器件模型相关论文
氮化镓(GaN)器件是第三代功率半导体的重要代表,GaN功率器件相比与传统硅(Si)器件有更强的耐压能力,相同耐压下导通电阻极低,损耗小,其......
随着无线通信技术的发展,雷达技术被广泛地应用于目标识别、定位探测及医疗健康监测等领域。T/R(Transmitter and Receiver,T/R)组件......
近年来,非晶半导体薄膜晶体管(thin-film transistor,TFT)由于具有良好的机械柔韧性、与任意基板的兼容性、低成本和低温下大面积可......
本文针对实际维护PCB板中对含存储器模块的电路系统的测试需求,从测试角度对ROM和RAM建立一种复杂器件模型.方案在确认模型正确的......
提出了一种基于石墨烯纳米条带阵列的光电探测器(GNR-PD)结构, 讨论了器件的解析模型。基于二维泊松方程, 在弱非局域近似条件下建......
以“四个面向”为引领,复旦大学微电子学院教授周鹏团队针对主流电荷存储器技术,发现了制约硅基闪存技术的原理瓶颈,提供了可以应......
近日,复旦大学微电子学院教授周鹏团队针对主流电荷存储器技术,发现了硅基闪存技术的原理瓶颈,提供了可以应用于硅材料的器件模型,......
一般认为,有机太阳能电池开路电压的上限由给体的HOMO能级和受体的LUMO能级的差决定,在常温下由于无序效应的影响会比上限给出的......
包含新技术、新材料的非传统器件的不断涌现使现有的模型已不能完全表征THz器件的特性。而采用神经网络建模的方法,可极大地提高建......
本文采用了大信号瞬态分析方法,从砷化镓(GaAs)材料参数和器件几何参数出发,通过求解Poission方程和连续性方程,模拟出FET器件端口特性,得到了大小信号器......
SOI-MOSFET主要模型参数得到一致的提取,因而该模型嵌入SPICE后能保证CMOS/SOI电路的正确模拟工作,从CMOS/SOI器件和环振电路的模拟结果和实验结果看,两者符合得较好,说......
阐述了光纤通信前置放大器的设计原理,分析了光接收机中PIN二极管和GaAsFET器件的信号模型和噪声模型,提取了放大器用GaAsFET器件的模型参数(包括大信号......
鉴于SPICE是目前世界上广泛采用的通用电路模拟程序,且具有可扩展模型的灵活性,我们通过修改SPICE源程序把新器件模型──SOIMOSFET模型移植入SPICE中,通过我们......
介绍了一种对双向S型负阻器件进行二维数值模拟的方法,并用此方法模拟得出器件的I-V曲线及截止状态和导通状态下器件内部电位、电子空穴......
小型IC封装中的模拟功能,给PC板布线设计提供了更多的灵活性,但当实现“小型化”的时候,必须考虑设计的指导原则、散热和生产工艺......
介绍了以栅宽0.4mm 器件为基础的8mm 单级单片 IC 的设计、制造及性能测试等。该单片在32~33GHz,输出功率大于100mw,增益大于3dB,最......
PSPICE 4.0是1989年由美国加州大学伯克利分校推出的电子电路模拟分析软件。PSPICE是一个通用的电路分析程序,具有很高的模拟精度......
本文介绍了一种对双向S型负阻器件(BNRD)进行二维数值模拟的方法.并用此方法模拟得出了器件的Ⅰ-Ⅴ曲线及截止状态和导通状态下器件的......
本文从器件的几何、材料和工艺参数出发,获得了低功耗低噪声增强型(E型)GaAsMESFET(简称EFET,下同)模型的等效电路元件值.研究了器......
本文对BiCMOS倒相器延迟特性进行了系统研究,在分析比较MOS与双极器件及其组成电路不同状态下的工作特点基础上,得到BiCMOS倒相电路在小注入、大注入......
鉴于器件模拟参数在电路模拟中的重要性,本文选择了较为理想的模型参数提取方法─统计试验法,并从理论上解决了该方法在迭代求解过程......
