微波功率晶体管相关论文
本文通过研究SiGeHBT的共射级输入特性曲线随温度的变化关系,发现SiGeHBT的BE结正向电压随温度的变化率小于SiBJT,从而在温度特性......
本文介绍了硅双极型微波功率晶体管的发展历史和应用现状。针对硅脉冲微波功率器件增益退化的失效模式,通过对硅脉冲微波功率器件......
本文采用国产4H-SiC外延片,在2GHz下研制出输出功率1.3W、功率增益6.5dB的功率SiC MESFET,并对芯片加工工艺和器件的测试技术进行......
着重论述了硅微波功率晶体管内匹配网络的设计方法，对内匹配网络的功率均分特性、带宽特性，增益性能做了分析研究。在上述基础上，通过......
CreeResearch公司最近宣布研制成功系列SiCRF功率晶体管产品。CRF-20010是专为无线电地面站放大器设计的一种48V,10W高线性晶体管,......
对影响 S波段大功率晶体管内匹配电容的质量问题进行了分析 ,并给出了改进方法 ,提高了内匹配大功率晶体管的稳定性和可靠性。
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在新世纪刚刚来临之际 ,石家庄高新技术开发区微电子园区——信息产业部电子第十三研究所传来喜讯 ,在 1月 12日至 14日召开的第 4......
具有从1千兆赫、20瓦到3千兆赫、5瓦水平的微波功率晶体管已在市场出售。已经作出了具有宽带匹配网络的晶体管管壳,使功率放大器的......
微波功率晶体管现状由于市场的迫切需要和激烈的竞争,微波功率晶体管仍然以飞快的速度发展着。我们可从5瓦连续波器件的频率增长......
问题的提出在2千兆赫放大器的设计中,将采用许多2千兆赫5瓦的微波功率晶体管;同样,这些器件用于带宽200到500兆赫的超高频放大器......
题 日 用 页 工 作 报 告1.6—1.8千兆赫硅PNP超高频小功率晶体管的研制…………………………’…·’一1影响集成电路管芯成品率......
题目 期自力更生、排除万难、艰苦奋斗、建设三线………………………………………二 工 作 报 告:篚反击右倾翻案风的斗争中硅栅Ⅳ......
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一、目的本计划旨在研究两种分别具有一定技术水平的固体器件。它们是应用在放大器内的具有单片集成匹配网络的双极微波功率晶体......
美国加利佛里亚州多伦斯功率合成公司(Power Hybrids,Torrance,Calif,)为空间战术测距装置研制了一种新型的微波大功率晶体管PH11......
一、器件特性1.1 引言为了估计每一批的质量与制作方法之不同的依赖关系,要考虑四个主要的性能,这些性能是:直流特性、在1.5千兆......
本研制方案的目的是研究硅双极晶体管技术的基本限制。总的说来是要着重解决在1～10千兆赫频段内的单片功率器件的结构上的技术问题......
本合同研究的宗旨在于设计、制造和评价一种全顶面接触的微波功率晶体管。该器件在1～1.5千兆赫的频段具有30瓦的脉冲输出,增益大于......
微波功率晶体管近几年来的发展速度保持着迅速的步子。以5瓦连续输出功率晶体管为例,1962年频率为0.25千兆赫,1964年为0.5千兆赫,......
采用非晶态硅作为双极型微波功率晶体管的发射极材料,利用这种硅层的垂直电阻的镇流作用,能够消除发射极边缘的注入电流集边现象。......
在硅微波功率晶体管的研制中,由于精细的几何图形,浅结和大电流密度,制作接触电阻低而稳定性好的金属化系统已成为器件得到良好的......
一、引言抗负载失配能力是衡量微波功率晶体管可靠性的重要指标之一,提高功率器件的抗负载失配能力,是器件研制中的一项重要任务......
一、概述在微波功率晶体管的管芯下部,一般都焊有一块绝缘性能良好、导热性能优异的氧化铍瓷片。为什么微波功率管不能像低频功率......
由于采用新的设计以及金属化系统的改进,微波功率晶体管的平均失效时间正在增加。本文就长期和短期可靠性问题以及它们之间的相互......
无线电工程中,常常用到微波功率放大器,把低电平的微波信号加以放大,达到所需要的更高的功率电平。例如,倍频链中,为了获得足够大......
一、引言固态发射机最突出的特点是可靠性很高,平均无故障间隔时间MTBF很长(一般达10~5～10~6小时)以及重量轻、体积小、效率高等。......
近年来微波晶体管在频率和功率方面都有很大的提高。为了改善功率管的热特性,把管子分成许多子单元,再并联起来。但多单元直接并......
近年来,随着大规模集成电路、CCD二极管阵列显示器件和微波功率晶体管的发展,这些大面积器件对半导体材料提出了更高的要求,促使......
电子工业部第十三研究所地址:石家庄市合作路十三号电话:27921转各分机电挂:1166所长:毕克允主要产品:微波低噪声晶体管,微波功率......
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本文着重研究了金属化系统的失效模式和失效机理。通过实验与分析,发现在铝中注入磷并覆盖聚酰亚胺可使铝膜寿命提高66倍。在金多......
第二次世界大战结束之后,微波电子技术进入飞速发展阶段,各种新型微波电子器件也应运而生。一九四七年十二月世界上第一支晶体管(......
本文的目的是设计宽带微波功率晶体管的内匹配电路,包括:设计思想;内匹配电路衰减的计算;输入、输出阻抗匹配网络的计算机辅助设计......
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SiC材料的禁带宽度为3eV,相当于Si的2.7倍。SiC的宽禁带、高击穿电场、高热导和高载流子饱和速度等优良的材料特性为其微波功率性......
本文对相控阵雷达中的关键半导体技术—T/R组件的重点MMICT/R组件、固态发射机与微波功率晶体管及高速大容量信号处理与VHSIC等三......
本文介绍了两种双极晶体管微波线性功率放大器的设计特点和主要性能指标。比较了适用于甲类工作和适用丙类工作的微波功率双极晶体......
