工艺波动相关论文
近阈值下时钟树设计包括拓扑设计和缓冲器插入。在近阈值下,由于晶体管延迟及其波动相比常电压显著增加,为了获得更高性能的时钟树......
近阈值电压下电路具有最高的能效比。然而相比于常电压,近阈值下时钟偏差会增加,此外时钟偏差的波动会变大,使电路的可靠性降低。......
随着集成电路制造工艺的不断进步,电路尺寸不断缩小,工作电压持续降低,工艺参数波动对电路性能及良率造成的影响愈发难以准确评估......
近些年,随着集成电路产业的不断发展以及低功耗的迫切需求,缩小工艺尺寸以及降低工作电压成为实现需求的有效手段,但由此使得在标......
集成电路产业的不断发展以及行业对高能效的不断追求使得工艺尺寸不断缩小,电路的工作电压不断降低。随着电路工作电压的降低,工艺......
在数字集成电路设计中,降低电压能够有效降低时钟树上的功耗,是实现芯片低功耗的有效手段。但当电压降低到近阈值电压附近,时钟单......
近年来,传感器和嵌入式系统等低功耗的应用受到了广泛关注。宽电压可以在满足高性能的要求下尽量降低功耗,可同时满足高性能和低功......
为了有效分析考虑工艺波动的RC互连树统计功耗,本文首先给出了考虑工艺波动的互连寄生参数和输入驱动点导纳矩的构建方法,然后,推......
研究了CMOS模拟集成电路的不同版图结构对电路性能的影响规律,探讨了不同版图结构对工艺波动的抑制作用。通过采用90 nm CMOS工艺......
随着集成电路的制造技术进入纳米阶段，集成电路的设计正由于工艺波动的影响而遇到更艰巨的挑战。工艺特征尺寸的减小，处理器主频的不......
本文针对集成电路后端设计中会影响芯片性能的两点问题，隔离和匹配，分别从其产生原因，影响因素等方面加以阐述，并最终提出了各自相......
新建水泥窑应保证在生产工艺波动情况下除尘装置仍能正常运转，禁止非正常排放。现有水泥窑采用的除尘装置，其相对于水泥窑通风机的年......
本文基于纳米器件中载流子输运的基本物理图像，建立了相应的模型和模拟方法，开发了相应的模拟平台。使用这些模拟方法以及模拟平台，本......
摘 要：随着市场对高端NB&TPC产品要求越来越高，大尺寸产品分辨率越来越高，越来越轻薄，带来的技术上难点，导致产品出现PS设计，生产工艺波......
随着多芯片组件(Multi-Chip Module,MCM)朝着多功能、高性能、高速度、微小化的方向飞速发展。高速信号经过MCM中的互连结构时,会......
多栅结构因其优良的短沟道效应抑制能力成为工业用主流器件，但器件尺寸的继续缩小，导致突变结的形成受工艺和物理的双重限制。而源漏......
基于概率解释算法的原理,提出了一种考虑32艺波动的RLC互连延时统计模型,该模型使用了对数正态分布函数.在给定互连参数波动范围条......
本文阐述了气相流化床工艺中产生片、块及爆米花料的一些因素，并通过实际生产中表现出的非连续性的一些现象，重点讨论反应器产生片块......
根据产品抽查试验结果，简要分析了铁杂质含量，修坯水分高低，釉层厚薄，水泥胶合剂质量以及烧成温度的波动等因素，对悬式绝缘子机电强度的......
较全面地分析了三相异步电动机制造过程中工艺波动的主要原因是对产品质量的影响。...
在纳米工艺下,为了更好地抵抗工艺波动的影响,减小位于标准单元边界处的MOS管沟道长度随聚焦误差引起的变化,提出在现有版图基础上......
基于概率解释算法的原理，提出了一种考虑工艺波动的RLC互连延时统计模型，该模型使用了对数正态分布函数。在给定互连参数波动范围条......
