利用吸收、光电流和光致发光等光谱表征并结合理论报道，分析了缺陷态丰富的铜锌锡硫半导体材料的光学带隙、带尾态和深浅杂质能级，揭......

铜锌锡硫(Cu_2ZnSnS_4,CZTS)因地球储量丰富、环保无毒、光吸收系数很高(>104 cm-1)且带隙接近单节光伏电池的最优带隙,被认为是理......

本文采用符合正电子湮没辐射多普勒展宽装置和单能慢正电子束装置测量二氧化硅，初始氧含量为1.1×1018cm-3的单晶硅经不同压强和温......

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第11届半导体缺陷认知、成像与物理会议（11th International Conference on Defects-Recognition，Imaging and Physics in Semicondu......

第10届“半导体中扩展缺陷”国际学术会议于2004年9月12日在俄罗斯莫斯科举行，共有150多名代表参加。会议主席是著名硅晶体位错研究......

据报道，韩国科研人员制造出了一种以可伸缩的透明石墨烯作为基底的新型晶体管。由于石墨烯具有出色的光学、机械和电性质。新型晶体......

半导体激光器具有较高的电-光转换效率、长使用寿命、小体积、低成本等优点,广泛应用在国防军事、医疗、泵浦源、光存储等多个领域......

本文讨论了研究半导体缺陷深能级瞬态谱中遇到的多指数分解问题，并使用共轭梯度计算法对瞬态谱进行数值Ｌａｐｌａｃｅ逆变换处理来实现多指数瞬态......

介绍了缺陷工程的概念，描述了几种重要半导体缺陷，如表面缺陷、界面缺陷、偏离化学配比等。提出了正面利用缺陷以提高器件的成品率和......

利用吸收、光电流和光致发光等光谱表征并结合理论报道,分析了缺陷态丰富的铜锌锡硫半导体材料的光学带隙、带尾态和深浅杂质能级,......