光学声子相关论文
集成化、微型化、多功能,是光子学器件未来发展的重要趋势。目前,相比于成熟的集成电路器件,光子学器件在多功能、集成化方面的发......
本文采用介电连续模型，计及晶格应变对材料的声子频率、介电常数、禁带宽度和电子带质量的影响，利用费米黄金定则讨论了应变闪锌矿型......
本文采用分子束外延生长了非人为掺杂的PbSe单晶薄膜,研究了薄膜中声子散射对空穴迁移率的影响.霍尔效应和电阻率测量得到PbSe薄膜......
与传统半导体相比,宽禁带半导体具有更好的电子输运、电光和光电特性,其中,以ZnO和GaN为代表的Ⅱ-Ⅵ族和特殊Ⅲ-Ⅴ族三元混晶半导......
基于费密金色的统治和 Boltzmann 碰撞术语近似的理论，散布拉紧的 Si/(111 ) Si1x Ge x 的机制的洞被建立包括电离杂质，散布的声学的......
人们已经研究了激光诱导靶材表面动量和能量弛豫，载流子的散射，谷间散射，光学声子散射机制和一些微观载流子扩散过程，半导体器件的......
由于在高性能光电子器件中的应用价值,对AlN/AlxGa1-xN多层材料的物性研究引起人们的极大兴趣.本文选取该多层材料的基本结构之一,......
会议
本文提出一种方向不敏感多带吸收的新结构,即结合光学声子色散材料及无色散介电材料,将其作为单一尺寸金属/介质/金属微光栅的介质......
纤锌矿三元混晶 AlxGa1-xN及其异质结构在发光二极管(LED)、高电子迁移率晶体管(HEMT)等光电子器件方面有广泛应用,可通过改变混晶......
在高纯ZnSxSe1-x单晶的自由激子光谱中首次观察到过热激子能量弛豫的振荡结构。激发光谱的结构。激子的寿命与ZnSxSe1-x三元系的组......
采用磁控溅射方法沉积Ge和Si材料在Si(100)衬底上.用喇曼散射对不同工艺下的结构和成分进行了分析,表明制备Ge和Si单晶膜的优化衬......
在对激子不作任何近似的条件下,对强耦合激子-声子系统中非线性光学性质在理论上进行了研究,结果表明当信号光场频率与激子频率的......
太赫兹(THz)电磁波主要是指波长在3mm~30μm范围内的电磁辐射。超快激光技术的出现,为太赫兹电磁波的产生提供了稳定的触发光源,从......
随着晶体生长技术的改进，多种形状的异质结、量子阱都能成功地做出。异质结、量子阱在器件制造方面具有极其重要的作用，例如，用异质结......
Ⅲ-Ⅴ族氮化物GaN、InN、AlN及其合金材料是近年来半导体发光器件研究领域中的热点，其中一个十分重要的课题就是纤锌矿结构混日InGa......
本文采用将变分法与求解力平衡方程相结合的方法，在光学声子散射起主要作用温区，从理论上讨论在其散射下，应变纤锌矿AlN/GaN单异质结......
在修正的随机元素等位移-MREI模型的基础上建立了一个新模型,计算了AB1-xCx型Ⅲ-Ⅴ族半导体混晶的长波长光学声子模频率的组分变化......
应用Dyson-Maleev变换,对强耦合激子-声子系统中非线性光学性质进行了理论研究.结果表明,当信号光场频率与激子频率的失谐量等于光......
研究了5个新型硼酸盐晶体样品Na5[B2P3O13](NBP),SrB4O7(SBO),Na3La9O3(BO3)8(NLBO),Zn3BPO7(ZBP)和PbB4O7(PBO)在太赫兹频率的光......
利用拉曼散射实验方法对六方系InAlGaN晶体的光学声子进行了测量,同时利用修正随机元素同向位移模型对其光学声子与组分的关系进行......
本文提出了一种用于研究三元混晶光学声子和电子与 L0声子互作用的方法,导出了电子与不同声子作用的哈密顿算符,计算了 AlxGa1-xAs......
为纪念黄昆先生诞辰100周年,本文回顾了玻恩-黄昆方程的历史背景、物理意义以及极化激元这一概念的产生、发展和深远影响,阐述了黄......
