单片集成相关论文
利用微机电系统(MEMS)工艺,设计并制造了一种基于法拉第电磁感应定律的单片集成MEMS三轴磁场传感器。将两种不同结构的器件通过MEMS工......
半导体激光器凭借着其体积小,集成度高,调制特性好,使用寿命长等特点成为了现代光通信网络以及光子集成电路中重要的元器件。由于......
混沌信号因为其类噪声、宽频谱和良好的相关性等特点,其应用场景越来越广泛,成为通信中的一种理想的信号。由于半导体材料的一些固......
调频连续波激光雷达通过处理接收信号和发射信号之间的差拍频信号来得到目标的距离信息,且用于测量目标的距离和速度的性能与环境......
随着手机、蓝牙耳机等便携类电子产品的轻量化、小型化发展,PCB板上的空间越来越宝贵。在各类电源芯片中,电感式DC-DC转换器的转换......
科技改变生活。普通传感器因为非智能化等原因将不能适应万物互连的智能时代。智能时代对传感器提出了更高的要求,因此智能传感器......
温度和湿度信号是自然界中最常见的模拟信号,也是人类生活中最密切接触的环境信号。因此温度传感器和湿度传感器在很多应用范围都......
GaN基材料具有直接带隙、禁带宽、光吸收系数大、抗辐射及耐高温等优良的物理和化学特性,非常适合制备高性能的光电探测器或者电子......
基于硅集成电路工艺,开展了单片集成压力传感器的研究,解决了深槽腐蚀、三维MEMS加工与IC加工兼容、弱信号电路设计技术难题,研制出单......
提出一种多系统芯片(mSoC)的设计和商业化的方法,将多个不同功能的系统集成在一块芯片上,通过可裁剪、可配置的方法使其在不同的场合适......
利用0.35?m标准CMOS工艺实现了双光电探测器和前置跨阻放大电路TIA、限幅放大电路LA的单片集成。DPD探测器通过屏蔽衬底载流子的扩......
本文以Buck开关变换器为例,在高频条件下对其软硬开关电路进行了比较分析,寻求在高电路效率情况下,减小无源元件尺寸的最优设计方......
开发700V高压BCD(BJT/CMOS/DMOS)工艺技术。该工艺在CMOS工艺基础上主要增加As埋层注入、p_top降场层注入以及Pbase注入等工艺步骤......
采用InP/InGaAs HBT与PIN光探测器单片集成方案,对光接收OEIC的外延材料结构和生长、电路设计、制作工艺和性能测试进行了研究,基......
本文设计了一种基于光波导短程透镜光路和可调声光偏转机制的平面单片集成多路声光波导光开关,采用声光互作用的耦合波理论分析了正......
报道了一种单片集成的1550 nm的四镜三腔谐振腔增强型(RCF)半导体光探测器。通过多腔的设计解决了传统RCE光探测器量子效率、高速......
随着深空探测技术的发展,火星探测、小行星探测已成为21世纪深空探测的重要内容之一.光电敏感器如星敏感器、太阳敏感器是航天器必......
AlGaN/GaN异质结器件因其高的临界击穿电场、高电子迁移率和良好的温度特性在下一代大功率和高频应用中展现出了巨大的潜力,二极管......
半导体激光器的单片集成主振功放系统在半导体激光系统年销售量达几十亿美元情况下,半导体二极管激光器的世界市场已大大超过较标准......
我们为孤立的单个房间的长期的文化开发了一个综合 microfluidic 薄片。这 polydimethylsiloxane (PDMS ) 基于设备能精确地播种每......
设计并制作了带有集成透镜的1×4 InGaAs/InP pin探测器阵列.对器件纵向和横向结构参数及集成InP透镜几何参数进行了模拟设计与优......
叙述了Bi,Al:YIG薄膜的液相外延生长,研究了这种薄膜材料的光吸收系数、法拉第旋转角、磁光优值及生长感生磁各向异性与Bi含量的关系。在此基础......