随着集成电路特征尺寸的不断减小，互连线的串扰噪声对工艺波动的灵敏度也在相应增加。通过分析互连几何参数波动对互连寄生参数的影......
云南云天化国际化工股份有限公司针对云峰分公司磷酸厂低压蒸汽存在的具体问题,分析其工艺波动的原因,增加两台发电机组,利用这些......
65nm及其以下工艺，工艺波动对SRAM性能影响越来越大。SRAM读写噪声容限能够反映SRAM性能的好坏，对于预测SRAM良率有着重要的作用。采......
MOSFET晶体管的精确匹配对模拟和混合集成电路最终性能至关重要,因此漏电流失配方差或标准差大小的计算伴随着MOSFET器件特征尺寸......
仪化PTA生产中心多项指标已连续4年在中国石化同类装置中保持领先，如何追求无止境的改善？如何做到“扛着红旗不放”？该中心今年将“比......
阐述了三相异步电动机在整个制造工艺过程中易产生的工艺波动，探讨了产生这些工艺波动的主要原因，分析了这些工艺波动对产品质量的影......
为了有效分析工艺波动对互连性能的影响，本文基于对数正念分布函数提出了一种RLC互连延时统计模型。在给定互连参数波动范围条件下，......
基于等效Elmore延时模型和RLC互连的工艺角分析,提出了工艺波动致RLC互连延时快速极值分析方法,可以用于由工艺波动引起的RLC互连......
提出了一种利用微分非线性误差参数(DNL)表征单管MOSFET工艺波动特性的方法,并建立了其数学关系表达式.该表征方法通过测试多组90n......
基于Cu的随动强化模型,采用有限元分析方法,对不同Cu/低-k通孔微结构中的应力情景进行模拟分析,探讨了因互连通孔和通孔阻挡层形成......
针对纳米级工艺多指栅MOS晶体管的不同版图结构及其阈值波动的相关特性进行分析和研究。通过将基于Fujitsu 90nm工艺的三种不同版......
今年以来,兰州石化公司碳四车间为有效实现节能降耗目标,引导岗位员工从工作中的点滴做起,通过优化操作、提高操作技能等措施,使节......
E25晶圆边缘检查系统可以为CMP、刻蚀、清洁、沉积、RTP预处理和最终QA工艺提供边缘检查，并且在设计时已经考虑了像表面弯曲和工艺......
MOSFET的精确匹配对模拟和混合集成电路的性能至关重要,随着器件特征尺寸减小至纳米,将MOSFET失配模型进行改良以适应新工艺显得十......
在实现集成电路大规模产品工艺中,随着关键尺寸的不断缩小,工艺技术创新、加工次序和工业过程控制要求越来越严格。尤其困难的是,......
基于改进的RLC互连树等效Elmore延时模型，建立了考虑电感效应和工艺波动影响的互连延时统计模型，并推导出计算互连延时均值与标准差......
基于6节点耦合互连串扰噪声电路模型，提出了一种新的考虑工艺波动的统计互连串扰噪声分析方法，在给定互连参数波动范围条件下，推导出......
本文通过将供电电压降低到近阈值区域实现低功耗的目的.现有标准6T-SRAM在近阈值电压下的性能非常差,且受工艺波动的影响很大.因此......
伯赛(Perceptron)于1981年在美国创立,40年来,一直与汽车行业紧密合作,深切了解制造过程中工艺波动对复杂产品装配操作的破坏性影......
该文提出了一种考虑工艺波动的统计RLC互连延时分析方法。文中首先给出了考虑工艺波动的寄生参数和矩的构建方法,然后基于Weibull......
旁路检测方法通过采集电路功耗、延迟、电磁场等物理参数特性筛查硬件木马电路,但其检测性能会受到工艺波动的严重影响,且工艺的不......
介绍了逻辑电路IC芯片的两项重要参数(性能和功耗)与芯片的通用电源短路测试参数之间的强相关性。从而在IC芯片的量产阶段,利用晶......
