MOS电容相关论文
一氧化氮退火是目前业内界面钝化的主流工艺，而钝化效果与一氧化氮退火的条件密切相关，因此选取合适的退火条件提高界面质量显得尤为......
本文在n型4H-SiC外延层上,采用H、O合成的办法,热生长300A的SiO层,并制备出Al栅MOS电容,完成了C-V特性的测试和分析工作,根据测试......
采用低温Ge和SiGe／Ge超晶格相结合，吸收过滤因晶格失配在硅／锗界面处产生的失配位错向表面的穿透，制备出低位错密度、高质量的硅基Ge单......
A high-permittivity (high-k) material is applied as the gate dielectric layer in a silicon metal-oxide-semiconductor (MO......
钛酸钡材料(BaTiO_3,BTO)沉积到Si基板之后形成的BTO/Si异质结构在MOS晶体管、太阳能电池等领域表现出了巨大的应用潜力。对于这种......
碳化硅（SiC）是近年来备受瞩目的第三代半导体之一,因其宽禁带,高击穿场强,高导热率被广泛应用在高温、高压、大功率电力电子器件领域......
学位
碳化硅(SiC)半导体由于其优异的物理和电学特性,近些年越来越引起人们广泛地关注,是应用于高温、高压和大功率电子器件领域的热门......
本文描述硅本征吸杂片的特性参数,如吸除区宽度、洁净度,氧沉淀密度、MOS电容寿命,介绍了表面态密度及残余间隙氧浓度的检测方法和......
InAlAs与InGaAs，InAs等具有良好的晶格匹配，及InAlAs对载流子具有强的阻挡性，常被用作势垒层和表面阻挡层。一般的HEMT器件存在漏电大......
我国具有独立自主知识产权的TD-SCDMA标准是世界第三代移动通信标准之一，TD-SCDMA移动终端射频芯片的研发技术是实现TD-SCDMA商用的......
随着MOS器件尺寸不断缩小,器件内沟道电场和电流密度激增,高电场诱生大量的界面态从而导致器件性能退化。本文研究相同工艺条件下,......
随着半导体技术的不断发展，行业对器件的工作速率和可靠性等性能提出越来越高的要求，GaAs和InAlAs等在内的高载流子迁移率III-V族化......
半导体热氧化过程中,不可避免会沾污Na离子,造成MOS电容的C-V曲线平带电压漂移。在1 200℃下热氧化,生成SiC/SiO2界面,进而制作MOS......
在可商业获得的N型6H-SiC晶片上,通过化学气相淀积,进行同质外延生长,在此结构材料上,制备MOS电容.详细测量并分析了6H-SiCMOS电容......
在p型及n型 6H -SiC外延衬底上成功地制备了MOS电容 ,通过高频C～V测试 ,研究了SiO2 /SiC系统的物理性质和电学性质 .发现在SiO2 /p ......
实验发现正偏压下的MOS电容受辐照引起的平带电压位移与SiO_2栅介质膜厚度的三次方成正比。实验结果说明辐照感生界面态在MOS电容......
传统的纳米谐振器压阻检测在工艺上需解决制备结深浅、掺杂浓度高的薄层电阻的技术难题。基于MOS电容衬底压阻的谐振式纳米梁系统......
本工作采用TVS测量技术,系统地研究了铝栅MOS电容中可动离子数目随~(69)Co γ辐照剂量和辐照所加偏压的变化关系。结果表明:辐照后......
对于O_2栅氧化后注F的MOS电容进行了γ射线辐照试验,研究了不同注F剂量MOS电容的电离辐射响应特征。结果表明,注F能抑制辐射感生氧......
一种用于循环型模拟-数字转换器的新型数字校正技术，循环型模拟-数字转换器（ADC）使用了金属．氧化物-半导体场效应晶体管（MOS）电容，这种电......
获得在轨微小碎片环境数据，是建立、检验和完善微小碎片环境模型不可缺少的手段。国内空间碎片研究工作的深入开展，须要研制适合搭载......
利用ＳＯＦＲＯＮＢＳＴ－１５０５Ｃ型Ｘ光机，对三种ＭＯＳ电参０、２８受Ｘ射线照射后的平带电压的漂移量进行测试和分析，从而分析Ｘ射一辐射后对ＭＯＳ电容器件的影响。......
通过在n型碳化硅(SiC)晶圆上用物理气相沉积法(PVD)和原子层沉积法(ALD)分别沉积Y2O3介质和Al2O3,形成金属/Al2O3/Y2O3/SiC高k介质......
