介质击穿相关论文
近年来无线通信设备逐渐小型化、复杂化,为了实现更大的工作带宽,设备的传输功率不断增大。大功率运行期间的固体和气体介质的击穿......
针对现有的高阻故障模型难以描述导线触树故障的过渡电阻缓变特征的问题,在分析导线触树故障物理机理的基础上,建立了基于实际物理......
文章叙述了高速高压光电耦合器的工作原理、制作工艺、器件特性以及设计考虑。
The article describes the working principle, m......
共模扼流图 CM-3422T600R共模扼流圈具有2线配置和标准表面贴装端接器。在1GHz时阻抗为135Ω,电抗为10Ω。扼流圈的载流容量为6A,......
国产Ａ／Ｄ（模／数）、Ｄ／Ａ（数／模）转换器是重点电子产品，属大规模集成电路。我国军用和重点工程对Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａ的需求很大，而目前高位数和高精度的该类产品主要仍......
０１７ ＭＯＳＦＥＴ区柱状焊块引起的器件退化和退火对退化的影响（Ｄｅｖｉｃｅ Ｄｅｇｒａｄａｔｉｏｎ Ｄｕｅ ｔｏＳｔｕｄ Ｂｕｍｐｉｎｇ Ａｂｏｖｅ ｔｈｅ ＭＯＳＦＥＴ Ｒｅｇｉｏｎ ａｎｄ ｔｈｅＥｆｆｅｃｔ ｏｆ Ａｎｎｅａｌｉｎｇ ｏｎ ｔｈｅ Ｄｅｇ
017 Device Degradation Due to Random Bumping Above t......
56 可靠性的挑战 :新世纪的新材料将使摩尔定律曲线出现间断 (ＴｈｅＲｅｌｉａｂｉｌｉｔｙＣｈａｌｌｅｎｇｅ :ＮｅｗＭａｔｅｒｉａｌｓｉｎｔｈｅＮｅｗＭｉｌｌｅｎｉｕｍＭｏｏｒｅ’ｓＬａｗＤｒｉｖｅ’ｓａＤｉｓｃｏｎｔｉｎｕｉｔｙ)———1 998Ｉｎｔｅｒｎａｔ
56 Reliability Challenges: New material in......
在实验研究和理论分析的基础上 ,对混粉电火花加工过程中极间介质的击穿机理进行了研究 ,以探索混粉电火花加工改善工件表面质量的......
对电解液中的放电过程及其特点进行了研究。在实验分析的基础上,描述了电解液中两极间进行放电的过程,提出了极间介质是先气相击穿......
利用飞秒激光在熔融石英介质中传输产生能量达数毫焦、波长范围覆盖400—900 nm且光谱分布较为均匀的超连续白光,实验过程中将熔融......
对静电放电(ESD)测试所得到的失效样品进行了物理失效分析,采用塑封体背面研磨、光发射显微镜(EMMI)从背面抓取热点的方法进行异常......
随着信息时代的蓬勃发展,诸如物联网、大数据、人工智能之类的新兴信息科技对海量的数据收集与分析的需求日益增大,因而对现存的数......
据宾夕法尼亚州立大学的一组研究人员称,一种新型的轻质复合材料可在柔性电子设备、电动汽车和航空航天应用中的储能方面有所应用,......
内容; 一、导论 1.绝缘体中的电荷传输 2.微分负电阻 3.介质击穿二、冶成过程 1.冶成的观察结果 2.冶成过程的模型三、传导、开关......
我们在修理设备时遇到双作用液压缸,橡胶皮碗如图1所示。该皮碗结构由于内径d较大,使压片2所压的面积较小,在受较高压力冲击的情......
在0℃到室温范围内,研究了水中通过液体的光击穿机制所产生的声脉冲。与热膨胀机制下所产生的声脉冲不同,通过液体介质光击穿机制......
简述了阻隔包装材料的静电起电原因和静电危害,提出了阻隔包装材料的静电防护措施。
The cause of electrostatic charge and the......