本文给出了有限单量子阱结构中电子与有（界）面光学声子相互作用的类弗留里希哈密顿算符，电子－声子耦合函数被计算和讨论。......
在随机元素等位移（MREI）模型的基础上，进一步改进了模型。在计算多元混晶声子频率时，对不同模式采用了不同的次近邻常数，并且推算了近邻......
本文计及纵光学声子的色散,在正弦近似下,用微扰法计算了多原子晶体中极化子的基态能量,有效质量和自能.......
采用修正的无轨离子位移模型研究三元氮化物纤锌矿混晶中的光学声子模.用微扰法对系统的弗留里希耦合常数、混晶的介电常数和谐振......
在修正的随机元素等位移——MREI模型的基础上建立了一个新模型，计算了AB1-xCx型III-V族半导体混晶的长波长光学声子模频率的组分变......
针对现有理论的不足，提出了新的AxB1-xCyD1-y型四元混晶中晶格振动理论模型，利用Clausius—Mossotti公式对运动方程组加以简化，同时引......
在长波近似条件下，计算分析磷化铝镓铟多元混晶中光学声子的能量和振动强度对混晶的化学组分关系．结果表明，AlxIn（1-x）P和AlxGa（1-x）P三元......
研究磁场中多原子晶体中极化子的激发态的性质.采用线性组合算符和幺正变换方法,分别导出强、弱耦合情形下磁极化子的激发能量和平......
本文在连续介电模型基础上，讨论了量子方阱中界面声子的问题，得到了光学声子模的电场分量和电位移分量，以及相应的色散关系。......
在随机元素等位移（MREI）模型的基础上，运用推广后的适用于任意多元混晶的理论，计算了MnxZnyBe1-x-y Se半导体混晶的光学声子性质随组分......
运用 无规元素孤立位移模型，研究了三元混晶构成的三层极性半导体之界面光学声子模。...
采用介电连续模型,计及晶格应变对材料物理参数的影响,利用费米黄金定则讨论闪锌矿GaN/GaxIn1-xN应变异质结中四支光学声子对电子......
在长波近似条件下，采用修正的无轨离子位移模型研究纤锌矿氮化物三元混晶中的光学声子模。并对纤锌矿三元混晶体AlxGa1-xN中的光学......
Polar Mixing Optical Phonon Spectra in Wurtzite GaN Cylindrical Quantum Dots： Quantum Size and Diele
混合 quasi-zero-dimensional (QoD ) 的声子模式的 interface-optical-propagating (IO-PR ) wurtzite 圆柱的量点(QD ) 结构被雇......
在宏观的绝缘的连续统模型和 Loudon 的框架以内是单轴的水晶模型， wurtzite/zinc-blende 的声子模式一个维(1D ) 圆柱的 nanowire ......
本文计及电子在反冲效应中发射和吸收的不同波矢的声子之间的相互作用影响时，用改进了的线性组合算符，拉格期日乘子法和微扰法讨论电......
超短光脉冲引起的晶格原子振动,称为光学相干声子,已在各种材料中得到控制。然而,通过经验理论对不同的实验证明了这种控制,然而却......
本文计算了闪锌矿结构Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ光学声子频率随组分Ｘ值的改变，计算表明，Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ混晶的光学声子属混模行为，在计算中，表征晶格常数改变对力常数影响的物理......
本文在晶格失配的BaF2衬底上用分子束外延技术生长了不同厚度的PbSe单晶薄膜,PbSe外延薄膜的拉曼光谱测量到:位于136-143 cm-1之间......
采用超快半导体光电导开关的宽带太赫兹时域频谱系统，研究了KTiOPO4晶体在0．5～2．0THz波段的光学声子振荡特性；在晶体z轴平行于THz波电场......
Based on the Fermi’s golden rule and the theory of Boltzmann collision term approximation, a physically-based model for......
应用Dyson-Maleev变换,对强耦合激子-声子系统中非线性光学性质进行了理论研究.结果表明,当信号光场频率与激子频率的失谐量等于光......
报道用分子束外延（MBE）技术生长的x=0．4，0．8的高组分稀磁半导体Cd1-xMnxTe／CdTe超晶格低温和室温荧光谱研究结果。基态激子跃迁能级荧光......
