压缩点相关论文
针对微波器部件不断提升的性能要求,设计了矢量网络分析仪大动态范围混频接收机与中频接收机,通过低频段直接采样、高频段混频接收......
微波单片集成电路主要应用于无线通讯、雷达、电子对抗等领域,近年随着装备发展对微波器件需求越来越大,其可靠性保证要求也越来越......
临近年末，各公司都在办年会。我们公司的年会则比往年大大缩水，不仅外聘的表演取消了，连奖品也大打折扣。行政主管还抛下一句“很多公......
获得平坦响应特性的功放由于固态微波功放的体积小，高可靠，因而在许多场合它正在取代行波管。日本ＮＥＣ公司的Ｙ．Ｉｏｈ等人阐述了一种金属－半导体场......
对于判定正弦信号动态范围的传统方法,在处理数字调制信号时必须加以修正。
The traditional method of determining the dynamic......
南京电子器件研究所于 1 997～ 1 999年分别研制了用于手机射频电路的专用系列单片集成电路 ,包括双刀双掷开关、开关功放、低噪声放......
ＪＣＡＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ公司研制的ＪＣＡ２２２-Ｂ０１型超宽带放大器可应用于电子战和电子对抗系统,它覆盖了２～２２ＧＨｚ的频率范围,最小增益为３０ｄＢ，增益响应为±２．０ｄＢ（ｍａｘ）,噪声系数为３．７５ｄＢ（典型）,在１ｄＢ压缩点......
ＳｔａｎｆｏｒｄＭｉｃｒｏｄｅｖｉｃｅＳ’ＳＧＡ - 60 0 0系列高线性ＳｉＧｅＲＦＩＣＭＭＩＣ放大器采用可挠性工业标准 85ｍｉｌ,ＳＯＴ89和ＳＯＴ2 3- 5表面安装塑料封装。这些无条件稳定的放大器在 4 2Ｖ单一电源电压和......
报道了一种性能良好的 Si Ge功率放大器 ,具有用于无线通信的前景 .在 B类模式下工作时 ,输出功率可以达到 30 d Bm.在 AB类模式下......
00565 A Balanced 2 Watt Compact PHEMT Power Amplifier MMIC for Ka-Band Applications/S. Chen, E. Reese and K. S. Kong (T......
Aethecomm公司推出工作频率9.5—10.5GHz的高功率X波段固态功率放大器,1dB压缩点(P_(1dB)最小功率为20W,25℃下饱和输出功率典型......
Rockwell Scientific推出了一种33～36 GHz用的Ka波段低噪声放大器(LNA)。这种pHEMT LNA-KaLNA3s的最小增益为20dB,最大噪声小于2.5......
美国Aethrcomm公司推出一种高功率x波段固态功率放大器,其工作频率9. 0-9.6 GHz,25℃下最小饱和输出功率50 W,25℃下1 dB增益压缩......
利用0 35μm CMOS工艺实现了一种用于低中频接收机的Gilbert型下变频器.其中,混频器的输出级采用折叠级联输出,射频信号、本振信号......
M/A COM公司开发出一种双线路X波段多功能微波单片集成电路(MMIC),它包容了X波段雷达应用所需的多种发射和接收功能。这种型号为MA......
采用TSMC 0.25μmCMOS工艺设计了一个IEEE802.11a标准无线局域网(WLAN)应用的5.8GHz差分低噪声放大器(LNA).阐述了LNA的噪声优化和......
提出并设计了一种用于数字电视接收调谐芯片的宽带低噪声放大器.该设计采用0.35μmSiGeBiCMOS工艺,器件的主要性能为:增益等于18.8......
工业、科学及医疗(ISM)应用的固体RF功率通常需要多个晶体管来达到1KW和1KW以上。如磁共振成像系统采用多个功率放大器,产生的峰值......
提出了一种使用品质因数增强型的有源电感的射频带通滤波器,描述了在宽射频频段上可调谐的品质因数增强型的有源电感设计技术,而且......
