导带相关论文
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我们研究了一系列高质量ZnMnO外延薄膜的磁性以及对应的Mn2+/3+的激发态的PL谱.如图1(b)所示,在温度为5K的时候,在非铁磁性的ZnMnO......
近几年,2D-3D异质结结构由于可以作为密集型集成光路的良好平台而受到了广泛的关注,该异质结结构既可以充分利用二维结构中器件设计......
国家安监总局、国家煤监局目前组织召开《煤矿领导带班下井及安全监督检查规定》宣贯会,深入贯彻国务院《关于进一步加强企业安全生......
利用色散法研究了在入射角大于全反射角时弹性波在一维半无限周期声子晶体中的传输特性。结果发现当弹性波大于全反射角入射一维半......
建立了一维无限周期声子晶体的谐振腔模型,利用谐振腔的共振条件推导出全反射隧穿导带频率满足的解析公式,从理论上解释了一维无限......
由于日益严重的环境和能源危机,可见光催化剂的开发已成为当今最具挑战和紧迫的任务之一.将TiO_2和其它窄禁带半导体复合,已被证明......
在光电子器件中使用砷化镓(GaAs)比使用硅优越,因为GaAs的电荷载流子迁移率较高,导带间隔也较宽,因而能在高温下使用。虽然GaAs材......
在去年初評中,测量四队发现有些班的同志,不能正确地对待自己的缺点和虛心学习別人的长处。因而受表揚高兴,沒受到表揚或受表揚少......
一、前言根据物质导电的能力,可以把它們分为三类:即导体(金属)、半导体和絕缘体。三类物质的能带分布如图1所示。从图1可以看出......
美国西北大学的研究人员证实了在室温下5.9μm的量子级联(QC)激光日产生的平均功率达0.67 W。该小组通过增加异质结构的导带间距、......
通过对室温下的本征氮化镓材料进行不同波长(360 nm~377 nm)的光照,分析了本征氮化镓中的持续光电导及其复合机制。实验的结果证明......
采用结合形变势理论的k.p微扰法建立了(101)面弛豫Si1-xGex衬底上生长的双轴应变Si的带边模型.结果表明:[001],[00],[100]及[0......
借助深能级瞬态傅里叶谱研究了钒离子注入在SiC中引入的深能级陷阱.掺入的钒在4 H-SiC中形成两个深受主能级,分别位于导带下0.81和......
基于对称性分析,应用KP微扰理论确定了应变Si1-xGex(0≤x...
利用分子束外延系统在Si(001)衬底上制备了单晶Tm_2O_3薄膜,利用X射线光电子能谱研究了Tm_2O_3相对于Si的能带偏移.得出Tm_2O_3相......
在有效质量近似下,采用三角势近似异质结界面处导带弯曲,并计及流体静压力效应,利用变分原理研究了有限高势垒GaN/AlxCa1-xN球形量......
为贯彻落实江总书记“三个代表”的重要思想,继续深入开展“三个代表”教育活动,龙门县农机监理站以实际行动切实转变机关工作作风......
汪满田茶场,地处全国历史文化名城、全国著名的名优茶产区、徽商的发祥地一黄山市歙县.歙县曾被誉为“全国产茶之最县”,是黄山毛......
本刊讯近日,中华全国总工会已先后派出8支由全总领导带队的调研队伍,分赴广东、天津等地就“服务科学发展、服务职工群众”的主题......
镧在高压下原子体积减小,导带中f成分增加,这是促使镧在高压下超导转变温度增加较大的重要因素。某些镧合金及化合物的超导转变温......
利用深能级瞬态谱(DLTS)、傅里叶变换红外光谱(FT-IR)对GaN以及GaN掺Er/Pr的样品进行了电学和光学特性分析.研究发现未掺杂的GaN样......
近期,为加强对新农村建设档案工作的管理,提高农村档案工作整体水平,县档案局从“三到位”入手深化新农村档案工作:一是任务部署早到位......
本文研究了Cd_2SnO_4薄膜光致发光的某些性质.Cd_2SnO_4膜是利用Cd-Sn合金靶在Ar+O_2气氛中反应溅射而成的.实验研究表明,Cd_2SnO_......
基于经验赝势法得到的能带结构数据,采用分段多项式拟合获得ZnS能带结构的解析表达式,建立解析能带模型.使用建立的模型计算得到各......
本文指出两种不同的补偿机理是引起深硼注入后观测到的载流子移出的原因:1)注入损伤,它主要引进导带下约0.55eV处的一个深能级窄带......
直流场致发光的条件 在适当条件下,当电子从高能态落到低能态时,就产生光发射。为了增多高能态的电子,需要额外的载流子。在半导......
对高纯外延 N 型 GaAs 的高压霍尔测量作到了60千巴,结果表明,在50千巴和室温下,X_(1C)迁移率为350±40厘米~2伏~(-1)·秒~(-1)。X......
n 型碲镉汞在80°K 受电子辐照后电子密度增加,其速率取决于瞬时电子密度——费密能级。为说明这些结果,提出了缺陷能级模型,它由......
本文用导带三能谷模型具体讨论了n-GaAlAs中载流子浓度的温度特n_0(x,T)。分析表明:在较高温区(T>200K)载流子浓度的多谷修正是不......
一百多年以前,人们就把周围的材料按照导电能力的大小分为导体(金属)、半导体、绝缘体三类.金属的室温电阻率一般在10~(-4)到10~(-6)......
在温度4.2~77K、磁场强度0~5T、不同电场强度条件下,对不同参数材料的样品进行了物理测试。在低温、弱电场下即欧姆电场区,以横向磁......
In electroluminescence the extrinsic light emission follows the impact excitation of discrete centers and the impact io......
本文介绍了一种成本低、稳定性好的钛铜镍金多层复合导电系统,提出了应用连续溅射的方法,探讨了镍层阻挡铜金扩散的作用。
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本文从磷掺杂对价带顶上隙态和导带带尾分布的影响,讨论了掺杂对非晶硅隙态的影响。轻掺杂使带隙深处态密度增加;重掺杂还加宽了价......
研究了分子束外延GaAs/Si光致发光谱的激发强度和温度依赖关系。确定出2个本征发光峰,分别对应于导带至m_J=±3/2和m_J=±1/2价带......
在室温和液氮温度下对不同层厚的GaAs/AlAs短周期超晶格在0—50kbar范围内进行了静压光致发光研究。在导带最低能级为类Γ态能级(......
人们普遍认为,InAlAs/InGaAs/InP系统是极有发展前途的低噪声、高频器件材料。因为与InP晶格匹配的In_xGa_(1-x)As中In组分x值为0.......
本文报道弹性应变及结构参数对 InAs/GaAs应变层超晶格导带、价带不连续性及其子能带结构的影响.通过分析流体静应力和单轴应力对......