伤的作用。为了......
GaN材料及器件近年来成为研究的热点,尤其是GaN基发光二极管(LED),从节能和环保的角度上来说,LED是最理想的光源,它可以应用在各种......
在不同环境温度及不同驱动电流条件下,测试GaN基绿光发光二极管峰值波长的变化,结果表明,环境温度及驱动电流的增加，均会引起结温的......
针对全球能源短缺、污染严重问题日益严重,节能环保将是未来全球亟待研究的重要课题。在照明领域,半导体照明即发光二极管,也叫LED......
利用传输矩阵法对不同入射介质的GaN基分布布拉格反射器（DBR）进行了反射谱的理论分析。计算表明，入射介质的折射率与低周期DBR反射率......
由于GaN结构特性和光学特性,导致聚酰亚胺很难在GaN基上形成标准有效的微图形。本文是在氮化镓（GaN）基材料表面上先制备一层几何图形......
