SiC晶体相关论文
石墨作为用于制备第三代半导体常用的坩埚及其它支撑材料,对所制备的半导体的性能具有重要影响。石墨是目前半导体制备使用最多的......
由于SiC 及其复合材料的高温力学性能、高温化学惰性、低感生放射性和强抗腐蚀能力，尤其是低中子俘获界面等特性，使之成为先进反应堆......
本文介绍了最近几年在SiC单晶生长和晶片加工技术产业化进程中的系列进展。研究出SiC单晶生长的扩径技术,4英寸SiC晶体单晶直径达1......
研究了用物理气相传输(PVT)法制备SiC单晶的过程中附加碳源对晶体生长速度及缺陷的影响,并将活性炭与SiC粉末一起加入到石墨坩埚中......
本文基于密度泛函理论及第一性原理,采用Materials Studio软件比较了LED常用界面材料导热胶中的填料SiC和Al-SiC的声子谱和能带结......
本文采用高分辨X射线衍射仪(HR-XRD)、显微聚焦拉曼光谱仪、偏光显微镜等对SiC晶片以及整个晶锭中结晶缺陷的分布进行了表征，重......
SiC晶体生长过程中源-衬距的减小影响晶体生长速率和晶体的品质。制定了下调坩埚系统高温区和不同粒度的SiC粉源分别放置在坩埚不......
异晶型夹杂是影响SiC晶体品质的关键因素之一.在分析耔晶、杂质、生长温度、生长初期工艺、籽晶装配工艺等影响SiC晶型可控生长主......
SiC作为新一代半导体材料,具有广阔的应用前景;而在晶体生长过程中产生的缺陷对晶体的质量产生了重要的影响。本文根据SiC晶体中的......
影响SiC器件商品化进程的主要问题是器件特性和制造成本,而制约SiC器件最佳性能和降低成本的主要因素是SiC晶体的尺寸和结晶品质。......
制备SiC晶体的历史可以追溯到1893年,但是真正引起重视还是在1961年6H-SiC以及1994年4H-SiC单晶材料的商品化之后,在20世纪90年代......
本文利用卢瑟福背散射/沟道技术(RBS/C)对稀土族元素铒离子和钕离子注入SiC晶体和Si晶体中的射程分布和损伤分布及退火行为进行了......
研究了用物理气相传输（PVT）法制备SiC单晶的过程中附加碳源对晶体生长速度及缺陷的影响，并将活性炭与SiC粉末一起加入到石墨坩埚中进......
晶体的本领洪昀王耆编译碳化硅制成的电子开关将能运行在会破坏硅芯片的环境当中。碳化硅装置能在热得足以熔化铅的温度为４５０℃的金星......
为了研究SiC晶体光学方面的应用，利用飞秒激光冷加工的特点，对SiC晶体进行精微加工，研究了激光脉冲功率和扫描速率对光栅单元的影响，选......
本文研究了三种不同种类的磨料对SiC单晶片去除率的影响。最终选用金刚石磨料作为SiC单晶片的化学机械抛光磨料。结果表明：固结磨料......
在许多新的SiC合成方法中,微波加热合成方法由于其独特的优点而最有可能实现稳定的加热和大规模生产,然而,有关理论系统性还不够,......
在成长水晶的 thermo 橡皮压力分发上的 6H-SiC 水晶生长形状的效果被使用一个有限元素方法系统地调查。在有扁平的生长形状的水晶......
本文从物理气相输运法生长碳化硅单晶的实际装置出发，对系统中的电磁感应部分建立模型，采用有限元素法对矢势进行数值分析，进而给出系......
第三代半导体设备技术是第三代半导体技术发展的重要支撑和基础。简要介绍了以SiC为代表的第三代半导体材料,重点介绍了SiC晶体生......
SiC原料的纯度、粒径和晶型直接影响生长单晶的结晶质量和电学性质,尤其是高纯半绝缘本征SiC晶体的制备需要使用高纯SiC原料。本文......
本文介绍了最近几年在SiC单晶生长和晶片加工技术产业化进程中的系列进展。研究出SiC单晶生长的扩径技术,4英寸SiC晶体单晶直径达1......
本文根据SiC晶体PVT生长炉的实际提出了生长系统温度场计算的流体力学模型,采用有限元法分析了生长腔内的热传导、辐射和对流对生......
利用显微激光拉曼光谱法对掺氮6H-SiC单晶中的寄生多型体进行了鉴别,结果表明其中有4H-SiC和15R-SiC两种寄生多型体.不同SiC多型体......
碳化硅晶体具有很高的导热系数,能够在高温下操作,作为有希望用于微电子机械系统的材料,引起了人们的广泛关注。本文使用3ω方法测......
SiC单晶材料具有许多优良的物理特性，在高温、高频、大功率、抗辐射等方面极具应用前景。但是目前，SiC电子器件走向实用化的进展比较......
碳化硅(SiC)晶体具有宽带隙（可见光到近红外光波段透过率高）、高杨氏模量和高硬度、以及高光损伤阈值等特性，使得制备的SiC晶体器件工......
基于密度泛函理论的第一性原理计算在研究凝聚态物质方面和材料设计方面越来越受到人们的关注,可将求解多电子问题转化为求解单电......
激光诱导周期性纳米微结构在多种材料包括电介质、半导体、金属和聚合物中观察到。研究了800nm和400nm飞秒激光垂直聚焦于6H SiC晶......
采用物理气相传输法（PVT）制备了2英寸Ge掺杂和非掺Si C晶体,并使用二次离子质谱仪（SIMS）、显微拉曼光谱（Raman spectra）仪、体式显微镜、......
