持续光电导相关论文
非晶铟镓锌氧化物（Amorphous Indium-Gallium-Zinc Oxide,a-IGZO）薄膜晶体管（Thin-Film Transistor,TFT）已被广泛运用于平板显示。抬高......
铁电体具有自发铁电极化，可经由外电场调控。利用这一特性，铁电体在存储器和传感器中得到广泛应用。新兴的铁电存储器包括铁电二极管......
本文研究了氮化镓光电导器件中的持续光电导现象,并利用变化调制频率的方法测量了在不同强度下的光电导响应时间.实验发现,器件的......
在极低温和强磁场下通过变温Shubnikov-de Haas(SdH)振荡测量，研究了AlXGa1-xN/GaN异质结的子带结构。观察到了磁致子带间散射效应......
LaAlO3/SrTiO3异质结界面体系具有新奇的二维自由电子气现象、暂态光电导效应、持续光电导效应等丰富的光电性质,是近年来科学界研......
有机场效应晶体管(OFETs)由于其低成本、可溶液法制备、可柔性化等优势,在有机光电器件领域具有广阔发展前景。虽然OFETs器件迁移......
实现一维纳米结构的可控制备和物性调控,是ZnO基纳米器件走向实用化的基础和必备条件。纳米ZnO由于具有很大的比表面积,表面效应对......
氮化镓基宽禁带半导体材料由于其化学性质稳定、直接带隙以及带隙可调范围大等特点，因此在高功率、高频电子器件以及发光器件、紫外......
本文由两个部分组成，第一部分是中空阳极离子源的研制，第二部分是利用中空阳极离子源对分子束外延生长的GaN材料进行氢离子钝化处理，......
使用二苯甲酰甲烷-二苯菲罗啉-铕（Eu（DBM）3BPhen）作为电子给体和[6,6]-苯基-C61-丁酸酸甲酯（[60]PCBM）作为电子受体制备了一种新型的有机......
本文报道了金属有机物化学气相外延（ＭＯＶＰＥ）生长的未人为掺杂和掺Ｓｉｎ－ＧａＮ的持续光电导（Ｐｅｒｓｉｓｔｅｎｔ Ｐｈｏｔｏｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ－ＰＰＣ）。在不同温度下观察了光电导的产生和衰变行为。实验结果表......
研究了非故意掺杂和掺Si的n型GaN外延材料持续光电导的光淬灭．实验发现，非故意掺杂GaN的持续光电导淬灭程度远大于掺Si的n型GaN；撤去......
研究了MOCVD方法制备的非故意掺杂n型GaN薄膜的持续光电导现象，实验发现样品的光电导与入射光强有密切的关系，当入射光强由弱到强变......
LaAlO3/SrTiO3异质结界面体系具有新奇的二维自由电子气现象、暂态光电导效应、持续光电导效应等丰富的光电性质,是近年来科学界研......
研究了金属有机物化学气相外延（MOVPE）方法生长的非故障掺杂的立方相GaN的持续光电导效应，在六方相GaN中普遍认为持续光电导效应与黄......
持续光电导现象在光电器件中有着潜在的应用。采用亚禁带光激发手段研究了SrTiO3表面的持续光电导效应。Ar+轰击后的SrTiO3单晶可......
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0引言ZnO是一种金属氧化物半导体材料,在各类光电子器件中展现出了广泛的应用潜力[1]。ZnO中的光电转换过程涉及诸多复杂的光电转......
通过两步法合成了表面修饰Ag纳米颗粒的ZnO纳米棒阵列膜,并检测了该纳米棒阵列膜在波长为365 nm的紫外光照下的时域光电流曲线。与......
研究了金属有机物化学气相外延 (MOVPE)方法生长的非故意掺杂的立方相 Ga N的持续光电导效应 .在六方相 Ga N中普遍认为持续光电导......
对AlGaN基p-i-n光电探测器的负光电响应特性进行研究,从实验上证实了器件中p型接触电极的肖特基特性是导致该现象的主导因素.不同......
III-V族直接带隙半导体化合物在光电探测器领域具有非常广泛的应用。由于GaN基宽禁带半导体材料具有化学性质稳定、直接带隙及带隙......
氮化镓基材料是一种直接宽带隙半导体材料，具有优异的物理和化学性质，是制备高温、高功率、高频电子器件以及发光二极管、激光二极管......