利用电容-电压(C-V)测量研究了界面陷阱对于硅纳米晶粒基金属-氧化物-半导体(MOS)电容结构的电荷存储特性的影响.研究表明硅纳米晶......
从微观氧化物电荷、界面态的感生变化及界面态的能量分布变化的角度,比较并分析了3种采用54HC电路工艺制作的MOS电容样品的总剂量......
采用高频C－V曲线方法，研究了50nm及15nmMOS电容电离辐射空穴陷阱及界面态的建立过程，二种样品电离辐射空穴陷阱电荷密度在1×10^3......
在可商业获得的N型6H－SiC晶片上，通过化学气相沉积，进行同质外延生长，在此结构材料上，制备MOS电容，详细测量并分析了6H－SiC MOS电容的电学......
在n型4H-SiC外延层上,采用H2,O2合成的办法,热生长30nm的SiO2层,并制备出Al栅MOS电容,完成了C-V特性的测试和分析工作,根据测试结......
为了使由模拟电路实现的混沌随机数发生器可以在标准数字CMOS工艺上实现，设计了一类基于MOS电容的混沌随机数发生器，可以作为一个通......
MOS电容在计算机电路中有着广泛的应用,受X射线辐射后的平带电压和阀电压的飘移,对计算机性能的稳定有着很大的影响.作者利用SOFRO......
ＳＩＭＳ对二氧化硅中钠离子有相当高的检测灵敏度，但其定量分析较为困难。在二氧化硅的ＳＩＭＳ图谱中，由一二氧化硅中的Ｎａ离子的计数和与“ＳｉＯ２”计数和之......
本文分析了非均匀掺杂衬底MOS电容对线性扫描电压的瞬态响应,提出了三角波C-V技术测量非均匀掺杂MOs电容少子产生寿命的方法.该方......
电子元器件的寿命预测对于制订寿命试验的规划，确定所需的试验时间及试验经费，都有十分重要的指导作用．基于BP神经网络提出了一种电子......
碳化硅(SiC)材料因其独特的物理和化学特性,使得SiC器件在高压大功率领域具有巨大的潜力,但是由于碳元素的存在,SiC MOS器件的栅氧......
论述了通过优化难熔金属栅电极的溅射工艺及采用适当的退火温度修复损伤来提高3nm栅氧W／TiN叠层栅MOS电容的性能。实验选取了合适的......
建立了一种解释脉冲MOS电容器中具有场增强特征的载流子产生的方法.与以往理论不同的是,本文考虑到了来自陷阱中心的载流子非库仑......
为研究抗热载子损伤的加固技术，对国产Ｎ型ＭＯＳ电容进行了Ｆｏｗｌｅｒ－Ｎｏｒｄｈｅｉｍ衬底的热电子高场注入（ＳＨＥ），并利用高频Ｃ－Ｖ及准静态Ｃ－Ｖ分析技术，从微观氧化物电荷、界面态的感......
采用新颖的干O2+CHCCl3(TCE)氧化工艺,制备了P型和N型6H-SiC MOS电容器,并与常规热氧化工艺以及氧化加NO退火工艺进行了对比实验.......
对比了目前常用的三种用54HC电路制作工艺制作的MOS电容的总剂量辐射实验结果,并从微观氧化物电荷、界面态的感生变化及其界面态的......
采用多陷阱的理论方法,模拟了不同剂量率辐照下MOS电容的总剂量效应,分析了氧化层空间电荷场效应与辐照剂量率的关系.研究了氧化层......
期刊
本文建议用耗尽的线性扫描电压扫描MOS电容样品。扫描开始前MOS电容被置于强反型态,以消除表面产生的影响。根据扫描所得的电容-时......
本文研究了半导体表面空间电荷区中的深能级中心的电场增强载流子产生效应;指出应全面考虑库仑发射和非库仑发射对载流于产生率的......
在传统氧化工艺的基础上,结合低温湿氧二次氧化退火制作4H-SiCMOS电容.通过I-V测试,结合Fowler-Nordheim(F-N)隧道电流模型分析了......
本文描述了硅中氮离子注入及其对硅热氧化生长的抑制作用。通过硅中氮离子注入，可获得高质量的薄氧化层。实验表明，只要氯离子注入条......
本文分析了导致Mos电容栅氧化层漏电的原因,并提出了一种新型低漏电电源钳位电路,克服了传统晶体管构建Mos电容所带来的较大漏电情......
摩尔定律预测硅材料CMOS器件特征尺寸按比例缩小已经接近其物理极限,InGaAs基金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)具有沟道材......