本文从复合介质击穿的角度,探讨了电火花电解复合加工的机理.指出电火花电解复合加工脉冲电源的作用,以及在该电源作用下复合介质......
进口汽车的电子线路故障特点可以逐一地与其使用特点相联系。一般电子元件对过电压、高温十分敏感,因此,进口汽车电子线路的故障......
炸药用管道压气输送往往产生静电,因此在炸药的气体分散介质中难免发生火花,这是非常危险的。研究炸药压气输送的劳动安全措施,不......
绝缘层的击穿特性是影响半导体器件成品率和可靠性的重要工艺参数。通常的介质击穿测量,往往在第一次发生击穿后便因同衬底短路而......
用液晶显示、自愈合介质击穿和C-V测试等技术对V形槽壁上热生长二氧化硅膜进行了质量检测.检测结果表明,只要采用恰当的工艺,V形槽......
研究了在1200℃下掺入少量三氟乙烯(TCE)时硅的热氧化动力学。这种条件下的抛物线(B)和直线(B/A)速率常数大于无TCE时标准氧化的数......
采取闷炉法热驻极体制作的传声器具有灵敏度高、稳定度大、寿命长的特点。本文对其驻极工艺及传声器性能进行了介绍。闷炉发热驻极......
众所周知,SiO_2/Si结构的离子注入会使SiO_2薄膜和硅衬底受到损伤。本文讨论了超薄氧化物经砷离子注入后的质量退化现象,该退化现......
1981年以来,在新泽西州普林斯顿的RCA微电子中心(MEC)和RCA实验室开展了先进的短沟道CMOS/SOS阵列的研究。在200℃的保持温度下,通......
IC即集成电路是未来信息世界的主要物质基础之一.它自1960年前后在Si平面技术基础上发明以来,先后经历了小、中、和大规模电路(即S......
在恒流应力条件下,用时间相关介质击穿(TDDB)特性,研究了Ar-O_2热生长SiO_2的时间相关击穿的电荷性质。研究结果表明:(1)相关击穿......
本文介绍了二氧化硅介质击穿场加速因子的计算方法。根据氧化层总电荷量不变(对用相同工艺步骤制造的MOS电容而言)的观察结果,并假......
ＣＳＤ－１－Ｉ－１型单通道彩色电视发射机薄膜电容器应急代换一例北京广播器材厂生产的ＣＳＤ－１－Ｉ－１型１ｋＷ单通道彩色电视发射机末级ＦＣ－７３２Ｆ板级隔直电容Ｃ＿６是一种特殊结构的薄......
这个专利提供了一个液晶的工作方法,使响应时间缩短,而不影响工作寿命。使用的方法是:把超过液晶产生最大光散射需要的电场,加在液......
自1968年起,对于SiO的蜕变与击穿是由于电应力导致缺陷产生的论点,已经历了长达三十多年的研究,产生了多种模型解释.其中有两种主......
带静电的人体手持小金属工具、物件操作过程中，对微电子器件放电造成微电子器件的介质击穿、PN结破坏、布线膜融熔、内引线烧坏等等......
IELDVD060:9322:29630-99 0600075 设备失效分析中扫描电容显微术应用(掺杂分布测定) =The application of scanning capacitance ......
目前研究室正承担一种基于开关振荡器的宽带装置的项目研究,前期研究表明,开关振荡器闭合开关的工作性能决定着宽带装置的辐射功率......
目的 根据影响介质击穿的主要因素, 阐述了交流击穿抗电装置的容量指标问题. 方法 在确定击穿抗电装置的容量时, 不仅要......
湿影响 crusher 在水媒介习惯于故障浪费印刷电路板(印刷电路板) 。在压碎的产品和操作参数的收益之间的关系被建立。压碎的机制被......
根据影响绝缘介质击穿的主要因素，本文着重阐述了交流耐压击穿装置的容量指标问题，在确定耐压击穿装置的容量时，不仅要考虑到被试样件......
在工程师们试图使高k介质和金属栅迅速地进入生产的同时，科学家们正在忙于对这些新型叠层结构的电学性质进行快速的表征。在最近的......
