饱和输出功率相关论文
本文设计了一款L波段250W脉冲功放.该功率放大器选用高效率高可靠性的LDMOS功放管进行设计.采用射频仿真软件ADS设计其输入输出匹......
应用微波晶体管放大器的饱和输出功率特性实现限幅功能,采用模块化的设计方法,研制出X波段微波限幅放大器.根据微波晶体管在大信号......
将常规声-光1×2可调波长路由器作为基本单元,通过"光放大器+级联可调波路由器"方式,提出了一种可广泛应用于各种动态波长路由多......
随着无线通信系统的逐步演变和发展,人们对数据速率、信号调制方式也有了更加高的需求。通信系统变得更加庞大和复杂,因此在通信过程......
An X-band AlGaN/GaN high-electron-mobility transistor (HEMT) on SiC substrate with high microwave power performances has......
从理论上研究了行波半导体光放大器的增益饱和特性。由半导体的单模速率方程出发,应用半导体光放大器的传输波动方程,推导了放大器的......
本文设计并仿真实现了一款高效率逆置(inverted)Doherty功率放大器,该功率放大器工作在3.4GHz-3.6GHz,完全可以用于WiMax信号放大.......
本文设计了一款W波段功率放大器,采用发射极宽度为1 μm InP DHBT工艺.该PA采用了5级共射放大电路结构,其中前两级采用的器件发射......
本文主要介绍了18-40GHz超宽带螺旋线行波管的设计.在设计的过程中,为了提高行波管的输出功率以及电子效率,采用了螺距跳变的技术......
双极晶体发光管(LET)是一种基区发光的双极型晶体管,它结合了PN结LED的发光功能与晶体管的快速开关功能。从而可望实现一种应......
本文介绍了一种毫米波行波管的研究进展情况,特别是在高效率方面取得的突破。通过对器件设计的不断优化和提高,已研制出样管达到:饱和......
本文采用GaN器件设计了S波段的功率放大器,采用负载牵引的方法获得最佳负载阻抗值,优化最大功率输出,结果显示,在中心频率2.14GHz......
本文采用横向螺旋摇摆磁场,通过非线性模拟程序计算同轴回旋自谐振脉塞放大器的输出功率和束波耦合效率,结果显示采用横向螺旋摇摆......
通过对铒镱共掺光纤的制作工艺的研制,使这种共掺光纤中的Er3+离子的浓度得到提高,达到了0.5﹪ (wt),且不会产生铒离子的浓度簇灭,并且将......
本文介绍基于PHEMT器件设计的2~26.5 GHz MMIC宽带行波放大器.在整个宽频带范围内实现了功率增益7 dB,增益平坦度0.5 dB.在26.5GHz......
本文介绍了一种基于波导内空间功率合成结构的固态功率放大器,该功率放大器采用双基片-双对极鳍线结构在波导空间内实现4路功率分......
本文介绍了采用介质辅助T型栅工艺研制的12 mm GaAs功率PHEMT.用一枚这种芯片采用内匹配技术制成Ku波段6 W内匹配管.在13.5~14.0 GH......
阐述了通信波段由C-band向L-Band扩展的趋势.介绍了L-Band EDFA的基本设计原则.给出一个L-Band EDFA的实验结果.在1570~1600nm的波......
建立了一套光纤放大器参数检定装置。信号增益的测量不确定度小于0.60dB,噪声系数的测量不确定度小于0.90dB,小信号增益波长带宽的测量不确定度小......
采用多级推动及功率合成技术设计出2~6GHz混合集成功率放大器.该功率放大器采用三级放大电路,实现饱和输出功率大于4w,增益大于40dB......
报道了8mm功率PHBMT的设计和研制结果。利用双平面掺杂的AlGaAs/InGaAs PHEMT材料,采用0.2um的T型栅及槽型通孔接地技术,研制的功率PH......
多种无线通信系统的并存和频带的充分开发,使得宽带技术成为当前研究的热点。功率放大器是通信射频前端中非常重要的子电路,功率放大......
