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碳化硅陶瓷具有许多好的性能。然而也存在许多亟待解决的问题,SiC陶瓷不但烧结温度高而且硬度远远没有达到预期要求,开发低耗能、......
以MgO-CeO2-Y2O3为烧结助剂,采用无压液相烧结工艺分别在1800℃、1850℃和1900℃,Ar气氛的条件下保温2h制备了SiC复合陶瓷。系统地......
本实验采用无压液相烧结工艺,以三种不同配比的Mg O-Ce O2-Y2O3体系为烧结助剂,烧结温度为1800℃、1850℃和1900℃,Ar气氛保护的条......
本文采用无压液相烧结工艺,以Al2O3-MgO-Y2O3体系为烧结助剂,烧结温度为1 900℃,保温时间分别为1 h,1.5 h和2 h,制备SiC复合陶瓷,......
以MgO-CeO2为助烧剂,采用无压液相烧结工艺在1 900℃、Ar气氛下保温2 h制备了SiC复合陶瓷.主要研究了助烧剂相对含量的变化对陶瓷......
