功率二极管相关论文
为降低传统机械式断路器动作过程产生的触头烧蚀、暂态恢复电压与介质恢复过程的竞争、关合涌流等暂态过程的影响，该文提出一种用于......
功率器件是电力电子学的基础,而PN结和PiN结构功率二极管的知识又是功率器件的基础,是电力电子教学中的重要内容.但通常这部分内容......
采用二维数值仿真工具对带刻蚀型结终端扩展(JTE)的4H-SiC结势垒控制肖特基二极管(JBS)进行研究,研究了单步和多步JTE对器件反向阻......
中学物理整流器和推挽功率放大器两部分内容,一般需用示波器方能进行演示实验。目前,有些中学又没有这种设备,这就给这部分内容教......
本文介绍了苏联研制的机车整流装置的诊断装置,用它可以找出P-N结击穿、内部开路以及特性已恶化的二极管和晶闸管。
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对高功率二极管泵浦固体激光器若干新的进展。相关技术和潜在应用作了评述和分析。
Some New Progress on High Power Diode Pump......
本文基于近年来的工作，对高功率二极管泵浦固体激光器的一些关键技术问题进行了分析，提出了向更高功率水平发展可行的技术方案，并讨论......
给出了快速二极管软度Ｋ的新定义；推导出快速二极管反向过电压与软度Ｋ的关系，经试验证实了软度Ｋ与反向过电压的对应关系。
The new defi......
许多办公电子产品和家用电器的电源插头往往是一直插在交流220V电源插座上。有的人以为,在设备未工作时,是不消耗电力的。但是,事......
市场上可买到的二极管抽运激光器使研究人员接近达到长期探求超快放大的目标——全固体线性调频脉冲放大系统。对这种系统进行了几......
1 二极管的结构具有一个PN结的半导体器件称为半导体二极管,简称二极管。在PN结的N区和P区分别引出一个电极,再用金属、塑料或玻......
提出了用于高频电力线路中的一种大功率软恢复二极管新结构。该二极管阳极由低注入效率的ｐ区及高注入效率的ｐ＋区组成。大电流下ｐ＋区的高......
业余电子爱好者在制作过程诸工艺中印制板的制作是比较困难的。简单电路虽可用刀刻法解决制板问题,但在印板上钻孔却往往难倒爱好......
1 引 言汽车制造业无色车身焊接中具有挑战性的是镀锌钢的搭接焊和铝焊接。与对接焊相反，搭接焊要求边部制备的偏差更低，对装配要求......
NBC系列逆变式CO_2气体保护焊机该系列焊机系运用双脉冲电流波形控制方式研制成功的逆变式CO_2气体保护焊机。该系列焊机采用IGBT......
fO2 高K栅介质薄膜的电学特性研究韩德栋 康晋锋 刘晓彦 韩汝琦 1 1…………………………………………应变Si1 xGex 沟道PM......
针对高功率二极管重复率抽运的V型非稳腔Yb3+∶YAG激光头,提出了利用金刚石窗口冷却和直接水冷相结合的复合冷却设计.在YAG片的抽......
SiGe材料由于禁带带隙较窄和与Si工艺相兼容的优点,被广泛用于高频双极晶体管的制造中。实验把SiGe/Si异质结应用于功率器件方面,......
将新器件结构与新型半导体材料相结合,提出了一种新型的n-区三层渐变掺杂理想欧姆接触型p+(SiGeC)-n--n+异质结功率二极管,并对n-......
Vishay推出带有同体封装的190V功率二极管的190V N沟道功率MOSFET—SiA850DJ,该器件具有2mm×2mm的较小占位面积以及0.75mm的超薄......
据《电子材料》(日)2009年第2期报道,日本Panasonic半导体公司(原松下电器子公司)开发了GaN技术的高耐压、低欧姆阻抗的结型功率二......
硅功率二极管的PN结通常有大约1.2V的压降。这个压降使得功率二极管上消耗了相当的能量,从而造成电源效率的损失。对于一个有120W......
功率半导体包括功率二极管、功率开关器件与功率集成电路。近年来,随着功率MOS(金属氧化物半导体)技术的迅速发展,功率半导体的应......
电力电子器件是半导体功率器件的总称,是构成电力电子设备的基础,是从事电力电子器件设计、研发、生产、营销和应用人员以及电源技......
本刊1981年第一期“问与答”栏,刊登了关于无中性点引出接线柱的交流发电机能否接充电指示灯的答复后,收到了不少读者来信,提出了......
从半导体器件物理角度出发,分析了P+-N-N+功率二极管零输入态下正向恒定电流IF与反向电流峰值IRM的解析关系。根据误差函数与初等......
1.采用肖特基功率二极管硅整流元件本身损耗的能量占整流设备全部损耗能量相当大部分,正向压降损耗是硅整流元件的主要损耗。所以......
在考虑到各种物理机制如载流子-载流子散射、俄歇复合、禁带窄化效应及结温效应等的基础上,数值模拟分析了SiGe/Si功率开关二极管......
Littelfuse公司作为全球领先的电路保护方案供应商,日前宣布推出其不断扩展的功率半导体产品系列的最新产品——LFUSCD系列碳化硅(......
Littelfuse,Inc.,推出首款GEN2系列1200V碳化硅(SiC)肖特基二极管,以配合2017年欧洲电力转换与智能运动(PCIM)展的开幕。这种碳化......
基于GaN/AlGaN/GaN-on-Si材料,研制了一种高压低功耗新型肖特基二极管(SBD).由于异质结的极化效应,在AlGaN/GaN界面会产生高浓度的......
采用固体弹标的光学跟踪和编码技术,易于与现用的导弹制导装置结合,能增强抗干扰能力,在最大射程上性能不受影响。固体弹标安装在......
本文研究报导了ZQ高压功率二极管的玻璃钝化方法,采用适当的腐蚀技术、玻璃粉涂敷技术和玻璃微晶化技术,获得了良好的内层玻璃钝化......
现代汽车上大多装用硅整流元件的交流发电机,由于车型不同,所装交流发电机的型号不同,其硅二极管的型号、尺寸都不一样。若硅二极......
我们从事电路设计、仪器研制时,常常用到半导体二极管和晶体三极管以及光电器件.同时,在科研、生产、教学工作中,为了有效地利用......
正磷酸,通常称磷酸,在半导体工艺中,一般作为铝和银的腐蚀剂,用于半导体硅的腐蚀上,尚未见报导.本文着重介绍磷酸在硅功率二极管及......
半导体器件的功率极限是由它的热阻决定的,要决定一种新器件的最大使用功耗,就必须首光测量热阻.但DO-35玻封二极管的管壳很小,无......
本文简述了半导体功率器件的发展,介绍了功率二极管、闸流管、双极晶体管的主要产品技术水平和今后发展方向.
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本文介绍了运用正交试验法,试制出塑封高压(高档)二极管芯片的方法,为提高功率二极管的高档品率以及芯国产化提供了一个好途径。
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