δ掺杂相关论文
本文试图在坡镆合金和铜的界面处插入δ层金属Ta和Cr,进而来研究δ掺杂后的坡镆合金/铜多层膜界面结构.......
会议
本文试图在坡镆合金和铜的界面处插入δ层金属Ta和Cr,进而来研究δ掺杂后的坡镆合金/铜多层膜界面结构.......
半导体中掺杂是控制半导体的光电性能的手段,杂质在半导体中的浓度和分布等结构参数与材料的物理性质直接相关。随着分子束外延等......
利用二次离子质谱（SIMS）和电化学剖面C－V方法研究了生长温度对GaAs中理想Siδ掺杂结构的偏离和掺杂原子电激活效率的影响。实验发现，外......
采用远红外时间分辨光谱,研究了量子限制效应对δ掺杂在GaAs/AlAs多量子阱中铍(Be)受主态寿命的影响.在低温下的远红外吸收谱中,清......
对一系列δ掺杂浅受主铍(Be)原子的GaAs/AlAs多量子阱和均匀掺杂Be受主的GaAs体材料中Be原子的能级间跃迁进行了光致发光(PL)研究.......
X射线低角反射实验技术是测定固体材料表层中杂质原子深度分布的有效手段.利用同步辐射X射线反射技术和近年来发展的由反射实验数......
用有效质量理论研究了δ掺杂势中电子和空穴的行为。发现能量接近于δ势垒峰的空穴穿越势垒时能产生一系列谐振态。这些状态中的空......
本文就taC:N膜特殊光电导行为进行了研究。经研究得出，正是由于Ν的π-掺杂构型的存在，在半导体的导带中又产生了一个N的π-能级，这个......
在这篇文章中,我们提出了在传统双势垒结构的SPACER层中增加一层δ掺杂的RTD结构,并成功生长出了峰谷比为2.8谷值电流密度为11.8kA......
该文提出通过优化δ掺杂PHEMT夹断电压数值提高器件功率性能的设计，在工艺上采取使用简便的电学控制腐蚀替代常用的化学选择腐蚀方......
采用金属有机化合物气相淀积方法生长了900nm的三叠层隧道级联激光器。针对隧道级联激光器存在工作电压高、材料各层的光场耦合等......
低温下观察了弱耦合δ掺杂ＧａＡｓ超晶格的辐射复合发光．实验结果表明：除观察到基态的复合发光外，还观察到激发态的复合发光．基于有效质量近似......
用X射线衍射方法通过不同晶面的ω扫描测试,分析了Si衬底GaN蓝光LED外延膜中n-型层δ掺杂Si处理对外延膜结晶性能的影响。报道了Si......
从实验和理论上,研究了量子限制效应对限制在GaAs/AIAs多量子阱中受主对重窄穴束缚能的影响.实验中所用的样品是通过分子束外延技......
X射线低角反射实验技术是测定固体材料表层中杂质原子深度分布的有效手段。利用同步辐射X射线反射技术和近年来发展的由反射实验数......
用分子束外延在Ga As（001）衬底上生长了两个量子阱结构的霍尔器件,一个是没有掺杂的量子阱结构,一个是Si-δ掺杂的量子阱结构。研究......
使用自动变温霍耳测试系统测定了减压ＭＯＶＰＥ外延生长的锌δ掺杂ＧａＡｓ结构，结果表明，改进δ掺杂工艺在５５０℃下掺杂可获得高达３×１０＾１３／ｃｍ＾２的室温二维空穴浓......
利用能量输运模型（ＥＴＭ）系统研究了沟道δ掺杂分子布对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ结构特性的影响，发现δ掺杂结构不仅能够有效地抑制短沟道效应，而且可以获得......
为充分利用应变SiGe材料相对于Si较高的空穴迁移率,研究了Si/SiGe/Si PMOSFET中垂直结构和参数同沟道开启及空穴分布之间的依赖关......
用有效质量理论研究了δ掺杂势中电子和空穴的行为。发现能量接近于δ的势垒峰宾空穴穿越势垒时能产生一系列谐振态。这些状态中的......