作为中国将兴建的"神光-Ⅲ"前级方案预研工作的一部分,该论文首次从理论和实验两方面开展了掺镱光纤放大器(YDFA)的研究,取得了重......
寻求频带更宽、输出功率更大、体积更小的螺旋线行波管一直是研制工作的目标,二次谐波是影响宽带行波管工作的重要因素,本文对不同......
提出了采用多电极实现电流非均匀注入来改变半导体光放大器(SOA)内部的载流子分布,从而改变其增益饱和特性的一种新的方案.用SOA分......
采用三元InGaAs体材料为有源区,通过直接在InGaAs体材料中引入020%张应变来加强TM模的增益,研制了一种适合于作波长变换器的偏振不......
根据微波晶体管的饱和输出特性和并联负反馈的宽带电路匹配方法,并采用模块化的设计方法,研制出3~6GHz微波宽带限幅放大器。该放大器......
寻求频带更宽、输出功率更大、体积更小的螺旋线行波管一直是研制工作的目标,二次谐波是影响宽带行波管工作的重要因素,本文对不同......
产品概述华泰HA5100系列C—Band功率放大器主要为单频道或1~8个连续的带状频道(ITU波长)的应用而设计,具有噪声系数低、饱和输出功率大......
本文以罗埃大信号理论为基础,对提高小型化行波管效率的动态速度渐变技术和二次谐波的抑制问题进行了模拟计算分析。重点研究了非线......
提出了采用多电极实现电流非均匀注入来改变半导体光放大器(SOA)内部的载流子分布,从而改变其增益饱和特性的一种新的方案,用SOA分段模......
Aethercomm公司推出了一种高功率C波段功率放大器,工作频率为5.0GHz~6.2GHz.25℃下1dB增益压缩(P1dB)功率最大值为20W.25℃下的饱和输出......
采用压应变InGaAs量子阱和张应变InGaAs准体材料交替混合的有源结构,研制了宽带偏振不灵敏的半导体光放大器.此放大器在100-250mA的......
利用自主研制的SiC衬底的栅宽为2.5 mm的AlGaN/GaN HEMT器件,设计完成了单级X波段氮化镓固态放大器模块.模块由AlGaN/GaN HEMT器件......
摒弃原有的调试设计方法,采用ADs软件的负载牵引仿真,通过功率管的大信号模型提取频带内的输入输出阻抗,再根据所提取的阻抗参数设计......
电源电压1.5V下,饱和输出功率为30.0dBm的HEMT据《日经》1995年第9-11期报道,日本NEC新开发的HEMT,在电源电压+1.5V下,工作频率950MHz时的饱和输出功率达30.0dBm(约1W)。可用于移动电话的功放......
新一代半导体材料GaN相比于Si、GaAs等材料,具有禁带宽、击穿场强高、热稳定性优异等特性,在宽带功放的设计中被广泛使用。基于CRE......
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论述行波半导体激光放大器(TW—SLA)的基本原理、结构和性能,对它在光纤通信中的应用及发展前景作了较全面的分析。......
采用压应变InGaAs量子阱和张应变InGaAs准体材料交替混合的有源结构,研制了宽带偏振不灵敏的半导体光放大器.此放大器在100~250mA......
半导体光放大器(SOA)由于体积小、成本低、易与其他光电器件集成,在未来的全光通信系统中将发挥重要的作用。本文主要围绕SOA 的偏......
在理论上研究了行波半导体光放大器的增益饱和特性,并从半导体的单模速率方程出发,应用半导体光放大器的传输波动方程,推导了放大器的......
<正> 一、引言由于 GaAs FET 的基本器件结构和固有的良好线性特性,已经表明把有源元件和无源元件集成在同一晶片上,来实现在微波......
本论文是作者在华为公司实习期间,根据公司拟定的工作内容,结合学校及指导老师的要求,依据所从事的实际工作内容来撰写完成的。现......
基于GaN HEMT工艺,对HEMT器件大信号模型进行研究,并设计了一款工作频率范围为42~46 GHz的功率放大器芯片。电路采用三级级联放大,......