本文在分析栅控混合管(GCHT)物理机制的基础上,提出了一种新的计算SOI/GCHT集电极电流的解析模型.在同时考虑扩散及漂移电流的基础上,建立了栅控电流......
介绍了采用栅长为0.15μm的钝化In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As/InPHEMT的高效W波段功率单片微波集成电路(MMIC)。0.15×320μm单级InP功率HEMTMMIC放大器在94GHz时的最大功率附加效率为23%,输出功率为40mW,功率增益为4.9dB。......
论述了深亚微米MOS器件模型BSIM2。从强反型区、亚阈区、过渡区及输出电阻等几方面,以物理概念为基础进行了较详细分析,并与国内1μm工艺的nMOS测量......
本文简要叙述了开发和研制BSIT的市场背景和技术现状;对BSIT(BipolarStaticInductionTransistor)器件模型进行了理论分析;对BSIT器件的......
本文提出一种新的双极型压控晶体管模型,并说明其工作原理。这种器件有两种载流子参与导电,有较大的电流密度和功率,导电能力又受电压......
通过使用等效电路法,利用国际通用电路模拟软件包PSPICE对新型的电力电子器件MCT进行特性模拟和分析,并对Harris公司的器件MCTV75P60......
采用近年发展的两种电行控制模型及改进的两区v-E模型推导了“反向”器件模型,从直流I-V特性分析求解了Al0.3Ga0.7As/GaAsHEMT的结构参......
本文利用经适当修改的Yih-FengChyan等人的PET大注人模型编制了程序,结合实例模拟了在大注入条件下具有发射区、基区指数掺杂分布的PET的输人特性、输出......
通过大量辐照实验分析了采用不同工艺和不同器件结构的薄膜短沟道CMOS/SIMOX器件的抗辐照特性,重点分析了H2-O2合成氧化和低温干氧氧化形成的薄栅氧......
本文在考虑到界面态陷阱的基础上,建立了HEMT的静态和交流小信号解析模型,该模型能够正确地描述HEMT的Kink效应和低频偏移效应,并和实验符合相当好......
本文提出一种利用双极晶体管(BJT)静态和动态参数相关性,准确提取器件动态模型参数的新方法,并验证了该方法的可行性和实用性。
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本文讨论双极型晶体管(BJT)器件模型参数提取的最优化方法,提出了一种解决全局最优的组合算法,与通常的Gauss-Newton法相比,其突出的优点是:在计算过程中......
SOI材料技术的成熟,为功耗低、抗干扰能力强、集成度高、速度快的CMOS/SOI器件的研制提供了条件。分析比较了CMOS/SOI器件与体硅器件的差异,介绍了国外薄......
建立了一种新的功率MOSFET等效电路,以便利用先进的电路模拟软件PSPICE对功率MOSFET所有特性进行模拟和分析.对IR公司的各类HEXFET进行的模拟结果与其数据手册中......
VeriBest 公司提供的EDA产品,能进行模拟电路、数字电路、模/数混合电路的设计与仿真,实现 FPGA的设计与综合,完成PCB的设计与校......
在MOS结构的窄沟器件、倒比器件中,鸟咀区下的势垒层所构成的非本征电容Cgb0对集成电路的高频特性有较大影响,但由于它与本征电容并联,且有杂......
本文对AlGaInP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)进行了研究.设计并制备了AlGaInP为发射极的叉指结构HBT器件.研究结果表明,AlGaInP/GaAsHBT具有较高的电流增益和较好的温度特性.同时,由于......
介绍了SOIMOSFET 二维数值模拟器的设计过程。耦合和非耦合相结合的迭代方法提高了收敛稳定性和计算效率。考虑了两种载流子的连续性方程及......
如今,以平衡方式或差分方式驱动的音频线路可以在接近1000英尺的距离内传送高质量的信号已经不是什么新鲜事了。下面要做的只是能......
在分析BJT的G-P器件模型参数温度效应的基础上,提出了采用自洽模拟和外部控制循环,利用PSPICE对包含自加热效应的BJT电路进行直流和瞬态模拟的方法,其......