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介绍了一个多通道高速数据采集系统的实现，主要讨论了该系统的硬件结构和采用ＤＲＡＭ实现海量缓存，提高负延时深度的方法。
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通过对中国古典Epub文库的了解,帮助用户认识文库的性能特点,熟悉当当阅读器的功能,根据需要有选择性地使用,以便提高文库的使用率......
１前言目前在工业转速测量仪表中，其类型较多，但价格均较高，且稳定性不甚理想，刷新周期长，其精度和参数达不到要求。本文应用一种新型的转......
计算机在控制心理学实验过程中，可能引入各种潜在的计时误差，特别在短时呈现各种实验刺激时，有些误差是不应忽略的。本文重点分析屏幕......
一九八○年六月由四机部主持召开的1424所28项科研成果鉴定会,MM20型4096×1位单管单元动态随机存储器是获得定型并通过部级鉴定的......
本文介绍的 MT68000微型计算机系统是—个与八位微机相兼容,同时可以运行68000指令和6800指令的功能较强的系统,文中较详细地分析......
对于用作扩展存储器的连续取数的MOS存储器,在要求大容量和高传输率的同时,又要求刷新处理不能影响数据传输率,这就给存储器的刷......
本文叙述了个人计算机CGA显示器“雪花”干扰产生的原因及防止的方法。并给出了一个有用的实际程序。
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介绍了单片机与动态ＲＡＭ的一种接口方法。它具有硬件简单，利用很少的硬件解决了ＤＲＡＭ地址信号的分时传递问题，并全部采用软件进行刷新，特别适用......
在集成电路(IC)向LSI和VLSI发展的进程中,MOS存贮器常常捷足先登,领先向高密度化跨一步,这在64KRAM的开发中亦不例外。由于动态RA......
当今,动态随机存取存储器(以下简称DRAM)的用途在不断扩大。为此,对具有更加广泛用途的DRAM的需求量大大增加了。TMS4256,4257是......
引言 近年来,动态随机存取存贮器(DRAM)的用途发生了急骤地变化,而且,需求量也在不断增加。大部分DRAM在微型计算机闻世之前,主要......
本文介绍一种采用冗余技术的5伏电源电压工作的256k×1位NMOS动态RAM。这种存器使用2.3微米设计规则,存贮单元设计为叠式位线结构,......
在调试各种脉宽调制(PWM)电路如开关稳压电源或电机调速系统时,常常需要测定某些脉冲信号的占空系数。目前一般是用示波器直接进......
本文提出了一种面向空间路由器转发表抗辐照的设计方法。该方法利用复合泊松模型和TCAM编码特点,对存储单元软错误失效概率进......
介绍了一种集检测、分析、记录、控制、通信于一体的PowerMonitorII电力监控器的结构、功能及相关的监控管理软件 ,和以其为主组成......
本文介绍以NK4116N-3动态半导体存储器为存储体的DJS-183计算机内存部件电路,该电路用以替换稳定性差、故障率较高的磁芯内存部件......
同一份报纸在一天中却有七个不同版本,资讯刷新速度直追气焰旺盛的“第四媒体”——各大新闻网站。听起来这像是个天方夜谭,但它确......
本文介绍了利用声发射（信号／指标）转换器使环境监测系统可以顺利接收声发射信号及消除转换器和监测系统之间的通讯误差，确保信号准确可......
在分析DRAM特性及其操作时序和MCS51系列单片机总线时序基础上，用具体电路讨论了MCS51系列单片机与DRAM内存条接口原理及方法。利用......
微型计算机的存贮系统的设计,主要从如何解决选择合适的存贮容量、根据存取速度如何选择适合要求的存贮芯片、如何将地址总线和数......
<正> 三、系统工作原理1.信息的采集和处理图4是AMAS系统的示意框图。Z 80 CPU从ROM中可取出被固化在其内的计费处理程序,以用来对......
在分析ＤＲＡＭ特性及其操作时序和ＭＣＳ５１系列单片机总线时序基础上，用具体电路讨论了ＭＣＳ５１系列单片机与ＤＲＡＭ内存条接口原理及方法，利用这种方法实现简单可靠......
在分析SDRAM器件辐射失效现象的基础上,研制了具备读写功能测试、刷新周期测试及功耗电流测试三种功能的SDRAM辐射效应在线测试系......
在分析同步动态随机存储器（SDRAM）辐射效应主要失效现象的基础上，研制了具备了读写功能测试、刷新周期测试及功耗电流测试三种功能的S......
在空间环境中,高能粒子入射到半导体材料中产生大量电子-空穴对,引发总剂量效应和单粒子效应,使电子系统时刻面临辐射效应的威胁。......
一、前言32位微处理器68020具有计算功能极强,速度快等特点,这也带来了与子系统接口的复杂性。尤其是 CPU 主存贮器(DRAM)阵列之间......
在当前网络中．IP组播的活跃组很多时候会产生网络性能下降以及运行效率低下的问题：文章着重讨论这个问题，提出了改善网络性能的两种方......
研究了公路隧道洞外天空云系变化对洞外亮度的影响和不同天气条件下的洞外亮度变化特性,分析了调光输出刷新周期的长短对黑洞效应......
DRAM集成电路芯片的刷新周期直接影响其功耗及性能。在一定条件下,延长刷新周期有利于降低DRAM芯片的功耗,提高性能。本课题以某种......