建立铁磁条调制下含有δ掺杂的磁纳米结构模型,计算不同δ掺杂位置及高度时电子的透射几率及自旋极化率,重点研究了该纳米结构中电......
通过光致发光光谱，研究了量子限制效应对GaAs体材料中均匀掺杂和-系列GaAs／AlAs多量子阱（阱宽范围从30A到200A）中δ-掺杂浅受主杂质铍（B......
评述了国际上δ掺杂样品ＳＩＭＳ分析的现状，研究了相关的基础实验技术，讨论了分析硅δ掺杂的ＡｌＧａＡｓ样吕时，选择高质量分辨及对不同一次离子参量下相......
测量了一系列不同隔离层（ｓｐａｃｅｒ）厚度、阱宽和硅δ掺杂浓度的单边掺杂的赝形高电子迁移率晶体管（ｐＨＥＭＴｓ）量子阱的变温和变激发功率光致发光谱，详细研......
利用二次离子质谱（ＳＩＭＳ）和电化学剖面Ｃ－Ｖ方法研究了生长温度对ＧａＡｓ中理想Ｓｉδ掺杂的结构的偏离和掺杂原子电微活效率的影响。实验发现，外延生长Ｓｉδ掺......
微电子学和光电子学的迅速发展,要求能对掺入半导体晶片中的杂质数量、深度和浓度分布进行精密控制,因此原子平面掺杂和超浅层掺杂......
采用以碳纤维为碳源的固态源ＭＢＥ技术，生长了不同厚度的重掺碳ＧａＡｓ以及具有不同表层厚度的δ碳掺杂ＧａＡｓ通过Ｎｍａｒｓｋｉ干涉显微镜和原子力显微镜对样品表面......
从实验和理论上,研究了量子限制效应对限制在GaAs/AlAs多量子阱中受主对重空穴束缚能的影响.实验中所用的样品是通过分子束外延技......
测量了用MOCVD技术制造的InP δ掺杂样品的磁输运特性,量子化Hall效应和高电场下的热电子效应.得到了该样品的载流子分布,子能带结......
回 回 产卜爹仇贱回——回 日E回。”。回祖 一回“。回干 肉果幻中 N_。NH lP7-ewwe--一”＄ MN。W;- __._——————》 砧叫]们......
低温下观察了弱耦合δ掺杂ＧａＡｓ超晶格的辐射复合发光－实验结果表明：除观察到基态的复合发光外，还观察到激发态的复合发光，基于有效质量近似......
美国喷气推进实验室的研究人员目前正在研制一种带δ掺杂和集成光学滤光片的减薄型硅CCD器件,这种CCD器件为背照式器件,它将被用作......
利用低温生长技术抑制Ｓｂ偏析，实现了Ｓｂ的δ掺杂。同步辐射Ｘ射线反射率测量表明Ｓｂ被限制在很窄的范围，约２个内。基于量子阱可作为一个“大陷阱......
本文利用了光调制光谱（ＰＲ），原位测量了ＧａＡｓ（００１）表面Ｓｉ－δ掺杂结构样品，研究了不同掺杂浓度对Ｓｉ－δ掺杂相关的光谱结构的影响，观察到了Ｓｉ－δ掺杂结构中，价带连......
本文设计了一种新材料结构的InGaAs／InP双异质结晶体管（DHBT），并利用双异质结电流模型计算和分析了材料结构参数对InGaAs／InP DHBT集电......
碳化硅（SiC）材料作为高温、高频以及大功率电子器件制备的理想半导体材料,近年来越来越受到世界各国的广泛关注。由于4H-SiC材料的宽......
太赫兹波在电磁波谱中位置特殊并且有许多优点和潜在的利用价值,因此处于远红外波段的太赫兹发光器或激光器的理论和实验研究理所......
提高集成度,发展新型器件是当前集成电路发展的一个重要方向。实空间转移晶体管RSTT具有高频、高速、可控负阻等特性,且可与HEMT或......
