共振隧穿二极管相关论文
在共振隧穿结构(RTS)的PL测试中,随着势垒厚度的减小,阱内发光变化不大,而阱外发光急剧减小,通过比较RTD结构PL谱中阱内外的积分发......
本文在深入细致地分析RTD材料结构参数与器件特性参数关系的基础上,对以SI-GaAs为衬底的共振隧穿二极管(RTD)分子束外延(MBE)材料......
目前,在环境监测、医疗诊断、军用雷达等方面,对于太赫兹波(0.1THz-10THz)的研究具有十分广阔的应用前景.共振隧穿二极管(RTD)是基于......
共振隧穿二极管(RTD)是极具发展潜力的新型纳米器件,在高频振荡器、和高速数字电路等方面有着广阔的应用前景.GaN负阻器件同传统的......
采用分子束外延技术制备了基于共振隧穿二极管的探测器样品。为提高探测响应度,探测器采用蝶形天线增强太赫兹电场强度,并以0.2 THz......
近年来,Ⅲ族氮化物半导体以其独特的材料特性和优异的器件性能而倍受关注.其中,基于氮化物的共振隧穿二极管(RTD)有望实现室温下太......
通过对InP基RTD器件的模拟分析,设计了高掺杂发射区RTD器件层结构。采用气态源分子束外延的方法生长制备出了该结构的RTD器件,室温......
High peak-to-valley current ratio In0.53Ga0.47As/AlAs resonant tunneling diode with a high doping em
<正>An In_(0.53)Ga_(0.47)As/AlAs resonant tunneling diode(RTD) with a high doping emitter is designed and fabricated usi......
基于共振隧穿二极管的单片集成的单稳双稳态转变逻辑单元电路是近年出现的一种新型电路逻辑单元.本文介绍一种简单的MOBILE电路结构,给出了......
提出了一种基于黄金分割法和二分法寻查思想的一维积分来实现二维积分的方法,此方法能迅速而精确地计算RTD电流密度-电压曲线适用于RTD及其......
本文通过数值求解含时Schrodinger方程得到了InGaAs/InAlAs共振隧穿二极管 (RTD)的电流 偏压曲线 ,我们发现数值模拟的结果与实验......
介绍了基于共振隧穿二极管的隧穿静态随机存储器的单元结构和原理 .讨论了 n MOS,p MOS和 CMOS作为单元里的选中管的特点 ,综合考......
设计了一种带有Al0 .2 2 Ga0 .78As/In0 .15Ga0 .85As/GaAs发射极空间层和GaAs/In0 .15Ga0 .85As/GaAs量子阱的共振隧穿二极管 (RT......
利用ISE软件的水动力学模型对不同材料结构的AlAs/GaAs/InGaAs双势垒共振隧穿二极管(DBRTD)的直流特性进行了模拟。当势垒厚度、势......
请下载后查看,本文暂不支持在线获取查看简介。
Please download to view, this article does not support online access to view......
在InP衬底上采用感应耦合等离子体刻蚀技术制备了高性能的AlAs/In0.53Ga0.47As/InAs共振隧穿二极管.正向偏压下PVCR=7.57,Jp=39.08......
采用离子注入方法制作了一种新型平面共振隧穿二极管(RTD),通过离子注入将器件之间进行隔离,避免了传统台面型RTD中采用的台面刻蚀......
介绍了一种基于共振隧穿二极管(RTD)和高电子迁移率晶体管(HEMT)的单片集成电路.采用分子束外延技术在GaAs底层上重叠生长了RTD和H......
报道了微结构中共振隧穿二极管(RTD)的压阻效应.分析并加工了四梁结构,其中RTD置于应力敏感区.沿[110]晶向和[10]晶向的应力导致......
提出了一种基于共振隧穿二极管的新型边沿触发D触发器并将之用于构成二进制分频器.详细讨论了设计过程,用SPICE验证了电路的功能,......
以共振能级的透射系数半峰宽(FWHM)做为共振隧穿二极管(RTD)材料结构设计的依据,对GaAs/A-lAs/In0.1Ga0.9As材料体系的RTD进行了设......
文章研究了GaN基共振隧穿二极管(RTD)的退化现象.通过向AlGaN/GaN/AlGaN量子阱中引入三个实测的深能级陷阱中心并自洽求解薛定谔方......
对倍增型共振隧穿弱光探测器(RTDPD,resonant tunneling diode as photodetector)的噪声性能进行研究。设计了具有倍增区的RTDPD结......
太赫兹频段具有很多独特的优点,在大容量无线通信领域具有很大的应用前景。共振遂穿二极管既可以作为太赫兹振荡器又可以作为检测......
随着5G时代的到来,毫米波/亚毫米波在无线通信领域得到了广泛的应用,作为频率更高的THz波肩负着未来通信发展的重任。THz辐射源是......
太赫兹技术是一种新兴科学技术,因其在医学、检测、通信、雷达等领域的应用而受到广泛关注。在众多太赫兹源中,共振隧穿二极管因其......
本文报道 MOCVD 生长 GaAs/Al_xGa_(1-x)As 量子异质结构材料(超晶格、量子阱及量子共振隧穿二极管),采用横断面透射显微术表征了......
利用空气桥隔离技术研制出了平面结构InP基共振隧穿二极管(RTD).室温下,RTD器件显示出良好的负阻和频率特性.对于发射极面积为......
本文在半绝缘的InP衬底上采用分子束外延的方法生长了RTD与HEMT的集成结构.所制备RTD的峰谷电流比最高17.0,阻性截至频率大于20.5 ......
由于共振隧穿二极管(RTD)在超高频方面的优异性能,近年来得到了广泛的重视.本文通过对InGaAs/A1As材料的不同尺寸共振隧穿二极管(R......
从理论上研究了半导体非对称双势垒结要的共振隧穿特性,并与通常应用的对称结构设计在共振隧穿二极管应用方面的某些优越性。......
会议
本文从量子力学和微电子学角度,运用共振隧穿二极管、光敏异质结双极晶体管的电路模型成功的建立由RTD与HPT集成的D触发器电路模型......
将微电子器件与光电子器件集成在一起的光电集成电路(OEIC)同时具有光探测、接收与电信号逻辑控制的功能,并且尺寸小、性能高,因而......
随着集成度的提高,半导体微电子器件的尺寸持续缩小,逐渐逼近其物理极限,开发新型微电子器件迫在眉睫。氧化物种类丰富,电学性质涵......
随着当今微电子技术高速发展,对电子器件的频率要求越来越高、功能越来越强大,作为量子效应器件成员之一的共振隧穿二极管(RTD)从......
单光子探测器在生物医学、红外成像和未来的量子通信领域有广泛应用。本论文的主要目标是单光子探测器的研究。不同于传统的基于雪......
该文研究了共振隧穿二极管(RTD)电流电压曲线数值计算方法.提出了一种基于黄金分割和二分法搜寻方法的二维积分算法,用该算法能较......
共振隧穿二极管(RTD)是一种基于量子隧穿现象的两端负阻纳米电子器件,它以其特有的高频,高速,负阻等优势特点成为了近年来微电子器件......
共振隧穿二极管(RTD)是迄今为止最具应用前景的纳电子器件,已在放大器、振荡器等模拟电路,多态存储、多值逻辑等数字电路,以及光电开关......