峰谷电流比相关论文
本文对AlAs/InGaAs/InAs共振遂穿二极管(RTD)不同厚度隔离层对器件I-V特性的影响进行了研究,研究发现器件的峰谷电流密度在负微分......
采用离子注入方法制作了一种新型平面共振隧穿二极管(RTD),通过离子注入将器件之间进行隔离,避免了传统台面型RTD中采用的台面刻蚀......
利用空气桥隔离技术研制出了平面结构InP基共振隧穿二极管(RTD).室温下,RTD器件显示出良好的负阻和频率特性.对于发射极面积为......
本文对AlAs/InGaAs/InAs共振遂穿二极管(RTD)不同厚度隔离层对器件I-V特性的影响进行了研究,研究发现器件的峰谷电流密度在负微分......
本文在半绝缘的InP衬底上采用分子束外延的方法生长了RTD与HEMT的集成结构.所制备RTD的峰谷电流比最高17.0,阻性截至频率大于20.5 ......
为了解决传统台面型共振隧穿二极管制作过程中横向钻蚀问题，提出了一种采用离子注入法在N^＋GaAs衬底上制作平面型共振隧穿二极管，通过......
为获得高功率的太赫兹共振隧穿器件,优化设计了AlAs/InGaAs/AlAs共振遂穿二极管材料结构,在国内首次采用MOCVD设备在半绝缘InP单晶......
用GS400高真空外延设备制备了空穴型双势垒单势阱共振隧道二极管，常温(293K)直流测试数据为PVCR(峰谷电流比)=1．13，Jp(峰值电流)=1．589......
用分子束外延技术在半绝缘GaAs衬底上生长制备了不同结构的AlAs/GaAs/InGaAs两垒一阱RTD单管.经过材料生长设计和工艺的改进,测得......
采用量子水动力学（QHD）模型模拟了35nmSi／Si1xGex空穴型共振隧穿二极管（RTD）在室温下的，I-V特性。模拟过程中，引入second upwind，Schafette......
在半绝缘GaAs衬底上制作了AlAs／GaAs／In0.1Ga0．9As／GaAs／AlAs双势垒共振隧穿二极管，在GaAs层中加入In0.1Ga0．9As层用以降低势垒两边的势阱......
采用离子注入方法制作了一种新型平面共振隧穿二极管（RTD），通过离子注入将器件之间进行隔离，避免了传统台面型RTD中采用的台面刻蚀所带......
报道了InP衬底AlAs/In0.53Ga0.47As/AlAs结构共振隧穿二极管（RTD）的研制过程.衬底片选用（001）半绝缘InP单晶片,结构材料使用分子束外延......
为获得高功率的太赫兹共振隧穿器件,优化设计了AlAs/InGaAs/AlAs共振遂穿二极管材料结构,在国内首次采用MOCVD设备在半绝缘InP单晶......