提出一种实现精密全波整流的新方法。该电路的最大特点是用一对NPN和PNP晶体管代替二极管整流,从而实现用一个运算放大器、一对NPN......
一、概述 AD9058是美国Analog Devices公司产品,由单片集成块上的两个独立的高性能8位模数转换器(ADC)组成,并带有一个可供选用的......
分析了一种频率合成邻频电视调制器的稳频原理及设定振荡频率的方法。阐述了采用射频声表面波滤波器(SAWF)实现邻频传输所采取的一些技术......
本文主要报道InP光波导和InGaAs-PIN光电探测器的单片集成,包括材料生长、器件工艺、器件测试三个部份.器件的结构和制作方法较为简单,而代表器件性......
阐述了光盘的光学聚焦伺服、循迹伺服和光信息拾取原理,介绍了由分立元件、全息光学元件、光电混合集成和单片集成等所构成多种光学......
三菱开发90GHz低噪声放大MMIC日本三菱电机公司已制成可使毫米波通信机小型、高性能化的90GHZ低噪声放大MMIC。毫米波通信可望应用于第二代的移动通信......
对用于HgCdTe红外探测器的单片集成与混合集成技术进行了研究.研制的低噪声多路前置放大器混合集成模块的等效输入噪声电压<1.5nV·Hz-1/2,性能稳定可靠......
据日本《电子材料》1995年第2期报道,三菱电机公司开发的单片集成放大器,在90GHz下达到世界先进水平:噪声系数3.4dB,增益8.7dB。该产品的......
文章以新型单片集成电流传输器PA630为例,从电流模技术观点出发,概要地介绍了它的结构原理和在精密整流、电流反馈放大器中的应用实例。
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介绍了2~18GHz GaAs 微波低噪声宽带单片放大器设计原理及主要研究工作。给出了主要研究结果:在2~18GHz 频率范围内,管壳封装的两级......
提出了一种高阶全极点运算跨导放大器(OTA)或跨导器(T)低通滤波器设计方法。基于系统函数的直接模拟,得到了具有最少有源元件的全极点低通滤......
介绍了一种用DDS和∑△技术实现用于数据通信的正弦波产生及调制技术的基本思想,给出了实现TSK,PSK和AM调制的方案.这些方案主要由......
本文提出了一个能在SPICE通用电路分析程序上运行的单片集成锁相环LM565的宏模型。宏模型引出脚与实际器件一一对应,较好地模拟了LM565各个引脚的输......
提出一种完全新型的VDMOS-NMOS全兼容功率集成结构的设计方法.该结构采用与VDMOS工艺兼容的对接(ButJoint)沟道结构形成NMOS器件,利用VDMOS工艺中p+区反刻过程形成NMOS器件的有......
在研究了Si的等离子体色散效应之后,我们预计GexSi1-x也会有这一效应。理论分析和实践的结果都表明GexSi1-x具有比Si更强的等离子体色散效应。
After st......
报道了基于二维凹面光栅的单片集成波长解复用器件,器件刻蚀在InGaAsP/InP平板波导上,通过凹面光栅的色散作用实现不同波长光的分离,光的输入输出......
本文介绍了在光纤/同轴混合网(HFC)中,用于数字视频信号传输的单片集成正交移幅键控(MQAM)调制/解调器的原理,说明了MQAM调制/解调器状态寄存器参数的设......
基于共振隧穿二极管的单片集成的单稳双稳态转变逻辑单元电路是近年出现的一种新型电路逻辑单元.本文介绍一种简单的MOBILE电路结构,给出了......
为了验证P+-GexSi1-x/p-SiHIP红外探测器同MOS信号读出电路单片集成的可行性,对P+-GexSi1-x/p-Si异质结内光发射(HIP)红外深测器与CMOS读出电路的工艺兼容性做了分析,提出了一个可行的......