p-i-n相关论文
利用高质量自支撑GaN衬底,通过外延方法制备了垂直结构的GaN基p-i-n型二极管结构.通过对材料结构、杂质浓度分布以及对器件整流特......
Ultraviolet(UV) detectors with large photosensitive areas are more advantageous in low-level UV detection applications. ......
研究了GaN基p-i-n(p-AlGaN/i-GaN/n-GaN)结构紫外探测器的漏电机理.实验发现,在位错密度几乎相同的情况下,基于表面有较高密度的V......
制备和表征了p-i-n型的GaN基雪崩探测器。器件在-5 V下的暗电流约为0.05 nA,-20 V下的暗电流小于0.5 nA。响应增益-偏压曲线显示,......
制备了薄p型层GaN基p-i-n型紫外探测器,并对其反向漏电特性进行了研究。探测器材料采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石......
基于等效薄层电荷近似模拟表征极化电荷的作用,通过自洽求解Poisson-Schrodinger方程以及求解载流子连续性方程,计算并且讨论了p-A......
为了设计研制基于载流子色散效应的Si基光子器件,本文针对Si基光子器件的电学结构,利用Silvaco的器件仿真工具Atlas,并根据载流子......
介绍了InGaN紫外探测器的研制过程,并给出了器件的性能。利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法生长GaN外延材料,通过刻蚀、钝化、......
研究了石墨烯纳米带横向p-i-n结构探测器对太赫兹波的响应特性,基于载流子输运方程和泊松方程,建立了考虑迁移、扩散、生成、复合......
目前基于热激活延迟荧光(TADF)机制的有机电致发光器件的巨大优势使得研究者们趋之若鹜,其在显示和照明领域有着十分远大的前景。......
通过求解光生载流子连续性方程,得出GaN基p-i-n型紫外探测器耗尽层中的光生载流子密度分布.根据泊松方程计算了光生载流子屏蔽电场......
利用光电流谱 ,结合 X射线双晶衍射研究了快速退火对 Si1 - x Gex/ Si多量子阱 p- i- n光电二极管的影响 .由于应变 Si Ge的部分弛......
研究了背照式InGaN p-i-n结构的紫外探测器的制备与数值模拟。通过低压金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法生长p-GaN/i-InGaN/n-GaN......
用硅烷(S_iH_4)的高频辉光放电制备的无定形硅制作了P—i—n结构视象管靶,在光敏层和涂有透明导电极(SnO_2:Sb)的基片之间有一薄层......
文章介绍了Ⅲ-V族叠层太阳电池抗辐照设计的基本思路,提出了Ⅲ-V族叠层抗辐照太阳电池的两种改进结构p-i-n结构和线性掺杂结构,并......
由于GaN禁带宽度大、热稳定性和化学稳定性好,在紫外探测器有重要的作用.GaN紫外探测器在飞行器制导、火灾监测、航天等领域有重要......
Numerical simulation of the effect of the free carrier motilities on light-soaked a-Si:H p-i-n solar
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
研究了GaN/AlGaN异质结背照式p-i-n结构可见盲紫外探测器的制备与性能。GaN/AlGaN外延材料采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法生......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
采用p-AlxGa1-xN/i-GaN/n-GaN异质结构成功制备了含铝组分分别为0.1和0.07的正照射可见盲紫外探测器,并分别测试了它们的伏安特性......
第一次报道了以高温AlN为模板层的AlGaN基p-i-n背照式日光盲探测器的制作和器件特性.利用MOCVD方法在(0001)面的蓝宝石衬底上生长......
一种新型的a-si太阳电池已被研制出。该种电池是由多重p-i-n单元电池组成,其开路电压V_oc几乎和p-i-n单元数成正比。......
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本文研究了p-GaN/i-GaN/n-Al0.3Ga0.7N异质结背照式p-i-n可见盲紫外探测器的制备与性能。器件的响应区域为310～365nm,最大响应率为0......
制备了Al0.1Ga0.9N/GaN异质结P-I-N结构可见盲正照射紫外探测器。用能量为0.8MeV的电子对器件依次进行注量为5×10^14,5×......
与商用硅基或磷化镓光电二极管相比,In Ga N基可见光光电二极管在窄带通可见光应用领域表现出明显优势。到目前为止,In Ga N/Ga N ......
AlGaN基光电探测器在军事高科技和民品市场通讯和成像方面具有很高的价值.分析了AlGaN p-i-n光电探测器的结构对性能的影响,深入阐......
研究了Al0.1-Ga0.9N／GaN异质结p-i-n结构可见盲紫外探测器的制备与性能,P区采用Al组分含量为0．1的AlGaN外延材料形成窗口层，使340-365......
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将8-hydroxy-quinolinato lithium（Liq）掺入4’7-diphyenyl-1，10-phenanthroline（BPhen）作为n型电子传输层（ETL），将tetrafluro-tetracyano-......
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第一次报道了以高温A1N为模板层的A1GaN基p-i—n背照式日光盲探测器的制作和器件特性，利用MOCVD方法在（0001）面的蓝宝石衬底上生长了......
Modelling of the Quantum Transport in Strained Si/SiGe/Si Superlattices Based P-i-n Infrared Photode
In this paper, a p-i-n heterojunction based on strain-compensated Si/Si1-xGex/Si multiple quantum wells on relaxed Si1-y......
紫外光电探测器在军事,环境,生物科学等领域有广泛的应用。4H-SiC材料具有宽带隙,高热导率,高临界击穿场强,抗辐射,抗腐蚀等优点,......
制备了一种基于新的电荷生成层m-MTDATA∶MoO3的叠层有机电致发光器件。叠层器件与单发光层器件相比,发光亮度和电流效率均有成倍......
高性能的紫外光电探测器是紫外探测技术中的核心技术,在军事和民用等领域有着广泛的应用。4H-SiC材料由于其物理性能突出,禁带宽度......
文章介绍了Ⅲ-Ⅴ族叠层太阳电池抗辐照设计的基本思路,提出了Ⅲ-Ⅴ族叠层抗辐照太阳电池的两种改进结构p-i-n结构和线性掺杂结构,......
将8-hydroxy-quinolinato lithium(Liq)掺入4’7-diphyenyl-1,10-phenanthroline(BPhen)作为n型电子传输层(ETL),将tet-rafluro-te......
第一次报道了以高温AlN为模板层的AlGaN基p-i-n背照式日光盲探测器的制作和器件特性.利用MOCVD方法在(0001)面的蓝宝石衬底上生长......
作为第三代半导体材料,碳化硅(Silicon Carbide,SiC)材料性能优越,可以被用在电动汽车、电机驱动以及国防军工等高压、高频、高温......
肖特基-p-i-n整流二极管（MPS）的作用机制比较复杂．采用数值模拟的方法研究MPS的工作机制，清晰地给出了肖特基势垒、p-n结势垒以及两种......
有机电致发光器件(Organic Light-emitting devices,OLED)具有自发光、亮度高、视角广、响应快、轻薄、可揉、成本低、环境适应性......
III族氮化物半导体氮化镓(Ga N)具有宽禁带、直接带隙、热稳定性和化学稳定性高等优势,是制备紫外探测器的理想材料。Ga N基紫外探......
