本征吸除相关论文
李建明男31岁.1984年毕业于北京师范大学,1987年在北师大低能核物理研究所获硕士学位.现为中国科学院半导体研究所副研究员.主要从......
运用高温-低温-高温三步退火的本征吸除工艺研究了锗的存在对硅片清洁区形成的影响。发现直拉硅中杂质锗的存在可促进氧的外扩散,......
本文分析了硅CVD外延生长中金属杂质沾污、吸附-解吸机理模型和微缺分布规律,提出了用反向补偿原理优化外延工艺,有效地解决了硅外......
实验证明,经双吸除和本征吸除两种工艺处理后,硅片的机械强度有较大增加。从而可以认为硅片中引入的高密度层错和位错网络将对硅片......
在半导体器件制作中,须将晶片清洗后才进行工艺操作。随着构成器件各部分尺寸逐步缩小,结构日趋复杂,集成度不断增加,对净化的要求......
我院自动化系半导体材料教研室和天津市第四半导体器件厂共同研制的“直拉硅片中氧的本征吸除及其在集成电路工艺中的应用”科技......
上海有色金属研究所研究成功的“直径76.2毫米吸杂硅片新工艺”已于1986年10月在九江通过鉴定。鉴定会由上海市科委委托上海有色......
本工作采用反应堆中子活化分析与化学腐蚀剥层相结合的方法,进行本征吸除硅片对重金属杂质吸除能力的研究。 用高温热处理法,将一......
由于CMOS半导体器件具有功耗低、速度快等优点,得到了很大的发展。随着集成电路趋向大规模、超大规模化,CMOS工艺便被广泛采用。......
硅片中氧的最佳浓度可改善其机械强度和本征吸除性能。
The optimal concentration of oxygen in the wafer improves its mechan......
讨论了CZSi中氧的四类行为:(1)由石英坩埚中直拉法生长晶体时氧的行为;(2)间隙氧的本征行为,例如扩散等;(3)亚稳结构,有O-V_(si),......
由DZ宽度与退火时间和温度的关系曲线,测定了含氧硅在N_2、O_2、O_2~+5％HCI气氛中退火时硅中间隙氧的外扩散激活能。实验表明:在氧......
本文通过DLTS深能普和I-V反向特性的测试,研究了经氧本征吸除处理的晶片(I-G晶片)和一般抛光片(原始晶片)在电学性能上的差别。研......
先进的CMOS器件工艺采用硅外延片改进了抗闭锁性能。可是,用来改进抗闭锁性能的重掺杂衬底也会降低外延层质量。通过外延前后的本......
本文分析了表面热诱导微缺陷与体缺陷的相互作用,确定了表面热诱导微缺陷的主要来源,提出了消除的方法及其在检测漩涡缺陷方面的应......
用化学腐蚀法、光学显微技术、透射电子显微技术(TEM)和能量分散X线(EDX)分析方法,研究了在1100℃水汽氧化后在N型(100)硅片上发现......
采用离子注入,红外快速热退火方法制造硅探则器,由喇曼散射方法检测损伤消除效果,确定快速热退火的温度,借助本征吸除等工艺技术,......
为降低pn结反向电流可在器件制作工艺中采用一系列完美晶体器件工艺(PCDT).在实施过程中,作者对吸除工艺,应力补偿工艺等作了改进,......
对经中子辐照的直拉硅中的本征吸除效应进行了研究 .结果表明 :经中子辐照后 ,直拉硅片经一步短时退火就可以在硅片表面形成完整的......
本文介绍了本征吸除技术的产生、发展、应用,以及本征吸除的机制。...