提出了采用0.18μm CMOS工艺,应用于802.11a协议的无线局域网接受机的低噪声放大器和改进的有源双平衡混频器的一些简单设计概念。......
设计了工作在8GHz的基于AlGaN/GaN HEMTs的内匹配功率合成放大器.输入和输出匹配电路制作在0.381mm厚的氧化铝陶瓷基片上,为了提高......
报道了一种基于商用0.15μm赝配高电子迁移率晶体管工艺的单片低噪声放大器,工作频率范围为23~36GHz.它采用自偏置结构.对晶体管栅......
针对一种特定的射频识别技术的通讯协议(ISO1800-6B) ,提出了一种应用于射频识别读写器中的发射机前端结构,以实现发射信号的OOK调......
采用0.18μm SMIC数模混合与射频(RF)CMOS工艺实现了一个应用于ISM(工业、科学和医疗)频段接收机的433MHz低功耗低噪声放大器(LNA)......
通过分析InGaP/GsAsHBT器件的热学和电学特点,结合HBT大功率放大器芯片在技术性能、稳定性、可靠性及尺寸等方面的要求,通过优化设......
首先对分布式放大器中L型和T型网络的频率特性进行了研究.分析表明,L型网络比T型网络在设计中具有更好的频率特性.基于稳懋半导体......
设计了一款基于CMOS工艺的高动态范围宽带I/Q解调器。该解调器电路包括射频V/I转换电路、混频电路、中频缓冲电路,并且内部集成了......
基于4英寸(1英寸=2.54 cm)GaAs PHEMT工艺,设计和制作了一款X波段驱动功率放大器单片集成电路。详细介绍了微波单片集成电路(MMIC)......
基于锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)工艺设计了一款单片集成高增益宽带低噪声放大器(LNA)。该放大器采用复合型电阻负反馈结构,通......
采用分布式放大器设计原理,基于GaAs PHEMT低噪声工艺技术,研制了一款超宽带低噪声放大器单片电路。该款放大器选用分布式拓扑结构......
2014年4月14日-凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)推出20MHz至2GHz、单端输入及输出、固定增益放大器LTC6431-20,该器......
2014年4月14日-凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)推出20 MHz至2 GHz、单端输入及输出、固定增益放大器LTC6431-20,该......
凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)推出20 MHz至2 GHz差分输入和输出20 dB增益放大器LTC6430-20,该器件在240 MHz时提......
凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)推出一款宽带15dB增益部件放大器LTC6433-15,该器件在150MHz提供出色的47dBm OIP3(......
设计了一种用于天文台VLBI天文观测系统的超宽带低噪声放大器,并给出了仿真及测试数据。此低噪放采用了TRIQUINT公司的TGA2525型单......
基于分布式放大器理论,设计了一款基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺的2~20GHz宽带单片集成双向放大器。该款放大器将两......
关于连续排料浓密机所需面积的计算是由柯爱—克勒文格(Coe-Clevenger)于1916年首次提出的。柯爱法是第一次根据试验结果来求算浓......
Ｗ波段多功能ＭＭＩＣ据《ＩＥＥＥ１９９４ＭｉｃｒｏｗａｖｅａｎｄＭｉｌｌｉｍｅｔｅｒ－ｗａｖｅＭｏｎｏｌ．Ｃｉｒｃ．ＳｙｍＰ．）报道，美国通信卫星实验室的Ｈ．Ｃ．Ｈｕａｎｇ等在同一块芯片上用两种不同的材料研制成一种新的９４ＧＨＺ多功能ＭＭＩＣ。该电路...
W-band multi-func......
【摘 要】本论文采用了开关传导型结构，设计了一个低功耗高线型度上混频器。采用SMIC018 CMOS工艺对电路的一些性能参数进行了仿真......
主要性能工作频率 3.7～4.1GHz;通带波纹 ±0.5dB;增益稳定性 ±0.1dB/h;
Main performance Working frequency 3.7 ~ 4.1GHz; Pass......
