电应力相关论文
氮化镓(GaN)是第三代半导体材料的典型代表,也是近年来研究的热点。与传统的Si材料相比,其饱和漂移速度高、禁带宽度大、临界击穿场......
此处针对传统Weinberg拓扑开关管应力大、整流二极管反向电压尖峰大的问题,在传统Weinberg拓扑基础上,添加辅助电感、辅助电容、二......
针对碳化硅(SiC)逆变器高频高dv/dt脉冲激励下的Hairpin绕组高电应力容易造成绝缘损伤的问题,该文对一台电动汽车用Hairpin绕组永......
基于MOSFET热载流子可靠性物理,并结合电应力条件下热载流子退化特征量ΔI<,ds>/I<,ds0>、I<,sub>等实测数据的拟合处理,本文发展了可表征退化......
1引言定子绕组的绝缘状态会受到各种因素的影响,如热分解副产物、吸湿性、氧化性、泄漏电流的电解效应、放电及其化学副产物的腐蚀......
《电流体力学》一文介绍了各种电流体力学现象的物理机理及其在技术上的应用概况;
The article “Electrodynamics” introduces ......
在分析热电子效应与辐射效应在MOSFET产生界面态关系的基础上,给出了采用普通电子直线加速器作辐射源来对MOS器件热电子退化效应进行研究的方......
通过测量高频C-V迟滞曲线研究了MOS电容中慢界面态的特性.发现金属化后退火(PMA)前电容中的慢界面态分布在禁带中央以下的能级,但PMA后完全消失;相反......
该文测量了电应力作用下栅介质膜中陷阱电荷积累、以及在撤除应力后陷阱电荷减少的规律,在此基础上提出了解释脉冲应力下栅介质膜击......
电子元器件的失效损伤,其一半是由于使用不当或保管,传输不当所造成.本文从电子元器件的降额使用和二次筛选等几个方面浅谈一些体......
雷击铝合金的损伤特性和损伤机理是油罐等防雷保护研究的基础之一。为此,基于模拟雷电流试验方法研究了不同雷电流分量作用下储油......
在宽范围偏置条件下,测量了电应力前后GaAlAs红外发光二极管(IRED)的低频噪声,发现应力前后1/f噪声随偏置电流变化的规律没有改变,......
电镀时产生的残余应力,亦称为电应力,是指在基体金属上逐层电沉积上去的镀层部分的残余应力。刷镀镀层同样也会产生残余应力,它对......
采用倒装芯片互连凸点串联回路研究了高温、高电流密度条件下倒装芯片上金属布线/凸点互连结构中原子的定向扩散现象,分析了互连结......
分析了半导体器件静态漏电对高可靠设备造成的危害。对比了失效器件在不同偏压条件下的测试结果,结合器件芯片版图的设计特点以及......
3瞬态电流谱和瞬态电阻谱中两种电子气的动态电流峰为了深入研究器件射频工作中的电流崩塌,许多作者测量了栅漏偏置电压改变时沟道......
温度、电流和振动是导致电连接器性能退化的三大主要载荷,针对提高电连接器可靠性得要求,开展多应力耦合试验设计及仿真分析。设计......
第三代半导体材料氮化镓(GaN)因具有击穿电场高,禁带宽度大,电子迁移率高等特点,在高温高频、高功率军用电子以及5G通讯等领域有着......
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氮化镓(Ga N)作为第三代半导体材料,具有禁带宽度大、击穿场强高、耐高温、抗辐照等优异性能。特别是其与Al Ga N等材料可以形成具......
学位
GaN基半导体材料具有禁带宽度大、电子饱和速度高、击穿电压大等良好的电学性能,在微波大功率和高压开关电路领域具有很大的发展潜......
学位
基于第三代半导体的材料优势,AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)在微波通信、电力控制、雷达航天等领域应用潜力巨大。欧姆接触是......
采用PE与α-聚烯烃及其它助剂、填料共混,并经辐射交联制成了体积电阻率为1×10~(10)Ω·cm,介电常数为32,并具有热收缩性的电应力......
基于电场-化学场-机械场耦合作用机理,采用数值模拟方法,建立了RC模拟电路,分析了IPMC在外加电压场作用下模拟参数对电流和电流积......
本文从反坦克导弹工作在野战条件下,要求设备简单,不考虑采用冗余系统、表决系统.整机元器件可以看成是一个串联系统.根据可靠性基......
随着可靠性工作的开展,我国无线电整机厂所用电子元器件大都经过筛选试验。对半导体器件进行筛选能显著地提高半导体器件的使用可......
通过对鱼雷电子产品环境应力筛选温度循环和机械振动两种方法的分析比较,提出了新的环境应力筛选条件和要求。实航试验证明,改进后......
1 前言环境应力筛选(以下简称ESS)是80年代在美国军事工业界兴起的热门技术,80年代末期引入我国军工系统,作为一种工艺手段,它通......
静电和静电放电在人们的生产、生活中无处不在。随着电子技术的迅速发展,电子设备中大量采用大规模的集成电路,它们具有线间距短、......
前言本文从三个主要方面来叙述 MOS 存储器系统可靠性的考虑:1.元件可靠性2.系统工作影响3.出错校正由于 MOS 存储器件的可靠性在......
电视机用塑封功率管(包括行输出管和电源调整管)是全塑电视机中的关键器件之一。它们的质量直接影响着整机的可靠性。因此,对于如......
国际商业机器公司的研究人员发明了一种用激光脉冲在完全处理好的集成电路板上形成微观电气连结的方法。该技术为修理有缺陷的电......
本文讨论了筛选的理论基础,从能量和失效物理学等方面对筛选作了说明.最后还讨论了筛选中的掩盖效应并给出了各种筛选项目的作用.
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半导体器件可靠性的提高取决于以下因素:合理的设计方案、先进的工艺措施、严格的质量控制、适当的筛选程序、及时的失效分析及反......
据西北电讯工程学院在1984年5月报导: 1.在120℃温度应力下,MOS结构的漏电流不仅与电场的大小和时间有关,而且与电场的方向有关.......
IC即集成电路是未来信息世界的主要物质基础之一.它自1960年前后在Si平面技术基础上发明以来,先后经历了小、中、和大规模电路(即S......
详细研究了ESD脉冲对GaAs金属-半导体结构退化的影响。结果表明GaAs MES器件在大于-50V的负ESD脉冲下I_(ds)-V_(ds)特性严重退化,......
国标GB1772—79将元器件的失效率等级分为七级,规定了各级最大失效率,并规定了产品失效率是在额定功率Pcm条件下的失效率。美国的......
简述了电子产品模块化的特征 ,分析了通用模块的配置、模块的配套性和模块成组应用等情况 ,特别介绍了电子模块的电应力保护和热要......
电力电缆是电力系统中关键的一部分,电缆运行的可靠性对电力系统的正常运行发挥着决定性的作用,而电缆附件中电应力是否集中又在一......
本文通过分析比较不同直流偏置条件下的实验结果,研究了陷阱对GaN HEMT器件电应力失效的影响,提出器件中本来存在的陷阱和施加电应......
本文针对35kv高压电缆故障及技术进行了综合的分析,从电缆接头制造原因、电缆接地系统、高压电缆头制作技术、电缆终端电应力控制......